Юнович Александр Эммануилович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Спектры люминесценции мощных светодиодов на основе нитрида галлия в ультрафиолетовой и фиолетовой областях спектра
   
   Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1172–1176
2. Интерференционные эффекты в спектрах электроотражения и электролюминесценции светодиодных гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN
   
   Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010),  1124–1129
3. Фотолюминесценция сверхрешеток на основе аморфного кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 25:10 (1991),  1681–1685
4. Люминесценция варизонных структур Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te в условиях магнитоконцентрационного эффекта
   
   Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990),  1677–1681
5. Механизмы излучательной рекомбинации в селениде свинца вблизи комнатной температуры
   
   Физика и техника полупроводников, 24:5 (1990),  795–799
6. Квантово-размерные эффекты в фотолюминесценции сверхрешеток на основе халькогенидов свинца
   
   Физика и техника полупроводников, 23:6 (1989),  960–963
7. Влияние примесей водорода и азота на люминесценцию эпитаксиальных пленок теллурида свинца
   
   Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988),  815–820
8. Фотолюминесценция двойных гетероструктур на основе халькогенидов свинца-олова
   
   Физика и техника полупроводников, 21:9 (1987),  1566–1571
9. Влияние индуцированных лазерным облучением дефектов на фотолюминесценцию фосфида галлия с примесью азота
   
   Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987),  740–742
10. Температурная зависимость спектров фотолюминесценции монокристаллов GaSe, облученных $\gamma$-квантами
    
    Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  613–618
11. Зависимость наведенного тока от температуры и локальная спектроскопия примесных уровней методами растровой электронной микроскопии
    
    Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  607–612
12. Межзонная оже-рекомбинация с участием квазилокальных центров в узкозонных полупроводниках
    
    Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986),  358–360
13. Температурная зависимость квантового выхода излучательной рекомбинации в селениде и сульфиде свинца
    
    Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986),  263–269
14. Влияние примесей редкоземельных элементов на электрические и фотолюминесцентные свойства гетероструктур $In\,Ga\,As/In\,P$
    
    Письма в ЖТФ, 12:6 (1986),  328–331
15. Спектры люминесценции фосфида галлия, обусловленные примесными комплексами пар атомов азота с акцепторами
    
    Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985),  1039–1045
16. Влияние структурного совершенства слоев сульфида и селенида свинца на квантовый выход излучательной рекомбинации при комнатной температуре
    
    Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985),  616–620
17. Фотолюминесценции пленок тройных твердых растворов Pb$_{1-x}$Cd$_{x}$S
    
    Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984),  631–634
18. Исследование неоднородностей фоточувствительности и люминесценции пленок халкогенидов свинца в растровом электронном микроскопе
    
    Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984),  484–488
19. Излучательная рекомбинация в эпитаксиальных пленках четверных твердых растворов Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te$_{1-y}$S$_{y}$
    
    Физика и техника полупроводников, 17:2 (1983),  339–341