Пушный Борис Васильевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Оптическая диагностика гетероструктур на основе InGaAsP/InP(001)
   
   Письма в ЖТФ, 50:15 (2024),  47–50
2. Разработка технологии изготовления фотоприемников мощного лазерного излучения на длину волны 1.06 мкм
   
   Физика и техника полупроводников, 57:7 (2023),  590–593
3. Легированный кремнием GaSb, выращенный методом ГФЭМОС в широком диапазоне соотношений V/III
   
   Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  932–936
4. Замена туннельных переходов в InP на каналы проводимости с кристаллитами GaP
   
   Письма в ЖТФ, 47:22 (2021),  52–54
5. Выглаживание поверхности антимонида галлия
   
   Письма в ЖТФ, 46:23 (2020),  48–50
6. Электрические контакты к структурам на основе InP с подконтактным слоем к $p$-InP, легированным Zn
   
   Письма в ЖТФ, 46:23 (2020),  13–14
7. Исследование влияния легирования на переходные слои анизотипных гетероструктур на основе GaInAsP и InP, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 46:19 (2020),  22–24
8. Исследование возможностей метода газофазной эпитаксии из металлорганических соединений для изготовления тонких слоев InAs/GaSb
   
   ЖТФ, 89:10 (2019),  1592–1597
9. Высокоомный антимонид галлия, полученный методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений
   
   Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1599–1603
10. Исследование однородности состава по толщине слоев GaInAsP, полученных на подложках InP методом газофазной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1512–1518
11. Исследование возможности изготовления напряженных сверхрешеток InAs/GaSb методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
    
    Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  273–276
12. Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения ($\lambda$ = 1064 нм) на основе GaInAsP/InP
    
    Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1641–1646
13. Эффект увеличения фотопроводимости в гетероструктуре II типа $n$-GaSb/InAs/$p$-GaSb с одиночной квантовой ямой
    
    Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  906–911
14. Изготовление и исследование коммутирующих $p$–$n$-переходов для каскадных фотопреобразователей
    
    Письма в ЖТФ, 44:24 (2018),  25–31
15. Исследование градиента состава слоев GaInAsP, полученных на InP методом газофазной эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 44:24 (2018),  17–24
16. Релаксация напряжений в InGaAsP/InP-гетероструктурах для преобразователей лазерного излучения с длиной волны 1064 nm
    
    Письма в ЖТФ, 43:2 (2017),  3–9
17. Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения ($\lambda$ = 1550 нм) на основе GaSb: метод получения и характеристики
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1358–1362
18. Сверхрешетки InAs/GaSb, изготовленные методом МОС-гидридной эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 42:2 (2016),  79–84
19. Фотоэлектрические преобразователи концентрированного солнечного излучения на основе InGaAsP(1.0 эВ)/InP-гетероструктур
    
    Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015),  715–718
20. Исследование постростового процесса изготовления квантовых каскадных лазеров
    
    Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014),  1132–1137
21. Получение и исследование $p$–$n$-структур с кристаллическими включениями в области пространственного заряда
    
    Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013),  1677–1680
22. Приготовление полосковой структуры для квантовых каскадных лазеров
    
    Письма в ЖТФ, 39:18 (2013),  32–37
23. Твердые растворы AlInAsSb и AlGaInAsSb для барьерных слоев источников излучения спектрального диапазона 3–5 $\mu$m, полученные методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений
    
    Письма в ЖТФ, 38:19 (2012),  66–74
24. Исследование свойств слоев узкозонных (0.3–0.48 eV) твердых растворов A$^3$B$^5$, полученных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений
    
    Письма в ЖТФ, 38:9 (2012),  23–30
25. Кинетика фототока в арсенидгаллиевых структурах со встроенным потенциальным барьером
    
    Письма в ЖТФ, 14:17 (1988),  1565–1570
26. Инжекционные гетеролазеры $Jn\,Ga\,As\,P/Jn\,P$ ($\lambda=1.5$ мкм) с распределенной обратной связью, полученные с использованием жидкофазной и газовой эпитаксий
    
    Письма в ЖТФ, 12:5 (1986),  296–300
27. Влияние редкоземельных элементов на подвижность носителей в эпитаксиальных слоях InP и InGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984),  83–85
28. Торцевые суперкороткие AlGaAs-излучатели с ${\eta_{e}\approx10}$% (${T=300^{\circ}}$ K)
    
    Письма в ЖТФ, 9:15 (1983),  900–906


29. Enhancement of photoconductivity by carrier screening effect in $n$-GaSb/$n$-InAs/$p$-GaSb heterostructure with single deep quantum well
    
    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  476