Таиров Ю М

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. К модели окисления поликристаллических слоев халькогенидов свинца в иодосодержащей среде
   
   Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016),  791–793
2. Политипные включения и политипная стабильность кристаллов карбида кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016),  501–508
3. Модели формирования оксидных слоев в наноструктурированных материалах на основе халькогенидов свинца при обработке в парах кислорода и иода
   
   Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013),  1431–1434
4. О росте монокристаллов карбида кремния политипа 4H на затравках с плоскостью $(11\bar22)$
   
   Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012),  1368–1373
5. О механизмах образования дефектов в слитках карбида кремния политипа 4H
   
   Физика и техника полупроводников, 45:3 (2011),  289–294
6. Широкозонные твердые растворы (SiC)$_{1-x}$(AlN)$_{x}$
   
   Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991),  1437–1447
7. Исследование растворимости и диффузии в системах SiC$-$NbC, SiC$-$TiC, SiC$-$ZrC
   
   Письма в ЖТФ, 17:23 (1991),  80–83
8. Получение аморфных гидрогенизированных широкозонных полупроводников $a$-Si$_{1-x}$C$_{x}$ : H в реакторе с вынесенной подложкой
   
   Письма в ЖТФ, 17:16 (1991),  46–49
9. Влияние отклонения от стехиометрии на свойства диффузионных $p{-}n$-переходов на основе карбида кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 24:5 (1990),  821–824
10. Теплопроводность карбида кремния в области температур 300$-$3000 K
    
    Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990),  258–263
11. Политипный фазовый переход, индуцированный ионной имплантацией
    
    Физика и техника полупроводников, 23:12 (1989),  2240–2243
12. Оптическое поглощение и люминесценция твердых растворов (SiC)$_{1-x}$(AlN)$_{x}$
    
    Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989),  162–164
13. Электрические характеристики эпитаксиальных $p^{+}{-}n{-}n^{+}$-структур на основе карбида кремния политипа $6H$
    
    Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988),  298–300
14. Экспериментальное наблюдение неравновесных фазовых переходов в SiC под влиянием термомеханического воздействия
    
    Физика твердого тела, 29:2 (1987),  575–577
15. Примесное оптическое поглощение и энергетическая структура $1s$-состояний доноров в $4H$-SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987),  194–197
16. Создание $Si\,C$ эпитаксиальных Р-П-структур на подложках, полученных из объемных кристаллов $Si\,C$
    
    Письма в ЖТФ, 13:19 (1987),  1168–1171
17. ЭПР примесных пар (TiN)$^{0}$ в карбиде кремни политипа 6$H$
    
    Физика твердого тела, 28:2 (1986),  363–368
18. Получение и исследование эпитаксиальных слоев широкозонных твердых растворов $(Si\,C)_{1-x}(Al\,N)_{x}$
    
    Письма в ЖТФ, 12:17 (1986),  1043–1045
19. Упрощение кристаллической решетки $\mathrm{6H}$–$Si\,C$ при легировании изовалентными примесями
    
    Письма в ЖТФ, 11:12 (1985),  749–752
20. Восстановление структуры слоев карбида кремния после ионной имплантации
    
    Физика твердого тела, 26:5 (1984),  1575–1577
21. Закономерность эволюции кристаллической структуры при синтезе веществ, обладающих множеством структурно-устойчивых состояний
    
    ЖТФ, 54:7 (1984),  1388–1390
22. Люминесценция карбида кремния в связи с отклонениями от стехиометрии
    
    Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984),  1194–1198
23. Свойства $p$-слоев ионно-легированного карбида кремния, сформированных лазерным облучением
    
    Письма в ЖТФ, 10:24 (1984),  1527–1529
24. Гетероэпитаксиальная композиция: редкий политип карбида кремния 2H на изолирующей подложке: нитрид алюминия $-$ сапфир
    
    Письма в ЖТФ, 10:14 (1984),  873–876
25. Оценка важнейших электрофизических параметров твердых растворов карбид кремния-нитриды A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$
    
    Письма в ЖТФ, 9:12 (1983),  737–741