RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Чалдышев Владимир Викторович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Резонансное отражение света от периодической системы квазидвумерных слоев наночастиц Bi в GaAs

    Физика твердого тела, 67:11 (2025),  2203–2207
  2. Брэгговский резонанс в системе слоев плазмонных наночастиц Bi в матрице GaAs

    Физика твердого тела, 67:1 (2025),  39–43
  3. Формирование квазидвумерных слоев наночастиц висмута в эпитаксиальных пленках арсенида галлия

    Физика твердого тела, 66:9 (2024),  1514–1519
  4. Влияние беспорядка на оптические свойства резонансных брэгговских структур на основе III–N

    Физика и техника полупроводников, 58:11 (2024),  594–600
  5. Особенности микроструктуры наноразмерных преципитатов AsSb в LT-GaAsSb

    Физика твердого тела, 65:12 (2023),  2309–2316
  6. Влияние промежуточного низкотемпературного нагрева на преципитацию в нестехиометрическом GaAs

    Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  507–512
  7. Структура и оптические свойства композитного метаматериала AsSb–Al$_{0.6}$Ga$_{0.4}$As$_{0.97}$Sb$_{0.03}$

    Физика и техника полупроводников, 57:1 (2023),  71–76
  8. Выращивание слоев GaAs$_{1-x}$Bi$_x$ методом молекулярно-лучевой эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 56:3 (2022),  279–284
  9. Резонансное отражение света оптической решеткой экситонов, сформированной 100 квантовыми ямами InGaN

    Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  733–737
  10. Локализация носителей заряда в самоорганизованных квантовых точках InAs

    Письма в ЖТФ, 47:23 (2021),  51–54
  11. Эпитаксиальные квантовые точки InGaAs в матрице Al$_{0.29}$Ga$_{0.71}$As: интенсивность и кинетика люминесценции в ближнем поле серебряных наночастиц

    Оптика и спектроскопия, 126:5 (2019),  573–577
  12. Диффузионное размытие квантовых ям GaAs, выращенных при низкой температуре

    Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1597–1600
  13. Resonant optical reflection from AsSb–AlGaAs metamaterials and structures

    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  471
  14. Optical properties of AlGaAs/GaAs resonant Bragg structure at the second quantum state

    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  466
  15. Брэгговский резонанс в системе плазмонных нановключений AsSb в AlGaAs

    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1620–1624
  16. Влияние слоя GaAs, выращенного при низкой температуре, на фотолюминесценцию квантовых точек InAs

    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1519–1526
  17. Оптическая спектроскопия резонансной брэгговской структуры с квантовыми ямами InGaN/GaN

    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1451–1454
  18. Пространственно-коррелированные двумерные массивы полупроводниковых и металлических квантовых точек в гетероструктурах на основе GaAs

    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1710–1713
  19. Плазмонный резонанс в новых металло-полупроводниковых метаматериалах AsSb–AlGaAs

    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1635–1639
  20. Исследование структур с множественными квантовыми ямами InAs/GaAs методом спектроскопии электроотражения

    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1448–1452
  21. Оптические решетки экситонов в системах квантовых ям InGaN/GaN

    Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  6–10
  22. Резонанс Фрёлиха в системе AsSb/AlGaAs

    Физика твердого тела, 56:10 (2014),  1891–1895
  23. Влияние локальных дефектов структуры на преципитацию As вблизи квантовых точек InAs в матрице GaAs

    Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014),  1578–1582
  24. Измерение фемтосекундных времен жизни свободных носителей заряда в арсениде галлия

    Письма в ЖТФ, 40:12 (2014),  37–43
  25. Резонансная брэгговская структура со сдвоенными квантовыми ямами InGaN

    Физика твердого тела, 55:9 (2013),  1706–1708
  26. Электронная микроскопия структур на основе GaAs с квантовыми точками InAs и As, разделенными барьером AlAs

    Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1196–1203
  27. Влияние отжига на время жизни неравновесных носителей заряда в GaAs, выращенном при низкой температуре

    Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1144–1148
  28. Отражение света от брэгговской решетки металлических нановключений AsSb в матрице AlGaAs

    Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1043–1047
  29. Оптические свойства структур GaAs, содержащих периодическую систему слоев металлических нановключений AsSb

    Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012),  1314–1318
  30. Резонансное отражение света периодической системой экситонов в квантовых ямах GaAs/AlGaAs

    Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012),  1039–1042
  31. Экспериментальное определение времени жизни носителей заряда в GaAs, выращенном при низкой температуре

    Физика и техника полупроводников, 46:5 (2012),  637–640
  32. Упругие поля и физические свойства поверхностных квантовых точек

    Физика твердого тела, 53:10 (2011),  1986–1996
  33. Электронная микроскопия структур GaAs с квантовыми точками InAs и As

    Физика и техника полупроводников, 45:12 (2011),  1642–1645
  34. Резонансная брэгговская структура (AlGaAs/GaAs/AlGaAs)$_{60}$ на основе второго уровня размерного квантования экситонов с тяжелыми дырками в квантовых ямах

    Физика и техника полупроводников, 44:9 (2010),  1260–1265
  35. Изовалентное легирование фосфида индия галлием и мышьяком в процессе жидкофазной эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992),  1737–1741
  36. Электрические и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев $\text{GaSb}\langle\text{Bi}\rangle$ и $\text{GaSb}\langle\text{Bi,Sn}\rangle$, полученных из висмутовых растворов

    Физика и техника полупроводников, 26:8 (1992),  1409–1414
  37. ЭЖЭ — рост объемных кристаллов и одновременное получение слоев на нескольких подложках

    ЖТФ, 61:3 (1991),  74–79
  38. Комбинационное рассеяние в эпитаксиальных пленках GaAs, легированных изовалентными примесями Bi и In: влияние дефектов и затухание плазмофонона

    Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991),  1472–1475
  39. Совместная имплантация в полуизолирующий арсенид галлия электрически активной и изовалентной примесей

    Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991),  1355–1360
  40. Влияние изовалентного легирования индием на свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия, выращенного из газовой фазы

    Физика и техника полупроводников, 25:5 (1991),  898–903
  41. О механизме воздействия изовалентной примеси In на свойства и ансамбль дефектов GaAs, выращиваемого методом молекулярно-лучевой эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990),  1862–1866
  42. Полоса фотолюминесценции 1.44 эВ в GaAs, имплантированном азотом и кремнием

    Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990),  1857–1861
  43. Подавление «природных» акцепторов в GaSb путем изовалентного легирования висмутом

    Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990),  1095–1100
  44. Особенности поведения изовалентной примеси — индия при легировании арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических соединений

    Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990),  77–81
  45. Двойное изовалентное легирование арсенида галлия висмутом и индием

    ЖТФ, 59:8 (1989),  164–167
  46. Влияние отношения потоков мышьяка и галлия на люминесценцию арсенида галлия, полученного методом молекулярно-лучевой эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 23:10 (1989),  1913–1916
  47. Ширина запрещенной зоны в твердом растворе GaSb$_{1-x}$Bi$_{x}$

    Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989),  1517–1518
  48. Влияние легирования индием на люминесценцию монокристаллов арсенида галлия

    Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989),  1259–1262
  49. Об одной особенности донора — серы в GaP

    Физика и техника полупроводников, 23:6 (1989),  1070–1075
  50. Люминесценция глубоких уровней в $n$-GaAs : Ge, Bi

    Физика и техника полупроводников, 23:2 (1989),  221–223
  51. Амфотерные свойства германия в GaAs : Bi

    Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989),  44–47
  52. Зависимость ширины запрещенной зоны от состава в твердом растворе InP$_{1-x}$Sb$_{x}$ (${x\leqslant 0.07}$)

    Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988),  342–344
  53. Твердые растворы в системе Ga$-$Sb$-$Bi

    Письма в ЖТФ, 14:18 (1988),  1651–1655
  54. Механизм «очистки» арсенида галлия висмутом

    Физика и техника полупроводников, 21:12 (1987),  2201–2209
  55. Влияние изовалентного легирования индием на « природные» акцепторы в антимониде галлия

    Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987),  1118–1124
  56. Влияние изовалентного легирования висмутом на концентрацию мелких акцепторов в арсениде галлия

    Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987),  949–952
  57. Фотолюминесценция $Ga\,As$, легированного германием и висмутом

    Письма в ЖТФ, 13:20 (1987),  1264–1267
  58. Компенсация остаточных примесей в эпитаксиальных слоях $Ga\,As:Bi$

    Письма в ЖТФ, 13:20 (1987),  1255–1259
  59. Фотокатоды с отрицательным электронным сродством на основе твердых растворов $Ga\,As_{1-x}\,Sb_{x}$ и их применение в фотоумножителях

    Письма в ЖТФ, 13:14 (1987),  833–835
  60. Твердые растворы в системе фосфид индия–антимонид индия

    Письма в ЖТФ, 13:3 (1987),  188–191
  61. Фотолюминесценция InP, легированного висмутом

    Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986),  1258–1261
  62. К вопросу об "очистке" арсенида галлия висмутом

    Письма в ЖТФ, 12:5 (1986),  274–276
  63. К вопросу об изменении степени компенсации мелких примесей при изовалентном легировании арсенида галлия

    Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985),  1104–1107
  64. Люминесценция неоднородных полупроводниковых твердых растворов

    Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984),  1565–1572
  65. О зависимости квантового выхода фотолюминесценции в твердом растворе GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ от состава и температуры

    Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984),  1251–1255
  66. Фотолюминесценция твердых растворов GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ И Ga$_{1-x}$In$_{x}$As (${x< 0.01}$)

    Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983),  108–114
  67. О зависимости ширины запрещенной зоны нелегированного твердого раствора Al$_{x}$Ga$_{1-x}$Sb от состава (${0\leqslant x\leqslant1}$) и температуры (${4.2\leqslant T\leqslant200}$ K)

    Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983),  103–107
  68. О корреляции в расположении мелких примесей в арсениде галлия, легированном индием и сурьмой

    Письма в ЖТФ, 9:4 (1983),  242–245

© МИАН, 2026