Бирюлин Ю Ф

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Особенности электрофизических свойств GaAsSb, легированного амфотерной примесь — германием
   
   Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990),  2219–2222
2. Двойное легирование эпитаксиального GaAs изовалентной примесью — висмутом и акцепторной примесью — цинком
   
   Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990),  2217–2219
3. К вопросу о составе и стехиометрии поверхности GaAs, получаемом в процессе жидкофазной эпитаксии при изовалентном легировании
   
   Письма в ЖТФ, 16:19 (1990),  59–61
4. Поверхность арсенида галлия, легированного изовалентной примесью — сурьмой
   
   Письма в ЖТФ, 16:2 (1990),  43–47
5. Об одной особенности донора — серы в GaP
   
   Физика и техника полупроводников, 23:6 (1989),  1070–1075
6. Зависимость ширины запрещенной зоны от состава в твердом растворе InP$_{1-x}$Sb$_{x}$ (${x\leqslant 0.07}$)
   
   Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988),  342–344
7. Особенности поверхности арсенида галлия, выращенного из висмутового раствора$-$расплава
   
   Письма в ЖТФ, 14:19 (1988),  1794–1799
8. Твердые растворы в системе Ga$-$Sb$-$Bi
   
   Письма в ЖТФ, 14:18 (1988),  1651–1655
9. Механизм «очистки» арсенида галлия висмутом
   
   Физика и техника полупроводников, 21:12 (1987),  2201–2209
10. Влияние изовалентного легирования индием на « природные» акцепторы в антимониде галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987),  1118–1124
11. Влияние изовалентного легирования висмутом на концентрацию мелких акцепторов в арсениде галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987),  949–952
12. Фотолюминесценция $Ga\,As$, легированного германием и висмутом
    
    Письма в ЖТФ, 13:20 (1987),  1264–1267
13. Компенсация остаточных примесей в эпитаксиальных слоях $Ga\,As:Bi$
    
    Письма в ЖТФ, 13:20 (1987),  1255–1259
14. Фотокатоды с отрицательным электронным сродством на основе твердых растворов $Ga\,As_{1-x}\,Sb_{x}$ и их применение в фотоумножителях
    
    Письма в ЖТФ, 13:14 (1987),  833–835
15. Твердые растворы в системе фосфид индия–антимонид индия
    
    Письма в ЖТФ, 13:3 (1987),  188–191
16. Фотолюминесценция InP, легированного висмутом
    
    Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986),  1258–1261
17. Р-П структуры на основе твердых растворов $Al\,As-Ga$, $As-Ga\,Sb$ с управляемой полосой спектральной чувствительности
    
    Письма в ЖТФ, 12:12 (1986),  764–767
18. К вопросу об "очистке" арсенида галлия висмутом
    
    Письма в ЖТФ, 12:5 (1986),  274–276
19. К вопросу об изменении степени компенсации мелких примесей при изовалентном легировании арсенида галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985),  1104–1107
20. Арсенид-галлиевый фотокатод с интегральной чувствительностью $3200$ мкА/лм
    
    Письма в ЖТФ, 11:10 (1985),  602–605
21. К вопросу об управлении составом в методе электрожидкостной эпитаксии
    
    ЖТФ, 54:7 (1984),  1394–1399
22. О зависимости квантового выхода фотолюминесценции в твердом растворе GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ от состава и температуры
    
    Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984),  1251–1255
23. Фотолюминесценция твердых растворов GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ И Ga$_{1-x}$In$_{x}$As (${x< 0.01}$)
    
    Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983),  108–114
24. О зависимости ширины запрещенной зоны нелегированного твердого раствора Al$_{x}$Ga$_{1-x}$Sb от состава (${0\leqslant x\leqslant1}$) и температуры (${4.2\leqslant T\leqslant200}$ K)
    
    Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983),  103–107
25. О корреляции в расположении мелких примесей в арсениде галлия, легированном индием и сурьмой
    
    Письма в ЖТФ, 9:4 (1983),  242–245
26. Электрожидкостная эпитаксия в системе (GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$)
    
    Письма в ЖТФ, 9:3 (1983),  155–158