Роенков Александр Дмитриевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Биосенсоры на основе графена для детектирования маркеров нейродегенеративной деменции
   
   Письма в ЖТФ, 51:3 (2025),  13–16
2. Исследование рельефа напряжений и распределения деформаций в пленках графена биосенсоров вирусных инфекций
   
   Физика твердого тела, 65:12 (2023),  2216–2219
3. Хемилюминесценция функционализированной поверхности графена
   
   Оптика и спектроскопия, 130:9 (2022),  1417–1422
4. Изменение адсорбционных свойств графена в процессе получения биосенсоров вирусных инфекций
   
   Физика и техника полупроводников, 56:12 (2022),  1137–1143
5. Исследование чувствительной способности графена для применений в качестве биосенсоров
   
   Письма в ЖТФ, 46:10 (2020),  3–6
6. Радиационная стойкость диодов Шоттки на основе $n$-GaN
   
   Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015),  1386–1388
7. Исследование характеристик ультрафиолетовых светодиодов на основе гетероструктур GaN/AlGaN, выращенных методом хлоридно-гидридной эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014),  259–264
8. Исследование деградации внешней квантовой эффективности ультрафиолетовых светодиодов на основе гетероструктур AlGaN/GaN, выращенных методом хлоридно-гидридной эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 40:13 (2014),  73–80
9. Светодиоды на основе карбида кремния, облученного быстрыми электронами
   
   Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992),  1857–1860
10. Ультрафиолетовые карбид-кремниевые фотоприемники
    
    Физика и техника полупроводников, 26:6 (1992),  1008–1014
11. Эффективные зеленые светодиоды на карбиде кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 26:1 (1992),  107–110
12. Образование и эволюция нитей лавинного тока в обратносмещенных $p{-}n$-переходах на основе $6H$-SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 25:7 (1991),  1209–1216
13. Люминесценция эпитаксиальных слоев $6H$-SiC, облученных быстрыми электронами
    
    Физика и техника полупроводников, 25:4 (1991),  762–766
14. Легирование азотом эпитаксиальных слоев SiC при росте сублимационным «сэндвич$-$методом» в вакууме
    
    Письма в ЖТФ, 16:14 (1990),  33–37
15. Электролюминесценция 6H-SiC, легированного Ga и N
    
    Письма в ЖТФ, 16:14 (1990),  25–30
16. Светодиоды с излучением в зеленой области спектра на базе гетероэпитаксиальных слоев карбида кремния политипа 4H
    
    Письма в ЖТФ, 14:24 (1988),  2222–2226
17. $P^{+}-\pi-N^{+}$-структуры на основе карбида кремния с двойной инжекцией
    
    Письма в ЖТФ, 13:20 (1987),  1247–1251
18. Возникновение структурных нарушений в эпитаксиальных слоях карбида кремния
    
    Письма в ЖТФ, 13:11 (1987),  641–645
19. Параметрический стабилизатор напряжения на карбиде кремния
    
    Письма в ЖТФ, 12:5 (1986),  261–264
20. Ударная ионизация в политипах карбида кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985),  814–818
21. Особенности лавинного пробоя в $\alpha$-карбиде кремния — материале с естественной сверхрешеткой
    
    Письма в ЖТФ, 10:5 (1984),  303–306