Челноков Валентин Евгеньевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Обращенная меза-структура из карбида кремния
   
   Письма в ЖТФ, 18:24 (1992),  28–31
2. Высокотемпературный синий светодиод
   
   Письма в ЖТФ, 18:3 (1992),  19–23
3. Высокотемпературный диод Шоттки Au$-$SiC-$6H$
   
   Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991),  328–333
4. Твердые растворы SiC$-$AlN, выращенные методом бесконтейнерной жидкофазной эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 17:6 (1991),  50–53
5. Нормально закрытый SiC (6H) полевой транзистор с $p{-}n$-затвором
   
   Письма в ЖТФ, 17:4 (1991),  1–5
6. Фотолюминесценция аморфных пленок $a$-Si$_{1-x}$C$_{x}$ : H
   
   Физика и техника полупроводников, 24:4 (1990),  710–716
7. Зеленые SiC-6H светодиоды
   
   Письма в ЖТФ, 16:23 (1990),  56–59
8. Светодиод с $\lambda_{\max}\simeq 398$ нм
   
   Письма в ЖТФ, 16:21 (1990),  50–52
9. Фиолетовый SiC-$4C$-светодиод
   
   Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989),  39–43
10. SiC-6H полевой транзистор с рекордной для карбидкремниевых транзисторов крутизной
    
    Письма в ЖТФ, 15:16 (1989),  36–42
11. Кристаллизация монокристаллических слоев карбида кремния на кремнии
    
    Письма в ЖТФ, 15:12 (1989),  50–52
12. Синие SiC-$6H$-светодиоды
    
    Физика и техника полупроводников, 22:4 (1988),  664–669
13. Электрические характеристики эпитаксиальных $p^{+}{-}n{-}n^{+}$-структур на основе карбида кремния политипа $6H$
    
    Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988),  298–300
14. Электростатические свойства SiC-$6H$-структур с резким $p{-}n$-переходом
    
    Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988),  133–136
15. Пленки ВТСП Y$-$Ba$-$Cu$-$O
    
    Письма в ЖТФ, 14:19 (1988),  1779–1781
16. Высоковольтные арсенидгалиевые силовые диоды большой площади
    
    Письма в ЖТФ, 14:13 (1988),  1153–1156
17. Высокотемпературный SiC-6H полевой транзистор с $p{-}n$-затвором
    
    Письма в ЖТФ, 14:4 (1988),  289–293
18. Фотоэлектрическая лазерная магнитоспектроскопия мелких доноров в высокочистом GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987),  1771–1777
19. Создание $Si\,C$ эпитаксиальных Р-П-структур на подложках, полученных из объемных кристаллов $Si\,C$
    
    Письма в ЖТФ, 13:19 (1987),  1168–1171
20. Динистор на карбиде кремния
    
    Письма в ЖТФ, 13:16 (1987),  991–993
21. Структуры с ионно-имплантированным $p{-}n$-переходом на основе эпитаксиального $4H$-SiC с $S$-образной вольтамперной характеристикой
    
    Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986),  1654–1657
22. Исследование вольтамперных характеристик диодных структур на основе карбида кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986),  844–848
23. Субнаносекундное включение арсенидгаллиевых тиристоров
    
    Письма в ЖТФ, 12:15 (1986),  925–928
24. Ограничение напряжения с помощью карбидкремниевых Р-П-структур
    
    Письма в ЖТФ, 12:13 (1986),  773–776
25. Трехцветный сине-зелено-красный индикатор, сформированный на одном монокристалле
    
    Письма в ЖТФ, 12:9 (1986),  541–543
26. Индикаторы с синим свечением на основе карбида кремния, выращенного бесконтейнерной жидкостной эпитаксией
    
    Письма в ЖТФ, 12:7 (1986),  385–388
27. Реактивное ионно-плазменное травление карбида кремния
    
    Письма в ЖТФ, 12:4 (1986),  240–243
28. Туннельный диод на основе $Si\,C$
    
    Письма в ЖТФ, 11:16 (1985),  976–978
29. Карбидкремниевые светодиоды с излучением в сине-фиолетовой области спектра
    
    Письма в ЖТФ, 11:4 (1985),  246–248
30. Карбидкремниевые Р-П-структуры, полученные жидкостной эпитаксией
    
    Письма в ЖТФ, 11:4 (1985),  238–241
31. Распространение включенного состояния в GaAs тиристорах большой площади
    
    Письма в ЖТФ, 10:23 (1984),  1430–1433
32. Выпрямительный диод на основе карбида кремния
    
    Письма в ЖТФ, 10:17 (1984),  1053–1056
33. Влияние среды отжига на свойства радиационно-легированного кремния (РЛК)
    
    Письма в ЖТФ, 10:11 (1984),  645–649
34. Силовые диоды с барьером Шоттки на арсениде галлия
    
    Письма в ЖТФ, 9:7 (1983),  414–417