RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Явич Б С

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Эволюция деформационного состояния и компонентного состава при изменении количества квантовых ям в многослойных структурах InGaN/GaN

    Физика и техника полупроводников, 45:6 (2011),  770–777
  2. Рентгеновская дифрактометрия и сканирующая микро-рамановская спектроскопия неоднородностей структуры и деформаций по глубине многослойной гетероструктуры InGaN/GaN

    Физика и техника полупроводников, 44:9 (2010),  1236–1247
  3. Интерференционные эффекты в спектрах электроотражения и электролюминесценции светодиодных гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN

    Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010),  1124–1129
  4. Механизм деградации (GaAs/AlGaAs)-лазера с квантовой ямой

    Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992),  1760–1767
  5. Свойства и особенности кристаллизации эпитаксиальных слоев GaAs, выращенных на подложках Si(100) методом двухстадийного осаждения в МОС гидридном процессе

    Физика и техника полупроводников, 25:6 (1991),  1022–1029
  6. Быстродействующая оптоэлектронная интегральная схема «инжекционный лазер — полевой транзистор» на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs

    Письма в ЖТФ, 16:14 (1990),  70–74
  7. Математическое моделирование процессов нестационарного массопереноса в объеме газоэпитаксиального реактора при выращивании структур МОС-гидридным методом

    ЖТФ, 59:4 (1989),  149–153
  8. Получение МОС гидридным методом при пониженном давлении и фотолюминесцентные исследования GaAs/AlGaAs квантово-размерных структур

    Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989),  1420–1425
  9. Экспериментальное и численное исследование выращивания эпитаксиальных слоев GaAs и твердого раствора AlGaAs в горизонтальном реакторе при пониженном давлении

    Письма в ЖТФ, 15:15 (1989),  76–79
  10. Квантово-размерные лазерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры, полученные МОС гидридным методом. Квантовый выход люминесценции и пороги генерации

    Физика и техника полупроводников, 22:12 (1988),  2111–2117
  11. Флуктуации ширины квантовых ям и низкотемпературная фотолюминесценция GaAs/AlGaAs квантоворазмерных структур, полученных МОС-гидридным методом

    Письма в ЖТФ, 14:13 (1988),  1217–1220
  12. Исследование GaAs$-$AlGaAs квантово-размерных структур, полученных МОС-гидридным методом

    Письма в ЖТФ, 14:3 (1988),  222–226
  13. Токовое управление профилем толщины и «токовое раскисление»слоев (AlGa)As, выращенных в канавках

    ЖТФ, 57:4 (1987),  778–782
  14. Рентгенодифракционное и рентгенофотоэлектронное измерение параметров периодических GaAs$-$AlGaAs-структур, полученных МОС гидридным методом

    Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987),  1745–1749
  15. Механизм усиления фототока в GaAs$-$AlGaAs-структурах

    Физика и техника полупроводников, 21:7 (1987),  1327–1329
  16. Электрические и фотоэлектрические свойства $n^{+}{-}n^{0}{-}n^{+}$-структур на основе GaAs с металлической сеткой в $n^{0}$-области

    Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987),  981–983
  17. Влияние уровня легирования на электрофизические свойства твердого раствора Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As : Si

    Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987),  754–756
  18. $N$-образная вольтамперная характеристика при электропоглощении в двойной гетероструктуре

    Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987),  703–706
  19. Механизм $S$-образной ВАХ в многослойной изотипной GaAs$-$AlGaAs-гетероструктуре

    Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987),  494–499
  20. Анализ нестационарных явлений в объеме реактора в процессе выращивания Al$-$Ga$-$As структур с резкими гетеропереходами МОС гидридным методом

    ЖТФ, 56:2 (1986),  361–366
  21. Непрерывные одночастотные инжекционные гетеролазеры $Ga\,Al\,As$, полученные гибридной технологией с использованием методов газофазной и жидкофазной эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 12:10 (1986),  577–582
  22. Исследование факторов, определяющих однородность толщины эпитаксиальных слоев арсенида галлия в системе $Ga(CH_{3})_{3}-As\,H_{3}-H_{2}$

    Письма в ЖТФ, 12:8 (1986),  506–509
  23. Арсенид-галлиевый вертикальный полевой транзистор со скрытым затвором

    Письма в ЖТФ, 12:3 (1986),  183–186
  24. Исследование вертикальных полевых фототранзисторов на основе GaAs. Механизм усиления и кинетика фототока

    Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985),  1731–1735
  25. Вертикальное фотосопротивление на основе $n^0-Ga\,As$

    Письма в ЖТФ, 11:13 (1985),  800–803
  26. Исследование многослойных $Ga\,As-Al\,Ga\,As$ структур на наклонных сечениях, изготовленных химическим травлением

    Письма в ЖТФ, 11:1 (1985),  21–24
  27. Электрофизические характеристики метастабильных твердых растворов (Ge$_{2}$)$_{x}$(GaAs)$_{1-x}$ и влияние на них термообработки

    Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984),  1438–1445
  28. Интенсивность спектра фотолюминесценции и времена испускания оптических фононов в кристаллах GaAs и гетероструктурах GaAs$-$GaAlAs

    Физика твердого тела, 25:1 (1983),  104–109

© МИАН, 2026