Табаров Т С

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние механизмов токопрохождения на эффективность фотодиодов Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs
   
   Письма в ЖТФ, 44:22 (2018),  33–41
2. Исследования планарных фотосопротивлений на основе InGaAs/InP со скрытым $p^{+}$-затвором
   
   Физика и техника полупроводников, 24:11 (1990),  1969–1972
3. Электрические и оптические эффекты при резонансном туннелировании в (Al, Ga)As$-$GaAs-гетероструктурах с двойным барьером
   
   Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990),  361–363
4. Электрические и фотоэлектрические свойства $n^{+}{-}n^{0}{-}n^{+}$-структур на основе GaAs с металлической сеткой в $n^{0}$-области
   
   Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987),  981–983
5. Арсенид-галлиевый вертикальный полевой транзистор со скрытым затвором
   
   Письма в ЖТФ, 12:3 (1986),  183–186
6. Исследование вертикальных полевых фототранзисторов на основе GaAs. Механизм усиления и кинетика фототока
   
   Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985),  1731–1735
7. Вертикальное фотосопротивление на основе $n^0-Ga\,As$
   
   Письма в ЖТФ, 11:13 (1985),  800–803
8. Высокочувствительный вертикальный полевой фототранзистор на основе $Ga\,As$
   
   Письма в ЖТФ, 11:2 (1985),  89–93
9. Арсенидгаллиевые полевые транзисторы с управляющим $p{-}n$ переходом
   
   ЖТФ, 54:4 (1984),  859–862
10. Фототранзистор на основе $N{-}p{-}N$ гетероструктур InP-InGaAsP
    
    Письма в ЖТФ, 10:21 (1984),  1294–1297
11. Высокоэффективный фотодетектор для ультрафиолетового излучения
    
    Письма в ЖТФ, 9:24 (1983),  1516–1519