Кутасов Всеволод Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Структура зоны проводимости теллурида висмута по данным оптического поглощения
   
   Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017),  873–876
2. Морфология поверхности и рамановская спектроскопия тонких слоев халькогенидов висмута и сурьмы
   
   Физика твердого тела, 58:7 (2016),  1390–1397
3. Поверхностные состояния носителей заряда в эпитаксиальных пленках топологического изолятора Bi$_2$Te$_3$
   
   Физика твердого тела, 56:5 (2014),  907–913
4. Термоэлектрические свойства твердых растворов $n$-Bi$_2$Te$_{3-x-y}$Se$_x$S$_y$ при высоком давлении
   
   Физика твердого тела, 56:2 (2014),  263–269
5. Ширина запрещенной зоны и тип оптических переходов на пороге межзонного поглощения в твердых растворах на основе теллурида висмута
   
   Физика твердого тела, 54:11 (2012),  2051–2057
6. Термоэлектрические свойства твердых растворов $p$-Bi$_{2-x}$Sb$_x$Te$_3$ под давлением
   
   Физика твердого тела, 54:2 (2012),  246–251
7. Термоэлектрические материалы для температур ниже 150 K
   
   Письма в ЖТФ, 18:16 (1992),  79–82
8. Кинетические явления в твердом растворе Bi$_{2-x}$In$_{x}$Te$_{2.85}$Se$_{0.15}$
   
   Физика твердого тела, 33:12 (1991),  3539–3545
9. Электрофизические параметры эпитаксиальных пленок $n$-Bi$_{2}$Te$_{3}$
   
   Физика твердого тела, 33:11 (1991),  3414–3419
10. Зависимость анизотропии термоэдс пленок PbTe от проводимости приповерхностного слоя
    
    Физика и техника полупроводников, 25:7 (1991),  1246–1248
11. Подвижность дырок в концентрационно-неоднородных поликристаллических пленках $p$-Bi$_{2}$Te$_{3}$
    
    Физика твердого тела, 32:12 (1990),  3545–3549
12. Термоэлектрические свойства твердых растворов Bi$_{2}$Te$_{3-x-y}$Se$_{x}$S$_{y}$ с учетом эффективного параметра рассеяния
    
    Физика твердого тела, 32:11 (1990),  3350–3354
13. Анизотропия рассеяния носителей заряда в твердых растворах Bi$_{2}$Te$_{3-x}$Se$_{x}$ и Bi$_{2-y}$In$_{y}$Te$_{3}$
    
    Физика твердого тела, 32:2 (1990),  488–492
14. Влияние эффективного параметра рассеяния на массу плотности состояний и подвижность в твердых растворах на основе халькогенидов висмута и сурьмы
    
    Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989),  652–656
15. Электрофизические свойства пленок A$_{2}^{\text{V}}$B$^{\text{VI}}_{3}$, приготовленных методом катодного распыления
    
    Физика твердого тела, 30:11 (1988),  3413–3416
16. Зависимость коэффициента термоэдс пленок PbTe от электронных процессов на свободной поверхности
    
    Физика твердого тела, 29:12 (1987),  3688–3691
17. Анизотропия свойств монокристаллов Bi$_{2}$Te$_{3-x}$Se$_{x}$
    
    Физика твердого тела, 29:10 (1987),  3008–3011
18. Отношения компонентов тензора эффективных масс плотности состояний и параметр вырождения в твердых растворах на основе Bi$_{2}$Te$_{3}$
    
    Физика твердого тела, 29:10 (1987),  2966–2969
19. Зависимость электрофизических свойств пленок $p$-PbTe от зарядового состояния межкристаллитных прослоек
    
    Физика твердого тела, 29:5 (1987),  1604–1606
20. Теплопроводность твердых растворов на основе теллурида висмута
    
    Физика твердого тела, 28:7 (1986),  2218–2221
21. Концентрационная зависимость параметра анизотропии в $n$-Bi$_{2}$Te$_{3}$ и твердых растворах на его основе
    
    Физика твердого тела, 28:3 (1986),  899–902
22. Изменения электрофизических свойств пленок теллурида свинца, обусловленные реиспарением халькогена со свободной поверхности
    
    Физика твердого тела, 28:1 (1986),  297–300
23. Изменение электрофизических свойств пленок теллурида свинца при образовании области пространственного заряда у свободной поверхности
    
    Физика твердого тела, 27:11 (1985),  3473–3476
24. Природа тензорезистивного эффекта в пленках (Bi, Sb)$_{2}$(Te, Se)$_{3}$
    
    Физика твердого тела, 27:7 (1985),  2168–2169
25. Механизмы рассеяния и температурная зависимость эффективной массы электронов в твердых растворах на основе теллурида висмута
    
    Физика твердого тела, 27:2 (1985),  542–545
26. Зависимость электрофизических свойств пленок теллурида свинца от процессов, протекающих на свободной поверхности
    
    Физика твердого тела, 26:11 (1984),  3316–3319
27. Теплопроводность поликристаллических пленок Bi$_{0.5}$Sb$_{1.5}$Те$_{3}$, содержащих включения аморфной фазы
    
    Физика твердого тела, 26:9 (1984),  2702–2705
28. Зависимость эффективного параметра рассеяния от концентрации носителей заряда в твердых растворах на основе теллурида висмута
    
    Физика твердого тела, 26:8 (1984),  2501–2504
29. Влияние структуры на тензорезистивный эффект в пленках Bi$_{0.5}$Sb$_{1.5}$Te$_{3}$
    
    Физика твердого тела, 26:1 (1984),  284–286
30. Электрофизические свойства поликристаллических пленок теллурида свинца
    
    Физика твердого тела, 25:11 (1983),  3489–3491
31. Влияние приграничных слоев на электрофизические свойства тонких пленок теллурида свинца
    
    Физика твердого тела, 25:10 (1983),  2984–2987
32. Влияние адсорбированного кислорода на электрофизические свойства пленок РbТе
    
    Физика твердого тела, 25:4 (1983),  1248–1251
33. Теплопроводность пленок Pb$_{0.85}$Sn$_{0.15}$Se, сконденсированных при различных температурах
    
    Физика твердого тела, 25:1 (1983),  263–265