Гусейнова Дилара Ашраф кызы

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Фотопорог слоистого кристалла $\alpha$-GeS: расчет из первых принципов
   
   Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  699–701
2. Расчет из первых принципов фотопорога слоистого кристалла $\beta$-GaS
   
   Физика твердого тела, 58:9 (2016),  1707–1708
3. Фазовый переход второго рода в орторомбическом кристалле SnS под давлением
   
   Физика твердого тела, 57:2 (2015),  358–360
4. Влияние давления на фононные спектры и упругие свойства орторомбического GeSe
   
   Физика твердого тела, 56:4 (2014),  731–734
5. Ab initio расчет колебательных спектров орторомбических слоистых кристаллов типа $A^4B^6$
   
   Физика твердого тела, 55:9 (2013),  1691–1696
6. Поляризационные и деформационные особенности края фундаментального поглощения GeS
   
   Физика твердого тела, 32:11 (1990),  3301–3305
7. Распределение заряда и химическая связь в селениде германия
   
   Физика твердого тела, 31:3 (1989),  21–24
8. Деформационные потенциалы краев зон слоистых полупроводниковых соединений A$^{\text{IV}}$B$^{\text{VI}}$
   
   Физика и техника полупроводников, 21:9 (1987),  1732–1734
9. Распределение плотности валентных электронов в GeSe
   
   Физика твердого тела, 28:1 (1986),  275–277
10. Зонные представления пространственной группы слоистых кристаллов А$^{4}$В$^{6}$
    
    Физика твердого тела, 27:7 (1985),  2098–2100
11. Непрямой экситон в селениде германия
    
    Физика и техника полупроводников, 19:11 (1985),  2059–2061
12. Спектры поглощения SnSe вблизи прямого края
    
    Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985),  1501–1503
13. Зависимость края поглощения SnSe от гидростатического давления
    
    Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985),  282–285
14. Экситонный край поглощения монокристаллов GeSe
    
    Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983),  738–740