Жиляев Юрий Васильевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Локальные термоэлектрические эффекты в широкозонных полупроводниках
   
   Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017),  921–924
2. Спектры поглощения объемных кристаллов нитрида алюминия, легированных ионами Er$^{3+}$
   
   Письма в ЖТФ, 42:3 (2016),  91–96
3. Влияние поверхностно-активных веществ на эпитаксиальный рост нитрида галлия, выращенного из газовой фазы в системе Ga–HCl–NH$_3$–H$_2$–Ar
   
   Письма в ЖТФ, 41:10 (2015),  29–34
4. Механизм формирования контактного сопротивления к A$^3$N гетероструктурам с высокой плотностью дислокаций
   
   Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1191–1195
5. Арсенид-галлиевые $p$–$i$–$n$-структуры для детекторов рентгеновского излучения на германиевых и арсенид-галлиевых подложках
   
   Письма в ЖТФ, 38:9 (2012),  1–7
6. Эпитаксия нитрида галлия в полуполярном направлении на кремнии
   
   Письма в ЖТФ, 38:1 (2012),  21–26
7. Генерирование широкополосного гауссовского случайного сигнала
   
   Письма в ЖТФ, 36:15 (2010),  102–110
8. Нитрид алюминия на кремнии: роль промежуточного SiC слоя и технологии хлоридной газофазной эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 36:11 (2010),  17–23
9. Рост слоев нитрида галлия методом хлоридной газофазной эпитаксии при пониженной температуре источника
   
   Письма в ЖТФ, 36:9 (2010),  11–16
10. Экспериментальное наблюдение дырок в $n$-GaAs, высвободившихся в результате оже-распада локализованных состояний
    
    Физика и техника полупроводников, 25:4 (1991),  713–717
11. Эпитаксиальные слои GaAs с фоновым акцепторным легированием
    
    Письма в ЖТФ, 17:2 (1991),  28–32
12. Резонансная экситонная люминесценция GaAs: переход от поляритонной модели к модели независимых экситонов и фотонов
    
    Физика твердого тела, 32:6 (1990),  1801–1805
13. Нестехиометрия состава в пленках GaAs, выращенных методом газофазной эпитаксии
    
    ЖТФ, 60:11 (1990),  201–203
14. Анализ состава газовой фазы в зоне источника методом УФ поглощения при выращивании GaAs в хлоридной газотранспортной системе
    
    ЖТФ, 60:7 (1990),  143–150
15. Влияние обмена подложки с газовой фазой на кристаллизацию из газотранспортной системы
    
    ЖТФ, 60:3 (1990),  90–96
16. Низкотемпературная фотолюминесценция эпитаксиальных пленок фосфида галлия, выращенных на кремниевых подложках
    
    Физика и техника полупроводников, 24:7 (1990),  1303–1305
17. Перезахват неосновных носителей в условиях фотоионизации в эпитаксиальном $n$-GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990),  82–92
18. Оптимизация режима роста арсенида галлия в хлоридной газотранспортной системе
    
    Письма в ЖТФ, 16:24 (1990),  77–82
19. Математическое моделирование процессов в хлоридных газотранспортных реакторах
    
    ЖТФ, 58:6 (1988),  1229–1233
20. Использование спектров поляритонной люминесценции для характеристики качества кристаллов GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988),  1885–1888
21. Исследование субнаносекундного включения арсенид-галлиевых тиристорных структур
    
    Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1134–1137
22. Визуализация процесса субнаносекундного переключения арсенидгаллиевых диодных структур
    
    Письма в ЖТФ, 14:16 (1988),  1526–1530
23. Высоковольтные арсенидгалиевые силовые диоды большой площади
    
    Письма в ЖТФ, 14:13 (1988),  1153–1156
24. Доминирующие рекомбинационные центры в слоях $n$-GaAs, полученных осаждением из газовой фазы
    
    Письма в ЖТФ, 14:2 (1988),  181–185
25. Фотоэлектрическая лазерная магнитоспектроскопия мелких доноров в высокочистом GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987),  1771–1777
26. Распространение включенного состояния в арсенид-галлиевых тиристорах
    
    Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987),  129–133
27. Поляритонная люминесценция GaAs
    
    Физика твердого тела, 28:9 (1986),  2688–2695
28. Влияние интенсивности возбуждения на люминесценцию поляритонов в арсениде галлия
    
    Физика твердого тела, 28:1 (1986),  201–207
29. Сравнительное исследование процесса включения арсенидгаллиевых и кремниевых тиристоров
    
    ЖТФ, 56:7 (1986),  1343–1347
30. Субнаносекундное включение арсенидгаллиевых тиристоров
    
    Письма в ЖТФ, 12:15 (1986),  925–928
31. Распространение включенного состояния в GaAs тиристорах большой площади
    
    Письма в ЖТФ, 10:23 (1984),  1430–1433
32. Сильноточный быстродействующий коммутатор на основе GaAs динисторной структуры
    
    Письма в ЖТФ, 10:7 (1984),  385–388
33. Основные параметры включения арсенид-галлиевых тиристоров
    
    ЖТФ, 53:3 (1983),  573–575
34. Распространение включенного состояния в арсенидгаллиевых тиристорах
    
    Письма в ЖТФ, 9:9 (1983),  546–549
35. Силовые диоды с барьером Шоттки на арсениде галлия
    
    Письма в ЖТФ, 9:7 (1983),  414–417