RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Дубровский Владимир Германович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Влияние увеличения радиуса гетероструктуры на профиль гетероперехода IIIV$_x$V$_{1-x}$ нитевидных нанокристаллов

    Письма в ЖТФ, 52:3 (2026),  41–44
  2. Моделирование состава Au-каталитических InP$_x$As$_{1-x}$ и InSb$_x$As$_{1-x}$ нитевидных нанокристаллов

    Письма в ЖТФ, 52:2 (2026),  47–50
  3. Влияние поверхностной энергии на рост и состав In$_x$Ga$_{1-x}$As нитевидных нанокристаллов

    Письма в ЖТФ, 50:2 (2024),  6–9
  4. Кинетика роста наномембран полупроводниковых соединений III–V с учетом потока реэмиссии

    Письма в ЖТФ, 49:13 (2023),  25–27
  5. Лимитирующие факторы скорости роста при эпитаксии полупроводниковых соединений III–V

    Письма в ЖТФ, 49:8 (2023),  39–41
  6. Моделирование роста заостренных нитевидных нанокристаллов на маскированных подложках

    Письма в ЖТФ, 48:23 (2022),  14–17
  7. Критерий селективного роста III–V и III–N нитевидных нанокристаллов на маскированных подложках

    Письма в ЖТФ, 48:22 (2022),  7–10
  8. Кинетика радиального роста нитевидных нанокристаллов полупроводниковых соединений III–V при газофазной эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 48:20 (2022),  35–38
  9. Моделирование профиля состава осевой гетероструктуры InSb/GaInSb/InSb в нитевидных нанокристаллах

    Письма в ЖТФ, 48:19 (2022),  20–23
  10. Формирование наноструктур Au/Si методом токовой литографии в сканирующем туннельном микроскопе

    Письма в ЖТФ, 48:12 (2022),  15–18
  11. Роль эффекта затенения в кинетике роста III–V нитевидных нанокристаллов методом молекулярно-пучковой эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 48:11 (2022),  12–15
  12. Асимптотическая стадия роста автокаталитических III–V нитевидных нанокристаллов методом молекулярно-пучковой эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 48:3 (2022),  17–20
  13. Изменение формы наноостровка при селективной эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 47:14 (2021),  43–46
  14. Направление диффузионного потока галлия при осаждении на поверхность с регулярными массивами отверстий

    Письма в ЖТФ, 47:12 (2021),  27–30
  15. Зависимость скорости роста и структуры III–V нитевидных нанокристаллов от площади сбора адатомов на поверхности подложки

    Письма в ЖТФ, 47:9 (2021),  37–40
  16. MBE-grown In$_x$ Ga$_{1-x}$ As nanowires with 50% composition

    Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020),  542
  17. Кинетика роста планарных нитевидных нанокристаллов

    Письма в ЖТФ, 46:20 (2020),  15–18
  18. Свободная энергия образования зародыша при росте III–V нитевидного нанокристалла

    Письма в ЖТФ, 46:18 (2020),  3–6
  19. Лимитирующие режимы роста III–V нитевидных нанокристаллов

    Письма в ЖТФ, 46:17 (2020),  26–29
  20. Кинетика роста зародыша из нанофазы

    Письма в ЖТФ, 46:8 (2020),  3–6
  21. Влияние упругих напряжений на формирование осевых гетеропереходов в трехкомпонентных нитевидных нанокристаллах A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$

    Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2437–2441
  22. Неоднородное распределение легирующей примеси в A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ нитевидных нанокристаллах

    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1480–1483
  23. Дисперсия масштабно-инвариантных функций распределения по размерам

    Письма в ЖТФ, 43:9 (2017),  3–9
  24. Новый метод формирования гетеропереходов в A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ нитевидных нанокристаллах

    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1592–1594
  25. Время инкубации гетерогенного роста островков в режиме неполной конденсации

    Письма в ЖТФ, 42:22 (2016),  9–15
  26. Начальный этап автокаталитического роста нитевидных нанокристаллов GaAs

    Письма в ЖТФ, 42:15 (2016),  95–102
  27. Функция распределения полупроводниковых нитевидных нанокристаллов по длине

    Письма в ЖТФ, 42:13 (2016),  44–50
  28. Модель формирования осевых гетероструктур в III–V нитевидных нанокристаллах

    Письма в ЖТФ, 42:6 (2016),  104–110
  29. Модель селективного роста III–V нитевидных нанокристаллов

    Письма в ЖТФ, 41:23 (2015),  49–53
  30. Самосогласованная перенормировка в теории двумерной бинарной нуклеации в тройных растворах

    Письма в ЖТФ, 41:18 (2015),  102–110
  31. Масштабная инвариантность континуального распределения по размерам при необратимом росте поверхностных островков

    Письма в ЖТФ, 41:11 (2015),  23–29
  32. Скейлинг-функции распределения гетерогенных кластеров по размерам в линейной модели коэффициентов захвата

    Письма в ЖТФ, 41:5 (2015),  74–83
  33. Теория нуклеации и политипизм III–V нитевидных нанокристаллов

    Письма в ЖТФ, 41:4 (2015),  102–110
  34. Начальная стадия роста самоиндуцированных нитевидных нанокристаллов GaN

    Письма в ЖТФ, 40:11 (2014),  45–52
  35. Моделирование роста и формы нитевидных нанокристаллов в отсутствие катализатора

    Письма в ЖТФ, 40:9 (2014),  55–63
  36. О распределении Пойа и его асимптотике в теории нуклеации

    Письма в ЖТФ, 40:4 (2014),  79–86
  37. Ultra-low density InAs quantum dots

    Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013),  1335–1338
  38. Радиальный рост и форма полупроводниковых нитевидных нанокристаллов

    Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  53–59
  39. Моделирование формирования InAs квантовых точек на боковой поверхности GaAs нитевидных нанокристаллов

    Письма в ЖТФ, 39:23 (2013),  39–50
  40. Уточнение формул Вагнера–Эллиса для минимального радиуса и Гиваргизова–Чернова для скорости роста нитевидного нанокристалла

    Письма в ЖТФ, 39:3 (2013),  33–40
  41. Моделирование роста GaN нитевидных нанокристаллов на кремнии

    Письма в ЖТФ, 39:2 (2013),  61–67
  42. Влияние диффузии с боковой поверхности на скорость роста нитевидных нанокристаллов GaN

    Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012),  857–860
  43. Формирование (Ga,Mn)As нитевидных нанокристаллов и изучение их магнитных свойств

    Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012),  188–193
  44. Исследование процессов формирования самоупорядоченных квантовых точек на основе (In,Mn)As

    Письма в ЖТФ, 38:10 (2012),  21–27
  45. Расчет функции распределения GaAs полупроводниковых наноигл по размерам

    Письма в ЖТФ, 38:8 (2012),  10–16
  46. О поверхностных энергиях и модах каталитического роста полупроводниковых нитевидных нанокристаллов

    Письма в ЖТФ, 38:7 (2012),  21–30
  47. Смачивающий режим роста полупроводниковых нитевидных нанокристаллов: устойчивость и форма капли

    Письма в ЖТФ, 38:5 (2012),  41–48
  48. Рост полупроводниковых нитевидных нанокристаллов при больших диффузионных длинах

    Письма в ЖТФ, 38:4 (2012),  18–25
  49. Самосогласованная модель роста и кристаллической структуры нитевидных нанокристаллов с учетом диффузии адатомов

    ЖТФ, 81:2 (2011),  153–156
  50. Исследование процессов самокаталитического роста GaAs нитевидных кристаллов на модифицированных поверхностях Si(111), полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011),  441–445
  51. Влияние вицинальности поверхности на нуклеацию наноостровков в решеточно-рассогласованных системах

    Письма в ЖТФ, 37:17 (2011),  18–25
  52. Численный анализ влияния флуктуаций на рост зародышей при фазовых переходах первого рода

    Письма в ЖТФ, 37:13 (2011),  14–23
  53. Поверхностная энергия образования монослоя при росте нитевидного нанокристалла по механизму “пар–жидкость–кристалл”

    Письма в ЖТФ, 37:9 (2011),  75–82
  54. О расплывании функции распределения по размерам островков в теории нуклеации

    Письма в ЖТФ, 37:6 (2011),  78–87
  55. Физические следствия эквивалентности условий стационарного роста нитевидных нанокристаллов и нуклеации на тройной линии

    Письма в ЖТФ, 37:2 (2011),  1–11
  56. Начальный этап роста нитевидных нанокристаллов

    Физика и техника полупроводников, 44:1 (2010),  114–117
  57. Критерий наступления стадии оствальдовского созревания с учетом флуктуаций числа частиц в зародыше

    Письма в ЖТФ, 36:5 (2010),  53–61
  58. О новых микроскопических моделях кинетики кластеризации

    Прикл. мех. техн. физ., 31:1 (1990),  3–9

© МИАН, 2026