Вендик Орест Генрихович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Усилитель мощности $X$-диапазона с высоким КПД на основе технологии AlGaN/GaN
   
   Письма в ЖТФ, 43:17 (2017),  20–26
2. Моделирование распространения электромагнитных волн по поверхности человеческого тела
   
   ЖТФ, 86:12 (2016),  1–11
3. Беспроводной мониторинг параметров состояния биологических объектов в микроволновом диапазоне (Обзор)
   
   ЖТФ, 86:1 (2016),  3–26
4. Микроволновые усилители мощности на AlGaN/GaN-транзисторах с двумерным электронным газом
   
   Письма в ЖТФ, 42:21 (2016),  1–8
5. Распространение электромагнитных волн в биологической среде: преломление на границе раздела
   
   Письма в ЖТФ, 41:6 (2015),  26–33
6. Фазированная антенная решетка с управляемой формой диаграммы направленности
   
   ЖТФ, 83:10 (2013),  117–121
7. Метаматериалы и их применение в технике сверхвысоких частот (Обзор)
   
   ЖТФ, 83:1 (2013),  3–28
8. Перестраиваемые СВЧ-фильтры с управляемыми сегнетоэлектрическими конденсаторами
   
   Письма в ЖТФ, 39:18 (2013),  87–94
9. Влияние мощности СВЧ сигнала на управляемость сегнетоэлектрического фазовращателя
   
   ЖТФ, 81:10 (2011),  55–59
10. Особенности технологии пленок высокотемпературных сверхпроводников для СВЧ-фильтров
    
    Письма в ЖТФ, 37:9 (2011),  64–69
11. Напряженность магнитного поля в ближней зоне рамочной антенны для систем радиочастотной идентификации
    
    Письма в ЖТФ, 36:19 (2010),  16–22
12. Моделирование и экспериментальное исследование микрополосковых резонаторов и фильтра на основе высокотемпературного сверхпроводника
    
    Письма в ЖТФ, 36:18 (2010),  67–74
13. Фазовращатель на пленке сверхпроводника, управляемый изменением температуры
    
    Письма в ЖТФ, 18:17 (1992),  34–39
14. Особенности применения метода ВИМС для исследования диэлектриков: заряд на поверхности образца в одномерной модели
    
    ЖТФ, 60:5 (1990),  136–141
15. Глубина проникновения электромагнитного поля в сверхпроводниковые пленки нитрида ниобия
    
    ЖТФ, 60:5 (1990),  124–128
16. Волноводный выключатель миллиметрового диапазона на основе сверхпроводниковой пленки
    
    Письма в ЖТФ, 16:13 (1990),  79–82
17. Корреляция между структурным совершенством сегнетоэлектрических гетероэпитаксиальных пленок и СВЧ диэлектрическими потерями в них
    
    ЖТФ, 59:9 (1989),  173–176
18. О высокочастотном поверхностном сопротивлении гранулированного сверхпроводника за порогом перколяции
    
    ЖТФ, 59:1 (1989),  107–112
19. Остаточное сопротивление в феноменологической модели ВТСП
    
    Письма в ЖТФ, 15:8 (1989),  72–77
20. СВЧ поверхностное сопротивление сверхпроводящих пленок Y$-$Ba$-$Cu$-$O
    
    Письма в ЖТФ, 15:7 (1989),  69–72
21. Поверхностное сопротивление сверхпроводниковых пленок NbN
    
    Физика твердого тела, 30:11 (1988),  3344–3349
22. Влияние теплоотвода на процесс образования нормальной области в широких пленках нитрида ниобия под действием тока
    
    ЖТФ, 58:6 (1988),  1198–1200
23. Поверхностное сопротивление монокристаллической пленки Ho$_{1}$Ba$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-\delta}$ на частоте 60 ГГц
    
    Письма в ЖТФ, 14:24 (1988),  2209–2210
24. Влияние постоянного магнитного поля на ВЧ поверхностное сопротивление керамики Y$_{1}$Ba$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-\delta}$
    
    Письма в ЖТФ, 14:21 (1988),  2001–2004
25. Феноменологическая модель биполярного сверхпроводника
    
    Письма в ЖТФ, 14:12 (1988),  1098–1102
26. Поверхностный импеданс сверхпроводниковых пленок Nb$-$Ge
    
    Физика твердого тела, 29:10 (1987),  2953–2958
27. Влияние пленки сверхпроводника, помещенной в прямоугольный волновод, на условия распространения в нем основной моды
    
    ЖТФ, 57:10 (1987),  2026–2029
28. Экспериментальное исследование сверхпроводниковых микрополосковых СВЧ линий
    
    ЖТФ, 57:10 (1987),  1930–1935
29. Корректировка ошибки по полю зрения электронно-зондового прибора в режиме измерения потенциала на поверхности твердого тела
    
    ЖТФ, 57:7 (1987),  1453–1455
30. Тепловая модель развития нормальной области в сверхпроводящей пленке с током
    
    ЖТФ, 57:4 (1987),  663–668
31. Поверхностное сопротивление сверхпроводниковой керамики Ва(Рb, Вi)O$_{3}$
    
    ЖТФ, 56:2 (1986),  389–391
32. Изменение параметров микрополосковой линии при ее переключении из сверхпроводящего в нормальнопроводящее состояние
    
    ЖТФ, 56:1 (1986),  173–177
33. Электрическая нелинейность пленочного криотрона с лазерным управлением
    
    ЖТФ, 56:1 (1986),  167–172
34. Граничное условие для динамической поляризации в сегнетоэлектрике
    
    Физика твердого тела, 27:9 (1985),  2769–2771
35. Исследование ударной ионизации в монокристаллическом кремнии при $T$=4.2 K
    
    Физика твердого тела, 27:3 (1985),  931–932
36. Время разрушения сверхпроводимости импульсным током в широких пленках ниобия
    
    Письма в ЖТФ, 11:2 (1985),  69–72
37. Размерные эффекты динамической поляризации в тонких слоях сегнетоэлектриков типа смещения
    
    Физика твердого тела, 26:10 (1984),  3094–3100
38. Гистерезис диэлектрической проницаемости титаната стронция при 4.2 K
    
    Физика твердого тела, 26:3 (1984),  684–689
39. Сверхпроводниковый LC-контур на основе пленки ниобия
    
    ЖТФ, 54:10 (1984),  2070–2072
40. Электронографическое исследование температурной зависимости параметра порядка в титанате стронция
    
    ЖТФ, 54:9 (1984),  1837–1839
41. Применение дифференциального оператора нелокальной связи тока и поля к расчету поверхностного импеданса сверхпроводников и нормальных металлов
    
    ЖТФ, 54:8 (1984),  1494–1503
42. Экранирование статического магнитного поля полым сверхпроводящим цилиндром при учете нелокальной связи между полем и током
    
    ЖТФ, 54:7 (1984),  1355–1357
43. Исследование структуры, состава и морфологии монокристаллических пленок сегнетоэлектриков со структурой перовскита
    
    ЖТФ, 54:4 (1984),  772–777
44. Вклад различных видов потерь в полное затухание сверхнаправленного излучателя
    
    ЖТФ, 53:3 (1983),  558–561
45. Возможное уменьшение габаритов сверхнаправленного излучателя при использовании сверхпроводимости
    
    ЖТФ, 53:3 (1983),  556–558
46. О максимальном значении основного параметра сквида, работающего в безгистерезисном режиме с СВЧ накачкой
    
    Письма в ЖТФ, 9:16 (1983),  1007–1010
47. Применение монокристаллов титаната стронция для контроля уровня жидкого гелия в сильных магнитных полях
    
    Письма в ЖТФ, 9:16 (1983),  1005–1007
48. Сегнетоэлектрические пленки (динамика мягкой моды, применение в технике СВЧ)
    
    УФН, 132:4 (1980),  698–700


49. Электроника и приборы для научных работников
    
    УФН, 145:1 (1985),  180–181