Сорокин Лев Михайлович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Структурное состояние InSb в композитном материале InSb/опал по данным просвечивающей электронной микроскопии
   
   Физика и техника полупроводников, 58:2 (2024),  93–95
2. Дислокационная структура темплейтов AlN/SiC, выращенных методом сублимации
   
   Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023),  648–651
3. Влияние морфологии буферного слоя AlN на структурное качество полуполярного слоя GaN, выращенного на подложке Si(001), по данным просвечивающей электронной микроскопии
   
   Письма в ЖТФ, 48:5 (2022),  51–54
4. Структурная характеризация короткопериодной сверхрешетки на основе гетероструктуры CdF$_{2}$/CaF$_{2}$/Si(111) методами просвечивающей электронной микроскопии и рентгеновской дифрактометрии
   
   Письма в ЖТФ, 47:15 (2021),  3–6
5. Исследование структурных особенностей дентина методами микротомографии и просвечивающей электронной микроскопии
   
   ЖТФ, 90:9 (2020),  1449–1461
6. ПЭМ-исследование многослойных буферных структур AlN–AlGaN–GaN на кремниевых подложках
   
   Письма в ЖТФ, 46:19 (2020),  50–54
7. Повышение эффективности фильтрации прорастающих дислокаций в темплейтах AlN/$c$-Al$_{2}$O$_{3}$ с фасетированной морфологией поверхности во время их роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 46:11 (2020),  26–30
8. Дислокационные реакции в полуполярном слое GaN, выращенном на вицинальной подложке Si(001) с использованием буферных слоев AlN и 3$C$-SiC
   
   Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2317–2321
9. Изучение микроструктуры кристаллов Si, подвергнутых облучению быстрыми Н$^{+}$-ионами и термообработке, методами высокоразрешающей трехкристальной рентгеновской дифрактометрии и электронной просвечивающей микроскопии
   
   Физика твердого тела, 61:10 (2019),  1754–1762
10. Об изменении реальной структуры кристаллов кремния, имплантированных ионами водорода, при их отжиге по данным трехкристальной рентгеновской дифрактометрии
    
    Физика твердого тела, 61:8 (2019),  1437–1442
11. Электрические и магнитные свойства нанонитей Pb и In в асбесте в области сверхпроводящего перехода
    
    Физика твердого тела, 60:10 (2018),  1893–1899
12. Асимметрия дефектной структуры полуполярного GaN, выращенного на Si(001)
    
    Письма в ЖТФ, 44:20 (2018),  53–61
13. Проявление размерных эффектов в электрических и магнитных свойствах квазиодномерных нитей олова в асбесте
    
    Физика твердого тела, 58:3 (2016),  443–450
14. Развитие модели спинодального распада на примере гетероструктуры на основе политипов карбида кремния
    
    Письма в ЖТФ, 42:23 (2016),  66–71
15. Оптические свойства наночастиц металлов в каналах хризотила
    
    Письма в ЖТФ, 42:12 (2016),  96–102
16. Рост и структура слоев GaN, выращенных на SiC, синтезированном на подложке Si методом замещения атомов: модель образования V-дефектов при росте GaN
    
    Физика твердого тела, 57:9 (2015),  1850–1858
17. Получение квазисверхрешеток на границе эпитаксиального слоя 3C-SiC и подложек гексагональных политипов SiC методом сублимационной эпитаксии в вакууме
    
    Письма в ЖТФ, 41:23 (2015),  89–94
18. Электронно-микроскопическое исследование нанокомпозита Sn–хризотиловый асбест
    
    Письма в ЖТФ, 40:7 (2014),  42–48
19. Особенности структурных и оптических свойств пористого кремния, полученного в $p^+$-эпитаксиальном слое на $n$-Si(111)
    
    ЖТФ, 83:3 (2013),  96–100
20. Исследование переходного слоя в гетероструктурах 3C-SiH/6H-SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1554–1558
21. Последовательная структурная характеризация слоев в системе GaN/AlN/SiC/Si(111) методом рентгеновской дифрактометрии после каждой стадии их образования
    
    Письма в ЖТФ, 39:22 (2013),  25–32
22. Низкотемпературные свойства нанокомпозита пористый кремний–индий
    
    Письма в ЖТФ, 38:17 (2012),  24–30
23. Структурная характеризация эпитаксиальных слоев GaN на кремнии: влияние буферных слоев
    
    Письма в ЖТФ, 37:7 (2011),  72–79
24. Особенности вольт-амперных характеристик и температурные зависимости электропроводности слоев пористого кремния
    
    Письма в ЖТФ, 36:24 (2010),  61–68
25. Нитрид алюминия на кремнии: роль промежуточного SiC слоя и технологии хлоридной газофазной эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 36:11 (2010),  17–23
26. Молекулярно-пучковая эпитаксия однодоменного арсенида галлия на (001) кремнии, пассивированном водородом
    
    Письма в ЖТФ, 18:2 (1992),  1–5
27. Механизм микродефектов при выращивании бездислокационных монокристаллов кремния
    
    Физика твердого тела, 33:11 (1991),  3229–3234
28. Коэситная природа стержнеобразных дефектов в выращенном по Чохральскому и отожженном кремнии
    
    Физика твердого тела, 32:12 (1990),  3659–3667
29. Кинетика распада твердого раствора фосфора в диффузионных слоях кремния
    
    Физика твердого тела, 31:10 (1989),  182–188
30. Механизмы релаксации напряжений несоответствия в гетероструктурах In$_{1-x}$Ga$_{x}$As$_{1-y}$Sb$_{y}$/GaSb (${x\sim0.1}$, ${y\sim0.2}$)
    
    Физика твердого тела, 31:8 (1989),  158–163
31. Зарождение низкотемпературной фазы $D_{4h}$ на дислокациях в приповерхностном слое SrTiO$_{3}$
    
    Физика твердого тела, 30:7 (1988),  2066–2070
32. Поля напряжений и дифракционный контраст стержнеобразных дефектов в кремнии
    
    Физика твердого тела, 30:7 (1988),  2040–2045
33. Влияние нейтронного облучения на структурные дефекты в бестигельном кремнии
    
    ЖТФ, 58:8 (1988),  1591–1593
34. Рентгендифрактометрическая оценка структурного совершенства монокристаллов теллурида кадмия
    
    Письма в ЖТФ, 14:15 (1988),  1410–1413
35. Исследование микродефектов $D$-типа в монокристаллах кремния
    
    Физика твердого тела, 29:9 (1987),  2623–2628
36. Исследование $D$-дефектов в кремнии методом рентгеновской топографии
    
    Физика твердого тела, 29:6 (1987),  1858–1861
37. Измерение рассеяния рентгеновских лучей в условиях зеркального отражения в дифференциальном режиме
    
    ЖТФ, 57:7 (1987),  1436–1438
38. Диффузное рассеяние рентгеновских лучей на дефектах в монокристаллах германий-литий
    
    Физика твердого тела, 28:12 (1986),  3734–3736
39. Исследование природы микродефектов в бездислокационных монокристаллах кремния
    
    Физика твердого тела, 28:6 (1986),  1829–1833
40. 60$^{\circ}$ дислокации несоответствия в гетероструктурах типа In$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs (001)
    
    Физика твердого тела, 27:10 (1985),  2960–2964
41. Диффузное рассеяние от стержнеобразных дефектов в кристаллах кремния с кислородом
    
    Физика твердого тела, 27:3 (1985),  673–677
42. Экспериментальное наблюдение динамических эффектов при диффузном рассеянии рентгеновских лучей
    
    Физика твердого тела, 26:11 (1984),  3445–3447
43. Распределение диффузного рассеяния вблизи брэгговских отражений и его особенности при дифракции рентгеновских лучей монокристаллами Ge с примесью As
    
    Физика твердого тела, 26:7 (1984),  2155–2158
44. О дифракционном сдвиге изображения дислокации при $g{\times}b\ne0$ и ${s\ne0}$
    
    Физика твердого тела, 26:2 (1984),  466–470
45. Образование новой фазы при распаде пересыщенного твердого раствора лития в германии
    
    Физика твердого тела, 26:2 (1984),  436–440
46. Измерение локальной толщины кристаллов и получение профилей распределения дефектов по глубине и ионно-легированных слоях кремния методом электронной микроскопии
    
    ЖТФ, 54:7 (1984),  1330–1333
47. Исследование природы геликоидальных дислокаций
    
    Физика твердого тела, 25:11 (1983),  3313–3319
48. Влияние примесной атмосферы около сидячей петли Франка на ее равновесную конфигурацию
    
    Физика твердого тела, 25:7 (1983),  2051–2056