Соломонов Александр Васильевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Характеризация электрофизическими методами монокристаллического алмаза, легированного бором (обзор)
   
   ЖТФ, 93:1 (2023),  5–28
2. Экспериментальное обнаружение резонансного туннелирования в легированной структуре с одиночной квантовой ямой методом адмиттансной спектроскопии
   
   Письма в ЖТФ, 44:24 (2018),  112–119
3. Исследование ионно-имплантированных фоточувствительных кремниевых структур методом электрохимического вольт-фарадного профилирования
   
   Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  324–330
4. Исследование характеристик ультрафиолетовых светодиодов на основе гетероструктур GaN/AlGaN, выращенных методом хлоридно-гидридной эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014),  259–264
5. Наблюдение локализованных центров с аномальным поведением в светоизлучающих гетероструктурах с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN
   
   Физика и техника полупроводников, 44:3 (2010),  352–357
6. Нестационарная емкостная спектроскопия глубоких уровней в полупроводниковых твердых растворах: метод определения функции плотности состояний
   
   Физика и техника полупроводников, 25:12 (1991),  2163–2167
7. Нестационарная емкостная спектроскопия глубоких уровней в твердых растворах: донорный уровень в GaAs$_{1-x}$P$_{x}$
   
   Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989),  64–67
8. Об определении параметров глубоких центров в полупроводниках по спектрам НЕСГУ
   
   Физика и техника полупроводников, 21:9 (1987),  1734–1736
9. Глубокий донорный уровень в твердом растворе $Ga\,As_{1-x}\,P_{x}$
   
   Письма в ЖТФ, 13:14 (1987),  847–848


10. Андрей Георгиевич Забродский, к 75-летию со дня рождения
    
    ЖТФ, 91:6 (2021),  893–894