RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Демин Вячеслав Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Структурные и электрофизические свойства композитных мемристоров на основе матрицы LiNbO$_3$ с разными наногранулами: Co–Fe–B и CoFe

    Физика твердого тела, 65:9 (2023),  1602–1610
  2. Аномальное поведение туннельного магнетосопротивления в нанокомпозитных пленочных структурах (CoFeB)$_x$(LiNbO$_3$)$_{100-x}$/Si ниже порога перколяции: проявления со-туннельных и обменных эффектов

    Письма в ЖЭТФ, 118:1 (2023),  46–54
  3. Влияние эффекта перколяции на резистивные переключения структур на базе нанокомпозита (Co$_{40}$Fe$_{40}$B$_{20}$)$_{x}$(LiNbO$_3$)$_{100-x}$

    Физика твердого тела, 64:11 (2022),  1690–1694
  4. Частотно-кодированное управление проводимостью мемристоров на базе наноразмерных слоев LiNbO$_{3}$ и композита (Co$_{40}$Fe$_{40}$B$_{20}$)$_{x}$(LiNbO$_{3}$)$_{100-x}$ в обучаемых импульсных нейроморфных сетях

    Письма в ЖТФ, 47:13 (2021),  3–7
  5. Мемристоры на основе наноразмерных слоев LiNbO$_{3}$ и композита (Co$_{40}$Fe$_{40}$B$_{20}$)$_{x}$(LiNbO$_{3}$)$_{100-x}$

    Физика твердого тела, 62:9 (2020),  1562–1565
  6. Наномасштабные тепловые эффекты второго порядка в мемристивных структурах на основе поли-$n$-ксилилена

    Письма в ЖЭТФ, 112:6 (2020),  379–386
  7. Свойства мемристивных структур на основе нанокомпозита (Co$_{40}$Fe$_{40}$B$_{20}$)$_{x}$(LiNbO$_{3}$)$_{100-x}$, синтезированных на SiO$_{2}$/Si-подложках

    ЖТФ, 90:2 (2020),  257–263
  8. Квантование проводимости в мемристивных структурах на основе поли-п-ксилилена

    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  913–917
  9. Мемристоры на основе поли-$n$-ксилилена с внедренными наночастицами серебра

    Письма в ЖТФ, 46:2 (2020),  25–28
  10. Мемристоры на основе полипараксилилена на гибких подложках

    Письма в ЖТФ, 45:21 (2019),  40–43
  11. Адаптивные свойства спайковых нейроморфных сетей с синаптическими связями на основе мемристивных элементов

    Письма в ЖТФ, 45:8 (2019),  19–23
  12. Прецизионный алгоритм переключения мемристора в состояние с заданным сопротивлением

    Письма в ЖТФ, 44:10 (2018),  20–28
  13. Органический мемристивный элемент на основе одиночного волокна полианилин/полиамид-6

    Письма в ЖТФ, 43:24 (2017),  24–30
  14. Исследование влияния материала контакта мемристора на его устойчивость к деградации при циклических переключениях

    Письма в ЖТФ, 40:7 (2014),  87–94


© МИАН, 2026