Шретер Юрий Георгиевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Динамика экранирования внешнего электрического поля в потенциальных стенках квантовой ямы InGaN/GaN
   
   Физика твердого тела, 66:3 (2024),  433–441
2. Эффективность локализации электрически инжектированных носителей заряда в квантовой яме InGaN|GaN, ограниченная объемным зарядом
   
   Физика твердого тела, 65:1 (2023),  138–145
3. Туннелирование через барьеры Шоттки Ni/$n$–GaN по локализованным состояниям дефектов
   
   ЖТФ, 93:8 (2023),  1158–1165
4. Локализация носителей заряда в квантовых ямах InGaN/GaN, ограниченная объемным зарядом
   
   Физика твердого тела, 64:3 (2022),  371–378
5. High thermal conductivity of bulk GaN single crystal: An accurate experimental determination
   
   Письма в ЖЭТФ, 112:2 (2020),  112–113
6. Токовый шум и падение эффективности светодиодов при туннелировании носителей из квантовой ямы InGaN/GaN с участием дефектов
   
   Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019),  104–110
7. Влияние глубоких центров на конфайнмент носителей в квантовых ямах InGaN/GaN и эффективность светодиодов
   
   Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  796–803
8. Прыжковая проводимость и диэлектрическая релаксация в барьерах Шоттки на основе GaN
   
   Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1235–1242
9. Отделение слабо легированных пленок $n$-GaN микронной толщины от подложек, основанное на эффекте поглощения ИК излучения в сапфире
   
   Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  116–123
10. Падение эффективности GaN-светодиодов при высоких уровнях инжекции: роль водорода
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1387–1394
11. Лазерное отделение пленок $n$-GaN от подложек, основанное на эффекте сильного поглощения ИК излучения свободными носителями заряда в $n^{+}$-GaN подложках
    
    Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  711–716
12. Влияние трансформации точечных дефектов при джоулевом разогреве на эффективность светодиодов с квантовыми ямами InGaN/GaN
    
    Письма в ЖТФ, 42:22 (2016),  1–8
13. Буферные слои аморфного углерода для отделения свободных пленок нитрида галлия
    
    Письма в ЖТФ, 42:21 (2016),  32–38
14. Рост скорости рекомбинации Шокли–Рида–Холла в квантовых ямах InGaN/GaN как основной механизм падения эффективности светодиодов при высоких уровнях инжекции
    
    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1714–1719
15. Прыжковый транспорт в области объемного заряда $p$–$n$-структур с квантовыми ямами InGaN/GaN как источник избыточного $1/f$ шума и потерь эффективности светодиодов
    
    Физика и техника полупроводников, 49:6 (2015),  847–855
16. Падение эффективности GaN-светодиодов при высоких плотностях тока: туннельные токи утечки и неполная латеральная локализация носителей в квантовых ямах InGaN/GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014),  1107–1116
17. Туннельная инжекция и энергетическая эффективность светодиодов на основе InGaN/GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  129–136
18. Влияние хвостов локализованных состояний в InGaN на уменьшение эффективности GaN-светодиодов с ростом плотности тока
    
    Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012),  1054–1062
19. Механизм падения эффективности GaN-светодиодов с ростом тока
    
    Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  822–828
20. Классификация линий дислокационной люминесценции в кремнии
    
    Физика твердого тела, 34:5 (1992),  1513–1521
21. Одномерный дислокационный экситон в кристаллах германия
    
    Физика твердого тела, 32:9 (1990),  2778–2781
22. Расщепление линии дислокационного экситона в кристаллах с неравновесными дислокациями
    
    Физика твердого тела, 32:9 (1990),  2774–2777