Крючков Владислав Артемович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Источники мощных лазерных импульсов субнаносекундной длительности на основе структур тиристорный ключ-лазерный диод для спектрального диапазона 1500 nm
   
   Письма в ЖТФ, 51:17 (2025),  49–52
2. Источники мощных лазерных импульсов на длину волны 1550 nm на основе конструкций тиристорный ключ-лазер
   
   Письма в ЖТФ, 51:16 (2025),  21–25
3. Анализ механизмов насыщения мощных импульсных полупроводниковых лазеров на основе гетероструктуры InGaAsP/InP, излучающих на длине волны 1.55 мкм
   
   Квантовая электроника, 55:3 (2025),  141–145
4. Влияние длины резонатора на выходную оптическую мощность полупроводниковых лазеров-тиристоров на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 58:2 (2024),  96–105
5. Динамика лазерной генерации микролинеек одномодовых полупроводниковых лазеров (1065 нм), работающих в режиме модуляции усиления
   
   Физика и техника полупроводников, 58:1 (2024),  42–48
6. Тиристорные ключи на основе гетеро- и гомоструктур (Al)GaAs/GaAs для генерации наносекундных импульсов тока с высокой частотой
   
   Письма в ЖТФ, 50:4 (2024),  43–46
7. Сильноточные низковольтные ключи для импульсов нс-длительности на основе тиристорных гомо- и гетероструктур (Al)GaAs/GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023),  678–683
8. Низковольтные гетеротиристоры InP для генерации импульсов тока длительностью 50–150 ns
   
   Письма в ЖТФ, 49:16 (2023),  29–32
9. Квазинепрерывные микролинейки мощных полупроводниковых лазеров (λ = 976 нм) с увеличенной длиной резонатора на основе асимметричных гетероструктур с широким волноводом
   
   Квантовая электроника, 53:1 (2023),  6–10
10. Исследование динамики разогрева в квазинепрерывном режиме активной области мощных полупроводниковых лазеров (1060 нм) со сверхширокой излучающей апертурой (800 мкм)
    
    Квантовая электроника, 52:9 (2022),  794–798
11. Мощные полупроводниковые гибридные импульсные лазерные излучатели в диапазоне длин волн 900–920 нм
    
    Квантовая электроника, 51:10 (2021),  912–914
12. Вытекание излучения из волновода мощных полупроводниковых AlGaAs/InGaAs/GaAs-лазеров
    
    Квантовая электроника, 50:8 (2020),  722–726