Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Низкоэнергетическое бездефектное сухое травление барьерного слоя HEMT AlGaN/AlN/GaN
Письма в ЖТФ, 44:10 (2018), 61–67
-
Селективный рост невжигаемых омических контактов к двумерному электронному газу в транзисторах с высокой подвижностью электронов на основе гетеропереходов GaN/AlGaN методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Письма в ЖТФ, 40:11 (2014), 80–86
-
Оптические свойства двумерного электронного газа в гетероструктурах $\mathrm{AlGaAs}/\mathrm{GaAs}$
Докл. РАН, 348:5 (1996), 608–610
-
Фотолюминесценция трехмерных и двумерных носителей в гетероструктурах
$\mathrm{N}$–$\mathrm{AlGaAs}/\mathrm{GaAs}$
Докл. РАН, 348:1 (1996), 42–44
-
Влияние состояния поверхности $\mathrm{GaAs}$ перед осаждением $\mathrm{Si}$ на процесс $\delta$-легирования
Докл. РАН, 332:5 (1993), 575–577
© , 2026