Сейсян Рубен Павлович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Особенности слоев SiO$_{2}$, синтезированных на кремнии методом молекулярного наслаивания
   
   Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  427–431
2. Температурно-зависимое интегральное поглощение экситонных поляритонов в полупроводниковых кристаллах
   
   Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  327–330
3. Эффект кулоновской ямы в квантовых ямах (In, Ga)As/GaAs
   
   Физика твердого тела, 59:6 (2017),  1133–1149
4. Поглощение лазерного излучения в создаваемой им плазме при использовании газовых микроструй в качестве мишеней
   
   Письма в ЖТФ, 43:1 (2017),  53–60
5. Диамагнитные экситоны в полупроводниках (Обзор)
   
   Физика твердого тела, 58:5 (2016),  833–880
6. Упругое рассеяние экситонных поляритонов
   
   Физика твердого тела, 57:2 (2015),  277–282
7. “Экситонная” фотопроводимость кристаллов GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014),  1311–1316
8. Оценка качества эпитаксиальных слоев GaAs и их интерфейсов посредством анализа спектров экситонного поглощения
   
   Физика и техника полупроводников, 48:6 (2014),  774–780
9. Оптическое пропускание тонких пластин GaAs при лазерной накачке в область экситонных резонансов и континуума состояний: экситон-экситонное взаимодействие
   
   Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014),  604–609
10. Воздействие УФ предыонизационного импульса на выход коротковолнового излучения из лазерно-плазменного источника с Xe газоструйной мишенью
    
    Письма в ЖТФ, 40:15 (2014),  38–44
11. Экситонное поглощение полупроводниковых кристаллов GaAs при оптической накачке в зону проводимости
    
    ЖТФ, 83:7 (2013),  111–114
12. Диамагнитный экситон-поляритон в межзонной магнитооптике полупроводников
    
    Физика и техника полупроводников, 46:7 (2012),  896–900
13. Температурно-зависимое интегральное поглощение экситона в полупроводниковых кристаллах GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 38:19 (2012),  9–13
14. Исследование прямых оптических переходов в монокристаллах кремния по спектрам пропускания
    
    Письма в ЖТФ, 38:13 (2012),  1–7
15. Взаимодействие поляризованного света с гребешковыми металлизированными наноструктурами
    
    Письма в ЖТФ, 38:4 (2012),  34–40
16. Температурно-зависимое интегральное поглощение экситона в полупроводниковых кристаллах InP
    
    Письма в ЖТФ, 38:3 (2012),  39–45
17. Нанолитография в микроэлектронике (обзор)
    
    ЖТФ, 81:8 (2011),  1–14
18. Температурно-зависимое экситонное поглощение в длиннопериодных структурах множественных квантовых ям In$_x$Ga$_{1-x}$As/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 45:1 (2011),  104–110
19. Эффект Штарка в области основного состояния экситона серии «$A$» в кристаллах CdS
    
    Физика твердого тела, 34:11 (1992),  3580–3587
20. Структура края поглощения кубических халькогенидов кадмия и цинка
    
    Физика твердого тела, 34:8 (1992),  2400–2406
21. Воздействие импульсного вакуумного ультрафиолета на пленки халькогенидных стеклообразных полупроводников AsSe и As$_{2}$S$_{3}$
    
    ЖТФ, 62:3 (1992),  106–113
22. Квазиландауское осциллирующее магнитопоглощение ридберговских состояний экситона InP в «промежуточном» магнитном поле
    
    Физика твердого тела, 33:6 (1991),  1719–1734
23. Параметры зонной структуры эпитаксиальных слоев в гетеропереходах In$_{1-x}$Ga$_{x}$As/InP
    
    Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991),  493–503
24. Ширина линий экситонного поглощения в твердых растворах In$_{1-x}$Ga$_{x}$As/InP
    
    Физика твердого тела, 32:4 (1990),  999–1006
25. «Тонкая» структура края поглощения кристаллов теллурида кадмия
    
    Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989),  1160–1163
26. Край оптического поглощения «чистых» эпитаксиальных слоев InP
    
    Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989),  1156–1159
27. Край оптического поглощения и деформации эпитаксиальных слоев In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As
    
    Физика и техника полупроводников, 23:2 (1989),  201–206
28. Гашение экситонной люминесценции в результате ударной ионизации и механизмы релаксации электронов в сульфиде кадмия
    
    Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989),  138–145
29. Полупроводниковый лазер с встроенным экситонным штарковским модулятором добротности на основе AlGaAs ДГС с одиночной квантовой ямой GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 15:7 (1989),  20–24
30. Линейная экситонная структура низкотемпературной краевой люминесценции кристаллов сурьмянистого индия
    
    Физика твердого тела, 30:1 (1988),  12–31
31. Магнитоспектроскопия резонансных примесных состояний в полупроводниках
    
    Физика и техника полупроводников, 22:8 (1988),  1416–1421
32. Зеленая люминесценция CdS в поле барьера Шоттки
    
    Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988),  1304–1306
33. Электропоглощение при волноводном прохождении света через двойную гетероструктуру AlGaAs с квантоворазмерным слоем
    
    Письма в ЖТФ, 14:17 (1988),  1548–1552
34. Диамагнитные экситоны в гексагональных кристаллах A$_{2}$B$_{6}$
    
    Физика твердого тела, 29:6 (1987),  1730–1739
35. Гашение низкотемпературной экситонной люминесценции в «чистых» кристаллах сульфида кадмия с барьером Шоттки
    
    Физика и техника полупроводников, 21:9 (1987),  1695–1701
36. Низкотемпературная фотолюминесценция гетероэпитаксиальных слоев теллурида свинца
    
    Физика твердого тела, 28:5 (1986),  1348–1352
37. Экситонные состояния в межзонном поглощении теллурида свинца при наличии магнитного поля
    
    Физика твердого тела, 28:3 (1986),  855–861
38. Образование оптической щели в спектре уровней Ландау тяжелых дырок германия
    
    Письма в ЖТФ, 12:6 (1986),  369–373
39. Формирование областей неоднородной компенсации в процессе получения планарных кремниевых $p{-}n$ переходов
    
    ЖТФ, 55:10 (1985),  2064–2066
40. Спектры поглощения и фотолюминесценции Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te
    
    Физика твердого тела, 25:4 (1983),  1214–1216
41. Эффекты легирования редкоземельными элементами в низкотемпературной краевой люминесценции InP
    
    Физика и техника полупроводников, 17:12 (1983),  2148–2151
42. Параметры энергетических зон кристаллов арсенида индия
    
    Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983),  718–720
43. Обнаружение экситонной люминесценции в кристаллах антимонида индия
    
    Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983),  532–534
44. Эффект фотопоглощения в спектрах диамагнитных экситонов кристаллов InSb
    
    Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983),  501–503
45. Диамагнитные экситоны в полупроводниках
    
    УФН, 97:2 (1969),  193–210