Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Температурно-зависимое интегральное поглощение экситонных поляритонов в полупроводниковых кристаллах
Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020), 327–330
-
Численная оптимизация электрофизических характеристик ЭУФ-лазера на переходе 3$p$–3$s$ Ne-подобного аргона в малоиндуктивном разряде капиллярного типа
Письма в ЖТФ, 42:24 (2016), 33–40
-
Экситонное поглощение полупроводниковых кристаллов GaAs при оптической накачке в зону проводимости
ЖТФ, 83:7 (2013), 111–114
-
Температурно-зависимое интегральное поглощение экситона в полупроводниковых кристаллах GaAs
Письма в ЖТФ, 38:19 (2012), 9–13
-
Температурно-зависимое интегральное поглощение экситона в полупроводниковых кристаллах InP
Письма в ЖТФ, 38:3 (2012), 39–45
-
Температурно-зависимое экситонное поглощение в длиннопериодных структурах множественных квантовых ям In$_x$Ga$_{1-x}$As/GaAs
Физика и техника полупроводников, 45:1 (2011), 104–110
© , 2026