Реунов Дмитрий Георгиевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Двухзеркальный монохроматор для синхротрона “СКИФ” поколения 4+
   
   ЖТФ, 95:10 (2025),  1963–1972
2. Фокусирующая система Киркпатрика–Баеза для синхротронных применений
   
   ЖТФ, 95:10 (2025),  1954–1962
3. Компактный спектрограф на основе VLS-решетки для диапазона 3–20 nm
   
   ЖТФ, 95:10 (2025),  1879–1886
4. Стенд для тестирования чувствительных к экстремальному ультрафиолетовому излучению фоторезистов
   
   ЖТФ, 94:8 (2024),  1323–1330
5. Корреляционная экстремальная ультрафиолетовая, ультрафиолетовая и оптическая микроскопия на базе зеркального микроскопа с аксиальной томографией
   
   ЖТФ, 94:8 (2024),  1302–1313
6. Исследования микроскопической рентгеновской томографии
   
   ЖТФ, 94:7 (2024),  992–1001
7. Подложки для мягкой рентгеновской микроскопии на основе Si$_3$N$_4$ мембран
   
   ЖТФ, 93:7 (2023),  1032–1036
8. Теория аксиальной томографии на основе обратного преобразования Радона для высокоапертурной мягкой рентгеновской микроскопии
   
   ЖТФ, 93:7 (2023),  867–879
9. Эффективность генерации излучения в полосе 8–14 нм ионами криптона при импульсном лазерном возбуждении
   
   Квантовая электроника, 50:4 (2020),  408–413
10. Субмонослойные квантовые точки InGaAs/GaAs, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1159–1163
11. Выращивание методом МОС-гидридной эпитаксии субмонослойных квантовых точек InGaAs/GaAs для возбуждения поверхностных плазмон-поляритонов
    
    Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019),  345–350
12. Применение компенсирующих слоев GaAsP для роста лазерных гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs, излучающих на длинах волн больше 1100 нм, на искусственных подложках Ge/Si
    
    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1443–1446