Дунаевский Михаил Сергеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Метод регистрации фазы для визуализации однослойного и двуслойного графена на поверхности SiC
   
   Письма в ЖТФ, 52:6 (2026),  18–21
2. Вариации электрического потенциала металлической наночастицы на диэлектрике
   
   Физика и техника полупроводников, 59:10 (2025),  620–628
3. Электрические свойства тандемных солнечных элементов на основе пленок металлоорганических перовскитов, нанесенных на тонкопленочные кремниевые солнечные элементы
   
   Физика твердого тела, 66:2 (2024),  266–274
4. Determining Young's and shear moduli of a rod-shaped object in an AFM bending test
   
   Наносистемы: физика, химия, математика, 15:1 (2024),  122–129
5. Дендритные структурные неоднородности в тонких слоях Cs$_{0.2}$FA$_{0.8}$PbI$_{2.93}$Cl$_{0.07}$ для перовскитных солнечных элементов
   
   Физика и техника полупроводников, 58:11 (2024),  629–635
6. Локальное легирование монослойного WSe$_2$ на пьезоэлектрических подложках GaInP$_2$ и GaN
   
   Физика и техника полупроводников, 58:8 (2024),  401–408
7. Трибоэлектрическая генерация при трении проводящего зонда о поверхность GaAs
   
   Физика твердого тела, 65:12 (2023),  2144–2147
8. Модификация поверхности $h$-BN зондом сканирующего зондового микроскопа
   
   Физика твердого тела, 65:12 (2023),  2128–2131
9. Трибоэлектрическая генерация при трении высоколегированных алмазных зондов о поверхность $p$-Si
   
   Физика и техника полупроводников, 57:9 (2023),  725–730
10. Тестовые структуры на базе SiC с тонкими слоями графена для определения аппаратной функции для Кельвин-зонд-микроскопии
    
    Письма в ЖТФ, 49:4 (2023),  24–27
11. Исследование трибоэлектрических зарядов в тонких диэлектрических и полупроводниковых пленках методами сканирующей зондовой микроскопии
    
    Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  711–714
12. Распределение упругих деформаций в конических нанопроводах при боковых изгибах
    
    Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  634–636
13. Исследования проводящих и сегнетоэлектрических свойств BZT-пленок
    
    ЖТФ, 90:12 (2020),  2159–2164
14. Resistance of reduced graphene oxide on polystyrene surface
    
    Наносистемы: физика, химия, математика, 9:4 (2018),  496–499
15. Graphene on silicon carbide as a basis for gas- and biosensor applications
    
    Наносистемы: физика, химия, математика, 9:1 (2018),  95–97
16. Исследование нанокристаллов CsPbBr$_{3}$ и их агломератов с помощью методов комбинированной сканирующей зондовой микроскопии и оптической спектрометрии
    
    Оптика и спектроскопия, 125:6 (2018),  752–757
17. Электрические свойства GaAs нитевидных нанокристаллов, выращенных на гибридных подложках графен/SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1507–1511
18. GaAs wurtzite nanowires for hybrid piezoelectric solar cells
    
    Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  511
19. Локальное анодное окисление слоев графена на SiC
    
    Письма в ЖТФ, 44:9 (2018),  34–40
20. Структура платиноуглеродных электродов, содержащих различные формы протонпроводящего полимера Nafion
    
    ЖТФ, 87:11 (2017),  1696–1700
21. The influence of substrate material on the resistance of composite films based on reduced graphene oxide and polystyrene
    
    Наносистемы: физика, химия, математика, 8:5 (2017),  665–669
22. Исследование кристаллической и электронной структуры графеновых пленок, выращенных на 6$H$-SiC (0001)
    
    Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1116–1124
23. Создание устойчивых зарядовых областей в массиве Ge-нанокристаллитов внутри SiO$_2$ с помощью электростатической силовой микроскопии
    
    ЖТФ, 85:5 (2015),  50–56
24. Картирование интенсивности излучения лазерного диода методом атомно-силовой микроскопии
    
    Письма в ЖТФ, 41:18 (2015),  8–15
25. Эффект накопления и релаксации носителей заряда в активной области полимерных и композитных (полимер–наночастицы золота) полевых транзисторных структур
    
    Физика твердого тела, 56:5 (2014),  1015–1018
26. Поведение локально инжектированных зарядов в нанотонких слоях high-k диэлектрика SmScO$_3$
    
    ЖТФ, 84:10 (2014),  122–126
27. Химическая пассивация подложек InSb (100) в водных растворах сульфида натрия
    
    Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013),  710–716
28. Поведение локально инжектированных зарядов в нанотонких диэлектрических слоях LaScO$_3$ на Si подложке
    
    Письма в ЖТФ, 39:9 (2013),  47–55
29. Накопление заряда на поверхности GaAs нанопроводов вблизи контакта Шоттки
    
    Письма в ЖТФ, 39:4 (2013),  53–60
30. Определение модуля Юнга нанопроводов GaAs, наклонно растущих на подложке
    
    Физика и техника полупроводников, 46:5 (2012),  659–664
31. К эффекту переключения полимерной пленки в высокопроводящее состояние при плавлении металлического электрода
    
    ЖТФ, 80:1 (2010),  145–147
32. Вольт-амперные характеристики легированных кремнием нитевидных нанокристаллов GaAs с защитным покрытием AlGaAs, заращённых нелегированным слоем GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 44:5 (2010),  636–641