Здоровейщев Антон Владимирович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Термоэлектрические свойства квантовых точек InGaAs/GaAs
   
   ЖТФ, 96:1 (2026),  149–160
2. Управление магнитными характеристиками спиновых светодиодов с магнитной системой “дельта-слой Mn–квантовая яма InGaAs/GaAs” за счет дельта-легирования акцепторной примесью
   
   Физика твердого тела, 67:7 (2025),  1348–1353
3. Исследование эффекта Нернста–Эттингсгаузена в тонких слоях Co/Pt при комнатных температурах
   
   Физика твердого тела, 67:6 (2025),  1133–1138
4. Магнитоуправляемый спиновый светоизлучающий диод
   
   УФН, 195:5 (2025),  543–556
5. Формирование ферромагнитного полупроводника GaMnAs ионной имплантацией: сравнение разных типов отжига
   
   Физика твердого тела, 66:10 (2024),  1686–1698
6. Магнитная анизотропия пленок Сo/Pt, приготовленных последовательным напылением слоев субатомных толщин
   
   Физика твердого тела, 66:8 (2024),  1272–1277
7. Методы модуляции микромагнитных характеристик многослойных тонкопленочных систем [Co/Pt]
   
   Физика твердого тела, 66:6 (2024),  901–905
8. Модификация функциональных характеристик спиновых светоизлучающих диодов InGaAs/GaAs/Al$_2$O$_3$/CoPt
   
   Физика твердого тела, 66:2 (2024),  184–189
9. Метаморфный InGaAs-фотодиод на длине волны 1.55 мкм, выращенный на подложке GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 58:12 (2024),  709–713
10. Синтез и термоэлектрические свойства высшего силицида марганца
    
    Физика и техника полупроводников, 58:7 (2024),  376–380
11. Управление микромагнитной структурой многофазных тонких пленок CoPt путем варьирования толщин слоев
    
    Физика твердого тела, 65:6 (2023),  989–995
12. Влияние высокотемпературного отжига на физико-химические свойства систем на основе FeSi$_x$
    
    Физика твердого тела, 65:3 (2023),  509–512
13. Гетероэпитаксиальные слои Ge/Si(001), легированные в процессе HW CVD испарением примеси из сублимирующего Ge-источника
    
    Физика и техника полупроводников, 57:9 (2023),  719–724
14. InGaAs фотодиод с пониженным темновым током на диапазон 1.17–1.29 мкм с дискретным метаморфным буферным слоем
    
    Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  495–500
15. Гальваномагнитные и термомагнитные явления в тонких металлических плёнках CoPt
    
    УФН, 193:3 (2023),  331–339
16. Формирование скирмионных состояний в ионно-облученных тонких пленках CoPt
    
    Физика твердого тела, 64:9 (2022),  1304–1310
17. Циркулярно-поляризованная электролюминесценция спиновых светоизлучающих диодов InGaAs/GaAs/CoPt, помещенных в сильное и слабое магнитное поле
    
    ЖТФ, 92:5 (2022),  724–730
18. Распределение концентрации носителей заряда в эпитаксиальных слоях Ge и GeSn, выращенных на $n^+$-Si(001)-подложках
    
    Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  839–843
19. Проектирование дизайна туннельно-связанных квантовых ям для создания модулятора по схеме Маха–Цендера
    
    Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  833–838
20. Диодные гетероструктуры с ферромагнитными узкозонными полупроводниками A$^{3}$FeB$^{5}$ разного типа проводимости
    
    Физика твердого тела, 63:7 (2021),  866–873
21. Влияние ионного облучения на магнитные свойства пленок CoPt
    
    Физика твердого тела, 63:3 (2021),  324–332
22. Формирование мелкодисперсного термоэлектрика Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ при электроимпульсном плазменном спекании
    
    ЖТФ, 91:12 (2021),  1975–1983
23. Резистивное переключение в отдельных ферромагнитных филаментах мемристорных структур на основе ZrO$_{2}$(Y)/Ni
    
    ЖТФ, 91:10 (2021),  1474–1478
24. Методы переключения поляризации излучения в GaAs лазерных диодах
    
    ЖТФ, 91:9 (2021),  1409–1414
25. Циркулярно поляризованная электролюминесценция при комнатной температуре в гетероструктурах на основе разбавленного магнитного полупроводника GaAs:Fe
    
    Письма в ЖТФ, 47:20 (2021),  38–41
26. Формирование наноразмерных ферромагнитных филаментов Ni в пленках ZrO$_{2}$(Y)
    
    Письма в ЖТФ, 47:11 (2021),  30–32
27. Диодные гетероструктуры с ферромагнитным слоем (Ga, Mn)As
    
    Физика твердого тела, 62:3 (2020),  373–380
28. Nanostructured SiGe:Sb solid solutions with improved thermoelectric figure of merit
    
    Наносистемы: физика, химия, математика, 11:6 (2020),  680–684
29. Формирование углеродных слоев методом термического разложения четыреххлористого углерода в реакторе МОС-гидридной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  801–806
30. Циркулярно поляризованная электролюминесценция спиновых светодиодов c ферромагнитным инжектором (In,Fe)Sb
    
    Письма в ЖТФ, 46:14 (2020),  17–20
31. Дальнодействующее магнитное взаимодействие в гетероструктурах InGaAs/GaAs/$\delta$-$\langle$Mn$\rangle$
    
    Письма в ЖТФ, 46:2 (2020),  40–43
32. Исследования термоэлектрических свойств сверхрешеток на основе силицида марганца и германия
    
    Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2344–2348
33. Модифицирование магнитных свойств сплава CoPt путем ионного облучения
    
    Физика твердого тела, 61:9 (2019),  1694–1699
34. Микромагнитные и магнитооптические свойства пленочных структур вида ферромагнетик/тяжелый металл
    
    Физика твердого тела, 61:9 (2019),  1628–1633
35. Формирование магнитных наноструктур с помощью зонда атомно-силового микроскопа
    
    ЖТФ, 89:11 (2019),  1807–1812
36. Усиленная фотолюминесценция сильно легированных слоев Ge/Si(001) $n$-типа проводимости
    
    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1293–1296
37. Легирование термоэлектрических материалов на основе твeрдых растворов SiGe в процессе их синтеза методом электроимпульсного плазменного спекания
    
    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1182–1188
38. Диодные структуры на основе магнитных гетеропереходов (In, Fe)Sb/GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 45:13 (2019),  33–36
39. Повышение степени циркулярной поляризации спиновых светоизлучающих диодов путем обработки в парах селена
    
    Письма в ЖТФ, 45:5 (2019),  52–55
40. Детекторы циркулярно-поляризованного излучения на основе полупроводниковых гетероструктур с барьером Шоттки CoPt
    
    Физика твердого тела, 60:11 (2018),  2236–2239
41. Формирование доменной структуры в многослойных пленках CoPt с помощью магнитного зонда атомно-силового микроскопа
    
    Физика твердого тела, 60:11 (2018),  2158–2165
42. Повышение рабочей температуры спиновых светоизлучающих диодов (Ga,Mn)As/GaAs путeм постростовых воздействий
    
    Физика твердого тела, 60:11 (2018),  2141–2146
43. Investigation of the initial stages of spark-plasma sintering of Si-Ge based thermoelectric materials
    
    Наносистемы: физика, химия, математика, 9:5 (2018),  622–630
44. Получение электроимпульсным плазменным спеканием термоэлектрических материалов на основе Si и Ge
    
    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1455–1459
45. Особенности электрохимического вольт-фарадного профилирования арсенид-галлиевых светоизлучающих и pHEMT-структур с квантово-размерными областями
    
    Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  873–880
46. Фоторезистивный детектор циркулярно-поляризованного излучения на основе МДП-структуры со слоем CoPt
    
    Физика твердого тела, 59:11 (2017),  2203–2205
47. Управление циркулярной поляризацией электролюминесценции в спиновых светоизлучающих диодах на основе гетероструктур InGaAs/GaAs/$\delta$ $\langle$Mn$\rangle$
    
    Физика твердого тела, 59:11 (2017),  2142–2147
48. Методы управления спиновой инжекцией в спиновых светоизлучающих диодах InGaAs/GaAs/Al$_{2}$O$_{3}$/CoPt
    
    Физика твердого тела, 59:11 (2017),  2135–2141
49. Модифицирование свойств ферромагнитных слоев на основе соединений A$^{3}$B$^{5}$ импульсным лазерным отжигом
    
    Физика твердого тела, 59:11 (2017),  2130–2134
50. Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs / GaAs, легированными атомами переходных элементов. II. Исследование циркулярно-поляризованной люминесценции
    
    ЖТФ, 87:10 (2017),  1539–1544
51. Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs/GaAs, легированными атомами переходных элементов. I. Фотолюминесцентные свойства
    
    ЖТФ, 87:9 (2017),  1389–1394
52. Термоэлектрические эффекты в наноразмерных слоях силицида марганца
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1456–1461
53. Влияние состава покровного слоя на электронные характеристики квантовых точек InAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1447–1450
54. Оптический тиристор на основе системы материалов GaAs/InGaP
    
    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1443–1446
55. Фотодетектор видимого и ближнего инфракрасного диапазона длин волн на основе осажденного из газовой фазы алмаза
    
    Письма в ЖТФ, 43:24 (2017),  65–71
56. Туннелирование и инжекция в ферромагнитных структурах InGaAs/GaAs/(Ga,Mn)As и InGaAs/$n^{+}$-GaAs/(Ga,Mn)As
    
    Физика твердого тела, 58:11 (2016),  2190–2194
57. Свойства ферромагнитных слоев CoPt для применения в спиновых светоизлучающих диодах
    
    Физика твердого тела, 58:11 (2016),  2186–2189
58. Формирование однофазного ферромагнитного полупроводника (Ga, Mn)As импульсным лазерным отжигом
    
    Физика твердого тела, 58:11 (2016),  2140–2144
59. Кристаллическая структура и термоэлектрические свойства тонких слоев MnSi$_{x}$
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1473–1478
60. Формирование контактов MnGa/GaAs для применений в оптоэлектронике и спинтронике
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1463–1468
61. Арсенид-галлиевые структуры с подзатворным диэлектриком на основе слоев оксида алюминия
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  204–207
62. Влияние концентрации примесей на люминесцентные свойства спиновых светоизлучающих диодов InGaAs/GaAs с $\delta$-слоем Mn
    
    Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016),  3–8
63. Ферромагнитный инжектор CoPt в светоизлучающих диодах Шоттки на основе наноразмерных структур InGaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1649–1653
64. Влияние нанесения кобальта на оптоэлектронные свойства квантово-размерных гетеронаноструктур In(Ga)As/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1640–1643
65. Циркулярно-поляризованная электролюминесценция светоизлучающих диодов InGaAs/GaAs/(A$^{\mathrm{III}}$, Mn)B$^{\mathrm{V}}$ на основе структур с туннельным барьером
    
    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1497–1500
66. Оптические и магнитотранспортные свойства структур InGaAs/GaAsSb/GaAs, легированных магнитной примесью
    
    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1478–1483
67. Диагностика эффективности возбуждения поверхностных плазмон-поляритонов квантовыми точками с помощью поляризационных измерений выходного излучения
    
    Физика и техника полупроводников, 49:6 (2015),  804–809
68. Эпитаксиальное выращивание слоев MnGa/GaAs для диодов со спиновой инжекцией
    
    Физика твердого тела, 56:10 (2014),  2062–2065
69. Спиновая инжекция электронов в светоизлучающих диодах на основе структур GaMnAs/GaAs/InGaAs с туннельным переходом
    
    ЖТФ, 84:12 (2014),  102–106
70. Влияние ферромагнитного дельта-слоя Mn на излучательные свойства гетероструктур GaAsSb/GaAs и InGaAs/GaAsSb/GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 40:20 (2014),  96–103
71. Оптоэлектронные свойства гетеронаноструктур с комбинированными слоями квантовых ям и точек In(Ga)As/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013),  1609–1612
72. Светоизлучающие диоды с ферромагнитным инжектирующим слоем на основе гетероструктур GaMnSb/InGaAs/ GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012),  1554–1560
73. Спиновые светоизлучающие диоды на основе гетероструктур с квантовой ямой GaAs/InGaAs/GaAs и ферромагнитным инжектирующим слоем GaMnSb
    
    Письма в ЖТФ, 38:16 (2012),  69–77