|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Характеристики структур YBCO|CeO$_2$|Al$_2$O$_3$ при уменьшении толщины подслоя оксида церия
Физика твердого тела, 66:6 (2024), 848–853
-
Формирование мелкодисперсного термоэлектрика Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ при электроимпульсном плазменном спекании
ЖТФ, 91:12 (2021), 1975–1983
-
Влияние отжига в газообразном цинке на люминесценцию в видимом и среднем ИК диапазонах ZnSe : Fe$^{2+}$
Оптика и спектроскопия, 128:11 (2020), 1710–1716
-
Легирование термоэлектрических материалов на основе твeрдых растворов SiGe в процессе их синтеза методом электроимпульсного плазменного спекания
Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1182–1188
-
Investigation of the initial stages of spark-plasma sintering of Si-Ge based thermoelectric materials
Наносистемы: физика, химия, математика, 9:5 (2018), 622–630
-
Получение электроимпульсным плазменным спеканием термоэлектрических материалов на основе Si и Ge
Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1455–1459
-
Химический и фазовый состав многослойных нанопериодических структур $a$-SiO$_{x}$/ZrO$_{2}$, подвергнутых высокотемпературному отжигу
Физика твердого тела, 59:6 (2017), 1183–1191
-
Спиновая инжекция электронов в светоизлучающих диодах на основе структур GaMnAs/GaAs/InGaAs с туннельным переходом
ЖТФ, 84:12 (2014), 102–106
-
Химический и фазовый состав спиновых светоизлучающих диодов GaMnAs/GaAs/InGaAs
Физика и техника полупроводников, 48:6 (2014), 839–844
-
Химический и фазовый состав пленок оксида кремния с нанокластерами, полученными путем ионной имплантации углерода
Физика твердого тела, 54:2 (2012), 370–377
-
Формирование и “белая” фотолюминесценция нанокластеров в пленках SiO$_x$, имплантированных ионами углерода
Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010), 1498–1503
© , 2026