Галиев Ринат Радифович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Направленность вывода излучения из кольцевых микролазеров с нарушенной вращательной симметрией
   
   Письма в ЖТФ, 52:7 (2026),  27–30
2. Особенности формирования мезаструктуры методом электронно-лучевой литографии в полупроводниковых соединениях на основе GaAs
   
   Письма в ЖТФ, 51:21 (2025),  42–44
3. Повышение эффективности лазерного возбуждения оптоэлектронного терагерцевого источника при помощи массива ближнепольных сапфировых микролинз
   
   Письма в ЖТФ, 51:19 (2025),  46–48
4. Эффективная генерация ТГц излучения фотопроводящим источником с локализацией носителей заряда в высокоаспектных плазмонных электродах
   
   Оптика и спектроскопия, 132:1 (2024),  105–110
5. Микродисковые лазеры на основе InGaAs/GaAs-квантовых точек, монолитно-интегрированные с волноводом
   
   Физика и техника полупроводников, 58:2 (2024),  107–113
6. Исследование высокотемпературной генерации микродисковых лазеров с оптически связанным волноводом
   
   Оптика и спектроскопия, 131:11 (2023),  1483–1485
7. Температурное затухание генерации квантово-каскадных лазеров с частотами 2.3, 3.2, 4.1 ТГц
   
   Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  705–710
8. Квантово-каскадный лазер с частотой генерации 3.8 THz, выращенный методом металлоорганической газофазной эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 48:10 (2022),  16–19
9. Квантово-каскадный лазер на 3.3 ТГц на основе активного модуля из трех квантовых ям GaAs/AlGaAs с рабочей температурой > 120 K
   
   Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  989–994
10. Экспериментальные исследования мощных полупроводниковых одночастотных лазеров спектрального диапазона 1.5–1.6 мкм
    
    Квантовая электроника, 50:2 (2020),  143–146
11. Плазмонные фотопроводящие антенны для систем терагерцовой импульсной спектроскопии и визуализации
    
    Оптика и спектроскопия, 126:5 (2019),  663–669
12. Влияние длины затвора на скорость инжекции электронов в каналах полевых транзисторов на основе AlGaN/AlN/GaN
    
    Письма в ЖТФ, 43:16 (2017),  9–14
13. Изготовление терагерцового квантово-каскадного лазера с двойным металлическим волноводом на основе многослойных гетероструктур GaAs/AlGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1395–1400
14. MHEMT с предельной частотой усиления по мощности $f_{\mathrm{max}}$ = 0.63 ТГц на основе наногетероструктуры In$_{0.42}$Al$_{0.58}$As/In$_{0.42}$Ga$_{0.58}$As/In$_{0.42}$Al$_{0.58}$As/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  73–76