Поляков Александр Яковлевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Электрические свойства эпитаксиальных пленок Cr$_2$O$_3$:Mg, выращенных на объемных кристаллах оксида галлия и сапфировых подложках
   
   Физика и техника полупроводников, 59:8 (2025),  466–469
2. Снижение внешней квантовой эффективности ультрафиолетовых светодиодов, вызванное перелегированием барьеров кремнием
   
   Физика и техника полупроводников, 59:7 (2025),  397–401
3. Ближнее поле излучения и эффект неоднородности распределения плотности тока в AlInGaN микросветодиодах
   
   Оптика и спектроскопия, 132:12 (2024),  1236–1239
4. Рекордно толстые эпитаксиальные слои $\kappa(\varepsilon)$-Ga$_2$O$_3$, выращенные на GaN/$c$-сапфире
   
   ЖТФ, 93:3 (2023),  403–408
5. Тонкие монокристаллические слои $\alpha$-Cr$_2$O$_3$, выращенные на подложках сапфира в реакторе ультразвуковой паровой химической эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 49:10 (2023),  43–46
6. Толстые эпитаксиальные слои $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$ : Sn на профилированной сапфировой подложке
   
   Письма в ЖТФ, 46:5 (2020),  27–29
7. Центры рекомбинации и прилипания в чистых и легированных кристаллах TlBr
   
   Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014),  1153–1163
8. Электронные свойства $p$-GaN(Mg), облученного реакторными нейтронами
   
   Физика и техника полупроводников, 48:7 (2014),  885–889
9. Электронные свойства и глубокие ловушки облученного электронами $n$-GaN
   
   Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012),  450–456
10. Влияние нейтронного облучения и температуры отжига на электрофизические свойства и период решетки эпитаксиальных слоев нитрида галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 45:1 (2011),  136–142
11. Влияние выращивания в магнитном поле на электрофизические и рекомбинационные характеристики антимонида индия
    
    Письма в ЖТФ, 18:2 (1992),  21–25
12. Влияние атомарного водорода на время жизни неравновесных носителей заряда в антимониде индия
    
    Физика и техника полупроводников, 25:12 (1991),  2132–2134
13. Глубокие центры в монокристаллах GaAs, выращенных методом Чохральского с добавлением кислорода
    
    Физика и техника полупроводников, 24:3 (1990),  507–511
14. Изучение спектра глубоких центров в антимониде индия методом РСГУ
    
    Физика и техника полупроводников, 23:11 (1989),  2088–2090
15. Пассивация доноров и акцепторов в тройных и четверных растворах системы InGaAsP с помощью атомарного водорода
    
    Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989),  1711–1713
16. Пассивация акцепторных центров в фосфиде индия атомарным водородом
    
    Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989),  1267–1269
17. Сравнение параметров глубоких центров в высокоомных полупроводниках при измерении методом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии в вариантах температурного и частотного сканирования
    
    Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989),  725–727
18. О диффузии водорода в кремнии
    
    Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989),  178–180
19. К вопросу о механизме пассивации мелких доноров в арсениде галлия атомарным водородом
    
    Физика и техника полупроводников, 22:12 (1988),  2217–2218
20. Пассивация мелких доноров в фосфиде индия атомарным водородом
    
    Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988),  1892–1894
21. Факторы, определяющие профиль пассивации дефектов при введении атомарного водорода в GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988),  1203–1207
22. Влияние дислокаций на распределение глубоких центров в полуизолирующем GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988),  44–48
23. Пассивация электрически активных центров в арсениде галлия в магнитоактивной микроволновой водородной плазме
    
    Докл. АН СССР, 297:3 (1987),  580–584
24. О природе тонкой структуры в спектрах решеточного отражения арсенида галлия
    
    Физика твердого тела, 29:10 (1987),  2886–2889
25. О поведении ванадия в арсениде галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987),  2024–2027
26. Пассивация мелких примесных центров в арсениде галлия с помощью атомарного водорода
    
    Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987),  1762–1764
27. Влияние атомарного водорода на свойства арсенида галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987),  842–847
28. Новый метод исследования микронеоднородности локальных центров в высокоомных полупроводниковых материалах с использованием РЭМ
    
    Письма в ЖТФ, 13:7 (1987),  385–388
29. Об определении параметров глубоких центров в высокоомных полупроводниках методом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии глубоких уровней (ФЭРСГУ)
    
    Физика и техника полупроводников, 20:8 (1986),  1428–1432
30. Пассивация электрически активных центров в арсениде галлия потоком водородной плазмы
    
    Письма в ЖТФ, 12:24 (1986),  1486–1489
31. О природе полосы фотолюминесценции с энергией 1.14 эВ в кристаллах InP
    
    Физика и техника полупроводников, 19:11 (1985),  1986–1990
32. Поглощение квантов с энергией, меньшей оптической энергии ионизации примеси в фосфиде индия, легированном марганцем
    
    Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985),  1763–1767
33. Исследование спектра глубоких уровней в эпитаксиальных структурах методом релаксационной спектроскопии фотоиндуцированных токов
    
    Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985),  735–737
34. К вопросу о природе некоторых электронных ловушек в арсениде галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984),  1450–1454