Петросян П. Г.

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Применения силикатных стекол с полупроводниковыми нанокристаллами CdS$_{x}$Se$_{1-x}$ в качестве оптических термометров и оптических фильтров с регулируемым краем поглощения
   
   Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  926–930
2. Исследование поведения структурных дефектов в нанокристаллах CdSe$_{x}$S$_{1-x}$
   
   ЖТФ, 87:3 (2017),  443–447
3. Влияние случайного потенциала на оптические свойства полупроводниковых CdS$_x$Se$_{1-x}$ нанокристаллов
   
   ЖТФ, 85:5 (2015),  94–99
4. Исследование температурной зависимости спектров пропускания силикатных стекол, содержащих полупроводниковые CdS$_{1-x}$Se$_x$ нанокристаллы
   
   ЖТФ, 81:11 (2011),  100–105
5. Особенности изменения надмолекулярной структуры закристаллизованного полиэтилена при кратковременном отжиге
   
   Уч. записки ЕГУ, сер. Физика и Математика, 1998, № 2,  52–56
6. Полевой транзистор с $p{-}n$-переходом в качестве затвора на основе твердых растворов GaAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$
   
   Физика и техника полупроводников, 25:10 (1991),  1718–1720
7. Получение тонких пленок CdS лазерным распылением
   
   Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991),  295–297
8. Нанесение и исследование сегнетоэлектрической пленки Pb(Zr, Ti)O$_{3}$ на ВТСП подложку методами ВЧ-плазменного и лазерного распыления
   
   Письма в ЖТФ, 17:21 (1991),  7–13
9. Однофазные сегнетоэлектрические пленки Pb(Zr, Ti)O$_{3}$, полученные методом лазерного распыления
   
   Письма в ЖТФ, 16:22 (1990),  27–33
10. Дрейфовые барьеры в эпитаксиальных слоях нелегированных твердых растворов GaAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$
    
    Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987),  662–665
11. Корреляционное распределение примесей в нелегированных эпитаксиальных слоях твердых растворов GaAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$
    
    Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986),  1227–1233
12. Прямое наблюдение высокоомных областей в эпитаксиальных слоях $Ga\,As_{1-x-y}\,Sb_{x}\,P_{y}$
    
    Письма в ЖТФ, 12:15 (1986),  912–916
13. Поверхностно-барьерные структуры на основе твердых растворов GaAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$
    
    Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985),  1081–1086