Михайлов Александр Иванович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Токоперенос в системе зонд туннельного микроскопа–туннельный зазор–слой квантовых точек полупроводников соединений А$^3$B$^5$ и A$^2$B$^6$ при освещении
   
   ЖТФ, 95:5 (2025),  961–966
2. Исследование возможности реализации среднечастотного широкополосного генератора качающейся частоты на структуре полуизолирующего арсенида галлия
   
   Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 24:4 (2024),  412–417
3. Исследование особенностей электронного спектра квантовых точек узкозонных полупроводников
   
   Письма в ЖТФ, 48:16 (2022),  10–13
4. Analysis of the energy spectrum of indium antimonide quantum dots with temperature changes
   
   Наносистемы: физика, химия, математика, 12:1 (2021),  113–117
5. Исследование электрофизических свойств квантовых точек антимонида индия: значение формы
   
   Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021),  237–240
6. Термоавтоэлектронная эмиссия из квантовых точек антимонида индия
   
   Письма в ЖТФ, 47:8 (2021),  44–46
7. Исследование электрофизических свойств коллоидных квантовых точек антимонида индия
   
   Письма в ЖТФ, 46:7 (2020),  36–38
8. Methodology of analyzing the InSb semiconductor quantum dots parameters
   
   Наносистемы: физика, химия, математика, 10:6 (2019),  720–724
9. О механизме и особенностях полевой эмиссии в полупроводниках
   
   Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019),  340–344
10. Methodology of analyzing the CdSe semiconductor quantum dots parameters
    
    Наносистемы: физика, химия, математика, 9:4 (2018),  464–467
11. Исследование свойств квантовых точек полупроводников A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$ и A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$
    
    Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018),  603–607
12. Особенности свойств полупроводников А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$ в мультизеренной наноструктуре
    
    Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  83–88
13. Features of the energy spectrum of indium antimonide quantum dots
    
    Наносистемы: физика, химия, математика, 8:5 (2017),  596–599
14. Исследование особенностей электронного спектра квантовых точек полупроводника CdSe
    
    Письма в ЖТФ, 42:15 (2016),  51–58
15. Исследование влияния топологии контактных площадок на воспроизводимость параметров колебаний тока в мезапланарных структурах на основе полуизолирующего арсенида галлия
    
    Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 15:1 (2015),  51–56
16. Проявление размерного квантования на выступах шероховатой поверхности полупроводников A$^3$B$^5$
    
    Письма в ЖТФ, 41:21 (2015),  88–94
17. Особенности автоэлектронной эмиссии из субмикронных выступов шероховатой поверхности антимонида индия
    
    Письма в ЖТФ, 41:12 (2015),  8–14
18. Оптимизация алгоритма математической модели установления распределения заряда и электрического поля в многослойной полупроводниковой структуре с металлическими контактами
    
    Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2013, № 4,  133–146