Стриха Виталий Илларионович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Структуры $a$-Si : H/Si с перестраиваемой областью спектральной чувствительности
   
   Физика и техника полупроводников, 25:11 (1991),  2034–2037
2. Неаддитивность и неустойчивость фототока квазиоднородных пленок аморфного кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991),  334–336
3. Датчик электронов на основе кремниевого барьера Шоттки со слоем туннельно-прозрачного диэлектрика
   
   Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990),  1886–1888
4. Зависимость эффективной высоты потенциального барьера в М$-$ТД$-$П структурах при инфракрасной подсветке
   
   Физика и техника полупроводников, 24:3 (1990),  413–417
5. Межцентровые переходы носителей заряда в частично разупорядоченном кремнии: эксперимент и обсуждение результатов
   
   Физика твердого тела, 31:11 (1989),  206–213
6. Межцентровые переходы носителей заряда в частично разупорядоченном кремнии: расчет
   
   Физика твердого тела, 31:11 (1989),  197–205
7. Явление двухступенчатой фотогенерации носителей тока в эксиплексах
   
   Докл. АН СССР, 302:4 (1988),  839–841
8. Электрофизические свойства контактов с барьером Шоттки на аморфном гидрированном кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988),  461–464
9. Ионизационно-стимулированная перестройка дефектов в кремнии
   
   Письма в ЖТФ, 14:22 (1988),  2017–2021
10. Явление нарастания эффективности фотогенерации в аморфных полимерных полупроводниках в области поглощения комплекса с переносом заряда
    
    Докл. АН СССР, 294:5 (1987),  1093–1097
11. К вопросу об измерении релаксации емкости в спектроскопии глубоких уровней
    
    Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987),  653–656
12. Эффекты неаддитивности возбуждения фототока в контакте металл–гидрогенизированный аморфный кремний
    
    Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  661–664
13. Исследование спин-зависимой рекомбинации в пленках КНС
    
    Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985),  869–873
14. Спин-зависимая генерация неравновесных носителей заряда
    
    Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984),  1552–1555
15. ВАХ контакта металл–аморфный кремний для экспоненциального распределения плотности локализованных состояний
    
    Физика и техника полупроводников, 18:5 (1984),  873–876