Бушуйкин Павел Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Обнаружение осцилляций Рамсея в германии, легированном мелкими донорами, при возбуждении перехода $1s\to2p_0$
   
   Письма в ЖЭТФ, 116:3 (2022),  139–145
2. Времена релаксации и инверсия населенностей возбужденных состояний доноров As в германии
   
   Письма в ЖЭТФ, 110:10 (2019),  677–682
3. Излучательные свойства сильно легированных эпитаксиальных слоев нитрида индия
   
   Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1395–1400
4. Сравнительный анализ люминесценции слоев Ge : Sb, выращенных на подложках Ge(001) и Si(001)
   
   Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1354–1359
5. Плазмохимическое осаждение алмазоподобных пленок на поверхности монокристаллического высоколегированного алмаза
   
   Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1229–1232
6. Особенности спектров фотовозбуждения эпитаксиальных слоев InN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота
   
   Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1594–1598
7. Особенности роста InN методом МПЭ с плазменной активацией азота при различных соотношениях потоков элементов III и V групп
   
   Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  264–268