Головин Вячеслав Сергеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Оптимизация параметров резонатора мощных полупроводниковых лазеров InGaAs/AlGaAs/GaAs (λ = 1060 нм) для эффективной работы при сверхвысоких импульсных токах накачки
   
   Квантовая электроника, 53:1 (2023),  17–24
2. Анализ ватт-амперных характеристик мощных полупроводниковых лазеров (1060 нм) в рамках стационарной двумерной модели
   
   Квантовая электроника, 52:4 (2022),  343–350
3. Исследование пространственной динамики включения лазера-тиристора (905 нм) на основе многопереходной гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021),  466–472
4. Моделирование пространственной динамики включения лазера-тиристора ($\lambda$ = 905 нм) на основе многопереходной гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020),  478–483
5. Исследования процессов транспорта носителей заряда в изотипных гетероструктурах типа $n^{+}$-GaAs/$n^{0}$-GaAs/$n^{+}$-GaAs с тонким широкозонным барьером AlGaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020),  452–457
6. Выгорание продольного пространственного провала (LSHB) в мощных полупроводниковых лазерах: численный анализ
   
   Квантовая электроника, 50:2 (2020),  147–152
7. Особенности транспорта носителей заряда в структурах $n^{+}$–$n^{0}$–$n^{+}$ с гетеропереходом GaAs/AlGaAs при сверхвысоких плотностях тока
   
   Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019),  816–823
8. Экспериментальные исследования динамики распространения включенного состояния низковольтных лазеров-тиристоров на основе гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs
   
   Письма в ЖТФ, 45:8 (2019),  7–11
9. Исследование многомодовых полупроводниковых лазеров на основе гетероструктуры типа зарощенная меза
   
   Квантовая электроника, 49:12 (2019),  1172–1174