Подоскин Александр Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Быстродействующие токовые ключи на основе AlGaAs/GaAs-гетероструктур тиристоров с толстой $p$-базой (8 мкм)
   
   Физика и техника полупроводников, 59:10 (2025),  629–634
2. Мостиковые InAs/InAsSbP-фотодиоды: особенности технологии создания
   
   Физика и техника полупроводников, 59:8 (2025),  505–509
3. Оптимизация дизайна гетероструктуры InGaAsP/InP мощных лазерных диодов, излучающих на длине волны 1.55 мкм
   
   Физика и техника полупроводников, 59:3 (2025),  171–178
4. Источники мощных лазерных импульсов субнаносекундной длительности на основе структур тиристорный ключ-лазерный диод для спектрального диапазона 1500 nm
   
   Письма в ЖТФ, 51:17 (2025),  49–52
5. Источники мощных лазерных импульсов на длину волны 1550 nm на основе конструкций тиристорный ключ-лазер
   
   Письма в ЖТФ, 51:16 (2025),  21–25
6. Компактные источники мощных лазерных импульсов (940 nm) наносекундной длительности на основе вертикальных сборок полупроводниковый лазер–тиристорный ключ
   
   Письма в ЖТФ, 51:11 (2025),  7–10
7. Анализ механизмов насыщения мощных импульсных полупроводниковых лазеров на основе гетероструктуры InGaAsP/InP, излучающих на длине волны 1.55 мкм
   
   Квантовая электроника, 55:3 (2025),  141–145
8. Импульсный фотоактивируемый ключ на основе полупроводникового лазера и высоковольтного фотодиода AlGaAs/GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 58:12 (2024),  703–708
9. Дрейфовый перенос носителей заряда в кремниевых $p^+$–$n$–$n^+$-структурах при температурах $\le$100 мK
   
   Физика и техника полупроводников, 58:8 (2024),  415–423
10. Гибридные сборки тиристорный ключ-полупроводниковый лазер на основе гетероструктур Al–In–Ga–As–P/InP для мощных импульсных источников лазерного излучения (1400–1500 нм)
    
    Физика и техника полупроводников, 58:3 (2024),  165–170
11. Низковольтные токовые ключи на основе гетероструктур тиристоров Al–In–Ga–As–P/InP для импульсных лазерных излучателей (1.5 мкм) наносекундной длительности
    
    Физика и техника полупроводников, 58:3 (2024),  161–164
12. Влияние длины резонатора на выходную оптическую мощность полупроводниковых лазеров-тиристоров на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 58:2 (2024),  96–105
13. Динамика лазерной генерации микролинеек одномодовых полупроводниковых лазеров (1065 нм), работающих в режиме модуляции усиления
    
    Физика и техника полупроводников, 58:1 (2024),  42–48
14. Тиристорные ключи на основе гетеро- и гомоструктур (Al)GaAs/GaAs для генерации наносекундных импульсов тока с высокой частотой
    
    Письма в ЖТФ, 50:4 (2024),  43–46
15. Температурная зависимость выходной оптической мощности полупроводниковых лазеров-тиристоров на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs
    
    Квантовая электроника, 54:4 (2024),  218–223
16. Селекция латеральных мод микролинеек одномодовых лазерных диодов (1050 нм) во внешнем резонаторе
    
    Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023),  693–699
17. Сильноточные низковольтные ключи для импульсов нс-длительности на основе тиристорных гомо- и гетероструктур (Al)GaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023),  678–683
18. Люминесценция в $p$–$i$–$n$-структурах с компенсированными квантовыми ямами
    
    Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023),  663–673
19. Исследование динамики включения низковольтных InP-гомотиристоров
    
    Физика и техника полупроводников, 57:4 (2023),  295–300
20. Низковольтные гетеротиристоры InP для генерации импульсов тока длительностью 50–150 ns
    
    Письма в ЖТФ, 49:16 (2023),  29–32
21. Мощные многомодовые полупроводниковые лазеры (λ = 976 нм) на основе асимметричных гетероструктур с расширенным волноводом и пониженной расходимостью излучения в перпендикулярной плоскости
    
    Квантовая электроника, 53:5 (2023),  374–378
22. Источник мощного импульсного лазерного излучения (1060 нм) с высокой частотой следования импульсов на основе гибридной сборки линейки лазерных диодов и 2D массива оптотиристоров как высокоскоростного токового ключа
    
    Квантовая электроника, 53:1 (2023),  11–16
23. Квазинепрерывные микролинейки мощных полупроводниковых лазеров (λ = 976 нм) с увеличенной длиной резонатора на основе асимметричных гетероструктур с широким волноводом
    
    Квантовая электроника, 53:1 (2023),  6–10
24. Лазерные диоды (850 нм) на основе асимметричной AlGaAs/GaAs-гетероструктуры с объемной активной областью для генерации мощных субнаносекундных оптических импульсов
    
    Квантовая электроника, 53:1 (2023),  1–5
25. Мощные лазерные диоды на основе InGaAs(Р)/Al(In)GaAs(P)/GaAs-гетероструктур с низкими внутренними оптическими потерями
    
    Квантовая электроника, 52:12 (2022),  1152–1165
26. Вертикальные стеки мощных импульсных (100 нc) полупроводниковых лазеров киловаттного уровня пиковой мощности на основе мезаполосковых волноводов со сверхширокой (800 мкм) апертурой на длине волны 1060 нм
    
    Квантовая электроника, 52:2 (2022),  171–173
27. Исследование пространственной динамики включения лазера-тиристора (905 нм) на основе многопереходной гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021),  466–472
28. Анализ пороговых условий и эффективности генерации замкнутых мод в больших прямоугольных резонаторах на основе лазерных гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021),  460–465
29. Мощные полупроводниковые гибридные импульсные лазерные излучатели в диапазоне длин волн 900–920 нм
    
    Квантовая электроника, 51:10 (2021),  912–914
30. Ватт-амперные характеристики мощных импульсных полупроводниковых лазеров (1060 нм), работающих при повышенных (до 90 °С) температурах
    
    Квантовая электроника, 51:2 (2021),  129–132
31. Экспериментальная методика исследования оптического поглощения в волноводных слоях полупроводниковых лазерных гетероструктур
    
    Квантовая электроника, 51:2 (2021),  124–128
32. Исследование пространственной и токовой динамики оптических потерь в полупроводниковых лазерных гетероструктурах методом оптического зондирования
    
    Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  734–742
33. Модель управления конкуренцией замкнутых модовых структур в прямоугольных резонаторах большого размера на основе лазерных гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020),  484–489
34. Моделирование пространственной динамики включения лазера-тиристора ($\lambda$ = 905 нм) на основе многопереходной гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020),  478–483
35. Исследования процессов транспорта носителей заряда в изотипных гетероструктурах типа $n^{+}$-GaAs/$n^{0}$-GaAs/$n^{+}$-GaAs с тонким широкозонным барьером AlGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020),  452–457
36. Тройной интегрированный лазер-тиристор
    
    Квантовая электроника, 50:11 (2020),  1001–1003
37. Особенности формирования замкнутых модовых структур в прямоугольных резонаторах на основе гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs для мощных полупроводниковых лазеров
    
    Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019),  839–843
38. Особенности транспорта носителей заряда в структурах $n^{+}$–$n^{0}$–$n^{+}$ с гетеропереходом GaAs/AlGaAs при сверхвысоких плотностях тока
    
    Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019),  816–823
39. Экспериментальные исследования динамики распространения включенного состояния низковольтных лазеров-тиристоров на основе гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 45:8 (2019),  7–11
40. Двойной интегрированный лазер-тиристор
    
    Квантовая электроника, 49:11 (2019),  1011–1013
41. Полностью оптическая ячейка-модулятор на основе AlGaAs/GaAs/InGaAs-гетероструктур на длину волны 905 nm
    
    Письма в ЖТФ, 43:2 (2017),  31–37
42. Модель оптической ячейки на основе конкуренции генерации модовых структур различной добротности в мощных полупроводниковых лазерах
    
    Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1108–1114
43. Картирование интенсивности излучения лазерного диода методом атомно-силовой микроскопии
    
    Письма в ЖТФ, 41:18 (2015),  8–15
44. Эффективность управления мощного лазера-тиристора, излучающего в спектральном диапазоне 890–910 нм
    
    Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014),  716–718
45. Многоволновый интегральный оптический модулятор лазерного излучения на основе полупроводниковых гетероструктур
    
    Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014),  710–715
46. Анализ излучательной эффективности мощных полупроводниковых лазеров при выполнении пороговых условий генерации для замкнутой моды
    
    Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014),  705–709
47. Полупроводниковые лазеры (1020–1100 нм) с асимметричным расширенным одномодовым волноводом на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1082–1086
48. Полупроводниковые лазеры с внутренней селекцией излучения
    
    Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  124–128
49. Инжекционные полупроводниковые лазеры InGaAs/GaAs с волноводом на одиночной квантовой яме
    
    Письма в ЖТФ, 39:8 (2013),  9–16
50. Анализ условий срыва генерации мод резонатора Фабри–Перо в полупроводниковых лазерах с полосковым контактом
    
    Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011),  1431–1438
51. Спектры электролюминесценции и поглощения полупроводниковых лазеров с низкими оптическими потерями на основе квантово-размерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 45:5 (2011),  682–687
52. Анализ пороговых условий генерации замкнутой моды в полупроводниковых лазерах Фабри–Перо
    
    Физика и техника полупроводников, 45:5 (2011),  672–676
53. Температурная зависимость пороговой плотности тока и внешней дифференциальной квантовой эффективности в полупроводниковых лазерах ($\lambda$ = 900–920 нм)
    
    Физика и техника полупроводников, 44:10 (2010),  1417–1421
54. Температурная зависимость внутренних оптических потерь в полупроводниковых лазерах ($\lambda$ = 900–920 нм)
    
    Физика и техника полупроводников, 44:10 (2010),  1411–1416
55. Импульсные полупроводниковые лазеры с повышенной оптической прочностью выходных зеркал резонатора
    
    Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010),  817–821
56. Температурная делокализация носителей заряда в полупроводниковых лазерах
    
    Физика и техника полупроводников, 44:5 (2010),  688–693