Воропаев Кирилл Олегович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Исследование температурной зависимости темновых токов pin-фотодиодов на основе эпитаксиальных гетероструктур In$_{0.83}$Ga$_{0.17}$As/InP с метаморфными буферными слоями
   
   Физика и техника полупроводников, 58:7 (2024),  358–364
2. Анализ процесса диффузии Zn из газовой фазы в материалах InGaAs/InP
   
   Письма в ЖТФ, 50:22 (2024),  48–52
3. Ширина линии излучения одномодовых вертикально излучающих лазеров спектрального диапазона 1.55 $\mu$m, реализованных с помощью молекулярно-пучковой эпитаксии и технологии спекания пластин
   
   Оптика и спектроскопия, 131:11 (2023),  1486–1489
4. Ширина линии излучения и $\alpha$-фактор вертикально излучающих лазеров на основе квантовых ям InGaAs/InGaAlAs спектрального диапазона 1.55 $\mu$m
   
   Оптика и спектроскопия, 131:8 (2023),  1095–1100
5. Высокоскоростные одномодовые вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1550 нм
   
   Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022),  814–823
6. Быстродействующие вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1550 нм, реализованные в рамках технологии спекания пластин
   
   Квантовая электроника, 52:10 (2022),  878–884
7. Исследование характеристик сверхрешетки InGaAs/InAlGaAs для вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1300 nm
   
   ЖТФ, 91:12 (2021),  2008–2017
8. Анализ внутренних оптических потерь вертикально-излучающего лазера спектрального диапазона 1.3 $\mu$m с туннельным переходом на основе слоев $n^{+}$-InGaAs/$p^{+}$-InGaAs/$p^{+}$-InAlGaAs
   
   Письма в ЖТФ, 47:23 (2021),  3–7
9. Влияние латерального оптического ограничения на характеристики вертикально-излучающих лазеров cпектрального диапазона 1.55 $\mu$m с заращенным туннельным переходом
   
   Письма в ЖТФ, 47:22 (2021),  3–8
10. Грибовидная меза-структура для лавинных фотодиодов на гетероструктурах InAlAs/InGaAs
    
    Письма в ЖТФ, 47:21 (2021),  36–38
11. Вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1.55 мкм, изготовленные по технологии спекания гетероструктур, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии из твердотельных источников
    
    Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1088–1096
12. Эффект насыщающегося поглотителя в длинноволновых вертикально-излучающих лазерах, реализованных по технологии спекания
    
    Письма в ЖТФ, 46:24 (2020),  49–54
13. Вертикально-излучающий лазер спектрального диапазона 1.55 $\mu$m с туннельным переходом на основе слоев $n^{++}$-InGaAs/$p^{++}$-InGaAs/$p^{++}$-InAlGaAs
    
    Письма в ЖТФ, 46:17 (2020),  21–25
14. Оптическое усиление в лазерных гетероструктурах с активной областью на основе короткопериодной сверхрешетки InGaAs/InGaAlAs
    
    Оптика и спектроскопия, 127:6 (2019),  963–966
15. Анализ внутренних оптических потерь вертикально-излучающего лазера спектрального диапазона 1.55 $\mu$m, сформированного методом спекания пластин
    
    Оптика и спектроскопия, 127:1 (2019),  145–149
16. Влияние потерь на вывод излучения на динамические характеристики вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1.55 мкм, изготовленных методом спекания эпитаксиальных пластин
    
    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1128–1134
17. Перестраиваемый источник одночастотного излучения на основе массива РОС-лазеров для спектрального диапазона 1.55 мкм
    
    Квантовая электроника, 49:12 (2019),  1158–1162
18. РОС-лазеры с высоким коэффициентом связи для спектральной области 1.55 мкм
    
    Квантовая электроника, 49:9 (2019),  801–803
19. Оптическое усиление гетероструктур с множественными квантовыми ямами в диапазоне длин волн 1550 nm и предельные частоты модуляции вертикально-излучающих лазеров на их основе
    
    Оптика и спектроскопия, 125:2 (2018),  229–233
20. Вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1.55 $\mu$m, сформированные методом спекания
    
    Письма в ЖТФ, 44:1 (2018),  59–66