Солдатенков Федор Юрьевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Контактные системы “мостикового” типа в InGaAs/InP фотоэлектрических преобразователях
   
   ЖТФ, 96:2 (2026),  345–350
2. Влияние типа подложки-носителя на резистивные и оптические свойства AlGaAs/GaInAs светоизлучающих инфракрасных диодов
   
   ЖТФ, 96:2 (2026),  330–335
3. Выявление условий формирования глубоких состояний дислокаций несоответствия и DX-центров в гетероэпитаксиальных слаболегированных Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_{1-y}$Sb$_y$/GaAs-слоях
   
   Физика и техника полупроводников, 59:3 (2025),  165–170
4. Микроразмерные GaSb фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения высокой плотности
   
   Письма в ЖТФ, 51:4 (2025),  50–53
5. Выявление основных каналов рекомбинации в слабо легированных слоях GaAs $p$–$i$–$n$-диодов до и после облучения 1 МэВ нейтронами
   
   Физика и техника полупроводников, 58:8 (2024),  453–460
6. Влияние свойств тыльного отражателя на характеристики инфракрасных светоизлучающих диодов на основе AlGaAs/GaAs-гетероструктуры
   
   Письма в ЖТФ, 50:18 (2024),  22–26
7. Контактные системы для фотоэлектрических преобразователей на основе InGaAsP/InP
   
   Письма в ЖТФ, 50:5 (2024),  28–31
8. Исследование технологии изготовления мощных ИК (850 nm) светодиодов, получаемых методом переноса AlGaAs–GaAs-гетероструктуры на подложку-носитель
   
   ЖТФ, 93:1 (2023),  170–174
9. Дефекты с глубокими уровнями в высоковольтных плавных $p$–$i$–$n$-гетеропереходах AlGaAsSb/GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023),  644–647
10. Обнаружение клиновидных нанокластеров золота на поверхности GaAs и их изучение с помощью поляризационной спектроскопии плазмонов
    
    Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  484–490
11. Проявление диполь-дипольного и квадрупольного взаимодействий в спектре коррелятора оптически охлажденных ядерных спинов объемного кристалла $n$-GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 57:4 (2023),  265–269
12. Фронтальный контакт к GaSb-фотопреобразователям: свойства и температурная стабильность
    
    Физика и техника полупроводников, 57:1 (2023),  35–41
13. Влияние режимов формирования контактной системы Pd/Ge/Au к $n$-GaAs на ее электрические характеристики
    
    Письма в ЖТФ, 49:3 (2023),  15–18
14. Влияние химической пассивации поверхности GaAs(001) на анизотропию и ориентацию образующихся на ней нанокластеров золота и их плазмонов
    
    Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  613–617
15. Влияние нейтронного облучения на спектр дефектов с глубокими уровнями в GaAs, изготовленном методом жидкофазной эпитаксии в атмосфере водорода и аргона
    
    Физика и техника полупроводников, 56:1 (2022),  53–60
16. Инфракрасные (850 нм) светодиоды с множественными квантовыми ямами InGaAs и “тыльным” отражателем
    
    Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  699–703
17. Емкостная спектроскопия гетероэпитакиальных AlGaAs/GaAs $p$–$i$–$n$-структур
    
    Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1072–1078
18. Исследование омических контактов мощных фотоэлектрических преобразователей
    
    Письма в ЖТФ, 45:1 (2019),  12–15
19. Annealing atmosphere influence on contact resistivity of ohmic Pd/Ge/Au contact to n-GaAs
    
    Наносистемы: физика, химия, математика, 9:6 (2018),  789–792
20. Влияние глубоких уровней дислокаций в гетероэпитаксиальных InGaAs/GaAs и GaAsSb/GaAs $p$–$i$–$n$-структурах на время релаксации неравновесных носителей
    
    Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  177–183
21. Анодные процессы в условиях химического и электрохимического травления кристаллов кремния в кислых фторидных растворах. Механизм порообразования
    
    Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  481–496
22. Исследования глубоких уровней GaAs $p$–$i$–$n$-структур
    
    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  941–945
23. Фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения для длин волн $\lambda\approx$ 1550 нм на основе GaSb
    
    Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1104–1107
24. Оценка качества GaAs-подложек, используемых для изготовления силовых полупроводниковых приборов
    
    ЖТФ, 84:10 (2014),  149–152
25. Пористый кремний и его применение в биологии и медицине
    
    ЖТФ, 84:1 (2014),  67–78
26. Температурная стабильность контактных систем фотоэлектрических преобразователей на основе GaSb
    
    Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014),  1280–1286
27. Поверхность пористого кремния в процессах гидрофилизации и гидролитической деградации
    
    Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014),  1243–1248
28. Снижение омических потерь и повышение мощности фотоэлектрических преобразователей на основе антимонида галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 45:9 (2011),  1266–1273
29. Тиристоры на основе гетероструктур GaAs–AlGaAs с полностью оптической связью
    
    Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011),  524–527
30. Механизм протекания тока в омическом контакте к $n$-4H-SiC
    
    Физика и техника полупроводников, 44:4 (2010),  482–485