|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
High-frequency electron spin resonance study of a single crystal of Egyptian blue at 4.2 K
Mendeleev Commun., 36:2 (2026), 209–210
-
New metal-free dye with an acceptor-anchor group of thieno[3,2-b]thiophene family for dye-sensitized solar cells
Mendeleev Commun., 36:1 (2026), 72–75
-
CsPbBr3 and Cs4PbBr6 perovskite nanoparticles: hidden potential of Cs4PbBr6 or ineffective fluorescence?
Mendeleev Commun., 35:2 (2025), 193–195
-
Formation of laser-induced periodic surface structures on an As$_{50}$Se$_{50}$ film under femtosecond laser irradiation with wavelengths of 400–800 nm
Наносистемы: физика, химия, математика, 16:6 (2025), 908–914
-
Эволюция люминесцентных свойств одиночных нанокристаллов перовскита CsPbBr$_3$ в процессе фотодеградации
Письма в ЖЭТФ, 118:8 (2023), 570–577
-
Формирование периодических двухфазных структур на поверхности аморфных пленок Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$ при воздействии ультракоротких лазерных импульсов различной длительности и частоты следования
Оптика и спектроскопия, 131:2 (2023), 196–201
-
Кинетика обратимых фазовых переходов в тонких пленках Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$ при фемтосекундном лазерном облучении
Оптика и спектроскопия, 131:2 (2023), 145–153
-
New thieno[3,2-b]indole conjugates with 5-(methylene)rhodanine-3-acetic acid in dye-sensitized solar cells
Mendeleev Commun., 32:4 (2022), 523–526
-
Материалы фазовой памяти и их применение
Усп. хим., 91:9 (2022), 1–39
-
Influence of thermal treatment of nanometer-sized titanate and barium orthotitanate precursors on the electrorheological effect
Наносистемы: физика, химия, математика, 9:6 (2018), 746–753
-
Диэлектрические свойства нанокристаллического оксида вольфрама в области температур 223–293 K
Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 745–750
-
Лазерно-индуцированная модификация поверхности тонких пленок Ge$_{2}$Sb$_{2}$Te$_{5}$: фазовые изменения и формирование периодических структур
Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018), 664–670
-
Bis(4-cyano-1-pyridino)pentane halobismuthates. Light-harvesting material with an optical band gap of 1.59 eV
Mendeleev Commun., 27:3 (2017), 271–273
-
Электрофизические свойства и механизмы переноса в тонких пленках материалов фазовой памяти на основе халькогенидных полупроводников квазибинарного разреза GeTe–Sb$_{2}$Te$_{3}$
Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 154–160
-
Осцилляции напряжения при эффекте переключения в режиме токовой моды в тонких слоях халькогенидов системы Ge–Sb–Te
Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 958–962
-
Позитроника радиационно-индуцированных эффектов в халькогенидных стеклообразных полупроводниках
Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015), 307–313
-
Особенности вольт-амперных характеристик в тонких пленках состава Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$ при использовании измерительной цепи с источником тока
ЖТФ, 84:4 (2014), 80–84
-
Влияние висмута на оптические свойства тонких пленок Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$
Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014), 597–603
-
Фазовые переходы в тонких пленках халькогенидов Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$ по данным комбинационного рассеяния света
Физика и техника полупроводников, 46:5 (2012), 609–612
-
Valence band structure of binary chalcogenide vitreous semiconductors by high-resolution XPS
Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011), 433–436
-
Фотолюминесценция Er в соединении ErQ$_3$, перспективного для создания органических светоизлучающих диодов
Письма в ЖТФ, 37:15 (2011), 47–54
© , 2026