Вейс Александр Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Оптическое поглощение, связанное с межзонными и межподзонными переходами электронов в теллуриде висмута
   
   Физика и техника полупроводников, 56:2 (2022),  169–172
2. Структура зоны проводимости теллурида висмута по данным оптического поглощения
   
   Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017),  873–876
3. Ширина запрещенной зоны и тип оптических переходов на пороге межзонного поглощения в твердых растворах на основе теллурида висмута
   
   Физика твердого тела, 54:11 (2012),  2051–2057
4. Влияние обменного взаимодействия электронов на параметры зонной структуры и примесных состояний в селениде свинца
   
   Физика и техника полупроводников, 25:11 (1991),  1934–1940
5. Исследование эффектов, возникающих в $\mathrm{PbTe}$ при ионной имплантации большими дозами
   
   Докл. АН СССР, 315:3 (1990),  600–603
6. Примесные состояния индия в PbS
   
   Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990),  2155–2159
7. Исследование коэффициента поглощения в PbTe, имплантированном цинком
   
   Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990),  126–130
8. Примесь индия в селениде свинца — центр с отрицательной корреляционной энергией
   
   Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989),  1230–1234
9. Примесные состояния таллия в сульфиде свинца по данным ИК поглощения
   
   Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989),  185–187
10. Резонансные состояния, связанные с вакансиями халькогена, в электронном сульфиде свинца
    
    Физика и техника полупроводников, 22:8 (1988),  1514–1516
11. Резонансные уровни в сильно компенсированном $p$-PbTe по данным ИК поглощения
    
    Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988),  349–352
12. Электрофизические и оптические свойства $p\text{-PbTe}\langle\text{Ag}\rangle$
    
    Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988),  171–173
13. Квазилокальные уровни в PbSe$\langle$In$\rangle$
    
    Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987),  2091–2094
14. Исследование коэффициента поглощения в ионно-имплантированном теллуриде свинца
    
    Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987),  946–949
15. Энергетические уровни, связанные с собственными дефектами в электронном сульфиде свинца
    
    Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987),  743–746
16. Температурные зависимости положения квазилокальных уровней в PbTe, легированном примесями III группы
    
    Физика и техника полупроводников, 21:2 (1987),  263–266
17. Энергетический спектр вакансий халькогена в электронном селениде свинца по данным оптического поглощения
    
    Докл. АН СССР, 289:6 (1986),  1355–1360
18. Исследование резонансных состояний, связанных с собственными дефектами в $p$-PbSe
    
    Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986),  160–161
19. Энергетические уровни, связанные с комплексами, в PbTe, легированном примесями III группы
    
    Физика и техника полупроводников, 19:11 (1985),  2055–2058
20. О природе разновалентных состояний примесей IV группы в халькогенидах свинца
    
    Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985),  941–944
21. Особенности спектров поглощения $p$-PbSe с изовалентными примесями замещения
    
    Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984),  1723–1726
22. Исследование коэффициента поглощения в $n$-PbTe, легированном бором
    
    Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984),  475–478
23. Энергетический спектр твердых растворов PbSe$_{1-x}$Te$_{x}$, легированных примесью таллия
    
    Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983),  1948–1952
24. Особенности спектральных зависимостей коэффициента поглощения в халькогенидах свинца, легированных индием, в области края фундаментальной полосы
    
    Физика и техника полупроводников, 17:2 (1983),  363–366