Ляйсте Г

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Структурно-спектроскопические исследования эпитаксиальных слоев GaAs, выращенных на податливых подложках на основе сверхструктурного слоя и протопористого кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021),  86–95
2. Влияние слоя нанопористого кремния на практическую реализацию и особенности эпитаксиального роста слоев GaN на темплейтах SiC/$por$-Si/$c$-Si
   
   Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020),  491–503
3. Структурные и морфологичеcкие свойства гибридных гетероструктур на основе GaN, выращенного на “податливой” подложке por-Si(111)
   
   Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1141–1151
4. Влияние буферного слоя por-Si на оптические свойства эпитаксиальных гетероструктур In$_{x}$Ga$_{1-x}$N/Si(111) с наноколончатой морфологией пленки
   
   Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019),  70–76
5. Электронные и оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/por-Si(111)
   
   Квантовая электроника, 49:6 (2019),  545–551
6. Влияние буферного слоя $por$-Si на структуру и морфологию эпитаксиальных гетероструктур In$_{x}$Ga$_{1-x}$N/Si(111)
   
   Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1553–1562
7. Влияние разориентации подложки на состав, структурные и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев, выращенных на GaAs(100)
   
   Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  118–124
8. Эпитаксиальные твердые растворы Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As : Mg с различным типом проводимости
   
   Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  124–132
9. Структурные и оптические свойства GaAs(100) с тонким приповерхностным слоем, легированным хромом
   
   Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  869–876
10. Структурные и оптические свойства высоколегированных твердых растворов Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_{1-y}$P$_y$ : Mg, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014),  1123–1131
11. Структура и оптические свойства гетероструктур на основе твердых растворов (Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_{1-y}$P$_y$)$_{1-z}$Si$_z$, полученных методом MOCVD
    
    Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  23–31


12. Рентгеноструктурные исследования гетероструктур на основе твердых растворов Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_y$P$_{1-y}$ : Si
    
    Физика твердого тела, 55:10 (2013),  2046–2049