RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Арсентьев Иван Никитич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Рост тонкопленочных AlGaN/GaN эпитаксиальных гетероструктур на гибридных подложках, содержащих слои карбида кремния и пористого кремния

    Физика и техника полупроводников, 56:6 (2022),  547–552
  2. Свойства податливых подложек на основе пористого кремния, сформированных двухстадийным травлением

    Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1021–1026
  3. Влияние предобработки подложки кремния на свойства пленок GaN, выращенных методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  704–710
  4. Структурно-спектроскопические исследования эпитаксиальных слоев GaAs, выращенных на податливых подложках на основе сверхструктурного слоя и протопористого кремния

    Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021),  86–95
  5. Спектроскопические исследования интегрированных гетероструктур GaAs/Si

    Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021),  34–40
  6. Влияние слоя нанопористого кремния на практическую реализацию и особенности эпитаксиального роста слоев GaN на темплейтах SiC/$por$-Si/$c$-Si

    Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020),  491–503
  7. Оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/SiC/$por$-Si/Si(111)

    Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  346–354
  8. Фазовый состав, морфология, оптические и электронные характеристики наноразмерных пленок AlN, выращенных на подложках GaAs(100) с разориентацией

    Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1584–1592
  9. Структурные и морфологичеcкие свойства гибридных гетероструктур на основе GaN, выращенного на “податливой” подложке por-Si(111)

    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1141–1151
  10. Исследование вольт-амперных характеристик новых гетероструктур MnO$_{2}$/GaAs(100) и V$_{2}$O$_{5}$/GaAs(100), прошедших термическую обработку

    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1074–1079
  11. Исследование влияния переходного слоя нанопористого кремния на атомное и электронное строение, а также оптические свойства гетероструктур A$^{\mathrm{III}}$N/por-Si, выращенных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019),  1010–1016
  12. Влияние буферного слоя por-Si на оптические свойства эпитаксиальных гетероструктур In$_{x}$Ga$_{1-x}$N/Si(111) с наноколончатой морфологией пленки

    Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019),  70–76
  13. Электронные и оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/por-Si(111)

    Квантовая электроника, 49:6 (2019),  545–551
  14. Влияние буферного слоя $por$-Si на структуру и морфологию эпитаксиальных гетероструктур In$_{x}$Ga$_{1-x}$N/Si(111)

    Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1553–1562
  15. Влияние режимов электрохимического травления на морфологию, структурные и оптические свойства пористого арсенида галлия

    Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  1041–1048
  16. Влияние разориентации подложки и ее предварительного травления на структурные и оптические свойства интегрированных гетероструктур GaAs/Si(100), полученных методом газофазной эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  881–890
  17. Влияние разориентации подложки на состав, структурные и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев, выращенных на GaAs(100)

    Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  118–124
  18. Экспериментальные исследования влияния эффектов атомного упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах Ga$_{x}$In$_{1-x}$P на их оптические свойства

    Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1160–1167
  19. Экспериментальные исследования влияния эффектов атомного упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах Ga$_{x}$In$_{1-x}$P на их структурные и морфологические свойства

    Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1131–1137
  20. Эпитаксиальные твердые растворы Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As : Mg с различным типом проводимости

    Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  124–132
  21. Особенности роста и структурно-спектроскопические исследования нанопрофилированных пленок AlN, выращенных на разориентированных подложках GaAs

    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1283–1294
  22. Структурные и оптические свойства GaAs(100) с тонким приповерхностным слоем, легированным хромом

    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  869–876
  23. Свойства нитрида алюминия, полученного методом реактивного ионно-плазменного распыления

    Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015),  1429–1433
  24. Гетероструктуры Al$_x$Ga$_{1-x}$As/GaAs(100) с аномально высокой подвижностью носителей заряда

    Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1043–1049
  25. Исследования наноразмерных пленок Al$_2$O$_3$, полученных на пористом кремнии методом ионно-плазменного распыления

    Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  936–941
  26. Структура и оптические свойства тонких пленок Al$_2$O$_3$, полученных методом реактивного ионно-плазменного распыления на подложках GaAs(100)

    Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014),  1564–1569
  27. Структурные и оптические свойства высоколегированных твердых растворов Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_{1-y}$P$_y$ : Mg, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014),  1123–1131
  28. Структура и оптические свойства гетероструктур на основе твердых растворов (Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_{1-y}$P$_y$)$_{1-z}$Si$_z$, полученных методом MOCVD

    Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  23–31
  29. Пассивация поверхности GaP(111) обработкой в парах селена

    Письма в ЖТФ, 40:3 (2014),  20–26
  30. Полупроводниковые лазеры с внутренней селекцией излучения

    Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  124–128
  31. Свойства эпитаксиальных твердых растворов (Al$_x$Ga$_{1-x}$As)$_{1-y}$C$_y$, выращенных МОС-гидридной автоэпитаксией

    Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  9–14
  32. Сверхструктурное упорядочение в твердых растворах Al$_x$Ga$_{1-x}$As и Ga$_x$In$_{1-x}$P

    Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  3–8
  33. Влияние финишной подготовки поверхности арсенида галлия на спектр электронных состояний $n$-GaAs(100)

    Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012),  756–760
  34. Структурные и спектральные особенности МОС-гидридных твердых растворов Al$_x$Ga$_y$In$_{1-x-y}$As$_z$P$_{1-z}$/ GaAs(100)

    Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012),  739–750
  35. Спинодальный распад четверных твердых растворов Ga$_x$In$_{1-x}$As$_y$P$_{1-y}$

    Физика и техника полупроводников, 45:11 (2011),  1489–1497
  36. Влияние кремния на релаксацию кристаллической решетки в гетероструктурах Al$_x$Ga$_{1-x}$As : Si/GaAs(100), полученных МОС-гидридным методом

    Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011),  488–499
  37. Релаксация параметров кристаллической решетки и структурное упорядочение в эпитаксиальных твердых растворах In$_x$Ga$_{1-x}$As

    Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010),  1140–1146
  38. Субструктура и люминесценция низкотемпературных гетероструктур AlGaAs/GaAs(100)

    Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010),  194–199
  39. Спектральные характеристики InGAAsP/GaAs $\langle111\rangle$ ЖФЭ-лазеров ($\lambda=0.8$ мкм), предназначенных для накачки YAG : Nd$^{3+}$

    Письма в ЖТФ, 15:15 (1989),  45–49
  40. Квантово-размерные InGaAsP/GaAs (${\lambda=0.86\div0.78}$ мкм) лазеры раздельного ограничения (${J_{\text{п}}=100\,\text{А/см}^{2}}$, КПД${}=59$%)

    Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1031–1034
  41. Мощный непрерывный InGaAsP/GaAs гетеролазер с диэлектрическим зеркалом ($I_{\text{nop}}=100\,\text{А/см}^{2}$, $P=1.1$ Вт, КПД = 66%, $T=10^{\circ}$С)

    Письма в ЖТФ, 14:8 (1988),  699–702
  42. Многослойные периодические структуры в системе Jn$-$Ga$-$As$-$Р, полученные методом жидкостной эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 14:7 (1988),  593–597
  43. Низкопороговые квантово-размерные InGaAsP/GaAs РО ДГ лазеры, изготовленные методом жидкостной эпитаксии (${\lambda=0.86}$ мкм, ${I_{\text{п}}=90\,\text{А/см}^{2}}$, ${L=\infty}$; ${I_{\text{п}}=165\,\text{А/см}^{2}}$, ${L=1150}$ мкм, ${T=300}$ K)

    Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987),  1501–1503
  44. Квантово-размерные эффекты в жидкофазных InGaAsP/GaAs-гетероструктурах с толщиной активной области от 40 до 300 Å

    Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987),  178–181
  45. Квантово-размерные InGaAsP/GaAs РО ДГ лазеры, изготовленные методом жидкостной эпитаксии (${\lambda=0.79}$ мкм, ${I_{\text{п}}=124\,\text{А/см}^{2}}$, ${T=300}$ K)

    Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987),  162–164
  46. Видимые $In\,Ga\,As\,P/Ga\,As\,P$ РО ДГ лазеры, изготовленные методом жидкостной эпитаксии ($\lambda=0.65\div0.67$ мкм, $I_n=3\div0.8\,\text{кА}/\text{см}^{2}$; $P=5$ мВт, $\lambda=0.665$ мкм, $T=300$ K)

    Письма в ЖТФ, 13:6 (1987),  372–374
  47. Фотолюминесценция InGaAsP/GaAs квантово-размерных гетероструктур, полученных методом жидкостной эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986),  2145–2149
  48. Эффективность люминесценции и скорость граничной рекомбинации в гетероструктурах в системах Al$-$Ga$-$As и In$-$Ga$-$As$-$P

    Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  708–712
  49. 0.677  мкм — непрерывный инжекционный РО InGaAsP/GaAsP ДГ лазер, полученный жидкостной эпитаксией

    Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985),  1115–1118
  50. Оже-профили состава и люминесцентные исследования жидкофазных InGaAsP-гетероструктур с активными областями ${(1.5\div5)\cdot10^{-6}}$  см

    Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985),  1108–1114
  51. Непрерывный РО InGaAsP/GaAs ДГС ЖЭ лазер с мощностью 77 мВт (${T=300}$ K, ${\lambda=0.87}$ мкм)

    Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985),  136–138
  52. Непрерывный коротковолновый ($\lambda=0.677$ мкм) инжекционный лазер на основе $In\,Ga\,As\,P/Ga\,As\,P$ РО ДГС с мощностью $10$ мВт

    Письма в ЖТФ, 11:19 (1985),  1153–1157
  53. Полосковые лазеры на основе РО $In\,Ga\,As\,P/Ga\,As$ ДГС ($\lambda\simeq0.87$ мкм) с тонкой активной областью

    Письма в ЖТФ, 11:4 (1985),  205–209
  54. Инжекционные РО InGaAsP/InP ДГС лазеры с порогом $300\,\text{А/см}^{2}$ (четырехсколотые образцы, ${\lambda=1.25}$ мкм, ${T=300}$ K)

    Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984),  2057–2060
  55. Спонтанные и когерентные излучательные переходы в InGaAsP/InP ДГС с тонкой активной областью (${d_{\text{а}}=2\cdot10^{-5}\div2\cdot10^{-6}}$ см), полученные методом жидкостной эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984),  2041–2045
  56. Низкопороговые инжекционные InGaAsP/GaAs ДГС лазеры с раздельным ограничением, полученные методом жидкостной эпитаксии (${\lambda=0.78\div0.87}$ мкм, ${I_{\text{пор}}=460\,\text{А/см}^{2}}$, ${T=300}$ K)

    Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984),  1655–1659
  57. Низкопороговые видимые GaInAsP/GaAsP ДГ лазеры (${T=300}$ K, ${\lambda=0.70{-}0.66}$ мкм, ${I_{\text{пор}}\simeq1.5{-}3.2\,\text{кА}/\text{см}^{2}}$)

    Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984),  757–758
  58. Видимые низкопороговые импульсные и непрерывные InGaAsP/InGaP/GaAs ДГ лазеры на область 0.73$-$0.79 мкм (${T=300}$ K, ${I_{n}=3.5{-}1.3\,\text{мА}/\text{см}^{2}}$)

    Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984),  162–165
  59. Температурная зависимость порога генерации в ДГ-InGaAsP/GaAs-структурах (${\lambda_{\text{ген}}=729}$ нм, ${T\geqslant300}$ K, ${J_{\text{пор}}\geqslant5\cdot10^{3}\,\text{А/см}^{2}}$)

    Физика и техника полупроводников, 17:5 (1983),  843–846
  60. Фотолюминесцентные исследования перераспределения неравновесных носителей заряда в InGaAsP/InP с двумя активными областями

    Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983),  714–717
  61. Фотолюминесценция двойной гетероструктуры при возбуждении широкозонного эмиттера

    Физика и техника полупроводников, 17:2 (1983),  242–246

  62. Фотолюминесцентные свойства высоколегированных гетероструктур на основе твердых растворов (Al$_x$Ga$_{1-x}$As)$_{1-y}$Si$_y$

    Физика твердого тела, 55:10 (2013),  2054–2057
  63. Рентгеноструктурные исследования гетероструктур на основе твердых растворов Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_y$P$_{1-y}$ : Si

    Физика твердого тела, 55:10 (2013),  2046–2049

© МИАН, 2026