Мизеров Андрей Михайлович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Электронная структура валентной зоны нитрида галлия при адсорбции натрия
   
   Физика твердого тела, 67:4 (2025),  617–623
2. Исследования наноразмерных колончатых гетероструктур Al$_x$Ga$_{1-x}$N/AlN, выращенных на подложках кремния с различными модификациями поверхности
   
   ЖТФ, 94:1 (2024),  138–150
3. Изменение электронной структуры поверхности GaN/Si(111) при адсорбции Li
   
   Физика и техника полупроводников, 56:10 (2022),  961–965
4. Рост тонкопленочных AlGaN/GaN эпитаксиальных гетероструктур на гибридных подложках, содержащих слои карбида кремния и пористого кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 56:6 (2022),  547–552
5. Влияние быстрого термического отжига на распределение атомов азота в GaAsN/GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1077–1080
6. Влияние предобработки подложки кремния на свойства пленок GaN, выращенных методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  704–710
7. Влияние слоя нанопористого кремния на практическую реализацию и особенности эпитаксиального роста слоев GaN на темплейтах SiC/$por$-Si/$c$-Si
   
   Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020),  491–503
8. Оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/SiC/$por$-Si/Si(111)
   
   Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  346–354
9. Фотоэмиссионные исследования электронной структуры GaN, выращенного методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота
   
   Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2294–2297
10. Метод управления полярностью слоев GaN при эпитаксиальном синтезе GaN/AlN гетероструктур на гибридных подложках SiC/Si
    
    Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2289–2293
11. Металл-усиленное фотохимическое травление N- и Ga-полярных эпитаксиальных слоев GaN
    
    Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1726–1732
12. Особенности МПЭ ПА синтеза слоев $n^{+}$-GaN на виртуальных подложках GaN/$c$-Al$_{2}$O$_{3}$
    
    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1212–1217
13. Структурные и морфологичеcкие свойства гибридных гетероструктур на основе GaN, выращенного на “податливой” подложке por-Si(111)
    
    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1141–1151
14. Исследование влияния переходного слоя нанопористого кремния на атомное и электронное строение, а также оптические свойства гетероструктур A$^{\mathrm{III}}$N/por-Si, выращенных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019),  1010–1016
15. Фотоэлектрические свойства слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии с плазменной активацией на подложках Si(111) и эпитаксиальных слоях SiC на Si(111)
    
    Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  190–198
16. Влияние буферного слоя por-Si на оптические свойства эпитаксиальных гетероструктур In$_{x}$Ga$_{1-x}$N/Si(111) с наноколончатой морфологией пленки
    
    Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019),  70–76
17. Электронные и оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/por-Si(111)
    
    Квантовая электроника, 49:6 (2019),  545–551
18. Влияние буферного слоя $por$-Si на структуру и морфологию эпитаксиальных гетероструктур In$_{x}$Ga$_{1-x}$N/Si(111)
    
    Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1553–1562
19. Особенности начальных стадий роста GaN на подложках Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота
    
    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1425–1429
20. Growth of GaN layers on Si(111) substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy
    
    Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  524
21. Влияние параметров нитридизации и начальных ростовых условий на полярность эпитаксиальных слоев GaN, выращенных молекулярно-пучковой эпитаксией с плазменной активацией азота на подложках Si(111)
    
    Письма в ЖТФ, 43:21 (2017),  47–54
22. Управление морфологией AlN при молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота на подложках Si(111)
    
    Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  283–286
23. Квантово-размерный эффект Штарка и локализация носителей в квантовых ямах Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$N/Al$_{0.4}$Ga$_{0.6}$N c различной морфологией
    
    Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012),  1022–1026
24. Контроль упругих напряжений в гетероструктурах III–N методом дифракции отраженных быстрых электронов в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 38:9 (2012),  96–102
25. Солнечно-слепые УФ-фотокатоды на основе гетероструктур AlGaN с границей спектральной чувствительности в диапазоне 300–330 nm
    
    Письма в ЖТФ, 38:9 (2012),  88–95