Золотухин Дмитрий Сергеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние слоя нанопористого кремния на практическую реализацию и особенности эпитаксиального роста слоев GaN на темплейтах SiC/$por$-Si/$c$-Si
   
   Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020),  491–503
2. Оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/SiC/$por$-Si/Si(111)
   
   Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  346–354
3. Структурные и морфологичеcкие свойства гибридных гетероструктур на основе GaN, выращенного на “податливой” подложке por-Si(111)
   
   Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1141–1151
4. Исследование влияния переходного слоя нанопористого кремния на атомное и электронное строение, а также оптические свойства гетероструктур A$^{\mathrm{III}}$N/por-Si, выращенных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019),  1010–1016
5. Влияние буферного слоя por-Si на оптические свойства эпитаксиальных гетероструктур In$_{x}$Ga$_{1-x}$N/Si(111) с наноколончатой морфологией пленки
   
   Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019),  70–76
6. Электронные и оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/por-Si(111)
   
   Квантовая электроника, 49:6 (2019),  545–551
7. Влияние буферного слоя $por$-Si на структуру и морфологию эпитаксиальных гетероструктур In$_{x}$Ga$_{1-x}$N/Si(111)
   
   Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1553–1562
8. Влияние разориентации подложки и ее предварительного травления на структурные и оптические свойства интегрированных гетероструктур GaAs/Si(100), полученных методом газофазной эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  881–890