Голощапов Дмитрий Леонидович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Исследования наноразмерных колончатых гетероструктур Al$_x$Ga$_{1-x}$N/AlN, выращенных на подложках кремния с различными модификациями поверхности
   
   ЖТФ, 94:1 (2024),  138–150
2. Рост тонкопленочных AlGaN/GaN эпитаксиальных гетероструктур на гибридных подложках, содержащих слои карбида кремния и пористого кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 56:6 (2022),  547–552
3. Свойства податливых подложек на основе пористого кремния, сформированных двухстадийным травлением
   
   Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1021–1026
4. Влияние предобработки подложки кремния на свойства пленок GaN, выращенных методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  704–710
5. Структурно-спектроскопические исследования эпитаксиальных слоев GaAs, выращенных на податливых подложках на основе сверхструктурного слоя и протопористого кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021),  86–95
6. Спектроскопические исследования интегрированных гетероструктур GaAs/Si
   
   Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021),  34–40
7. Влияние слоя нанопористого кремния на практическую реализацию и особенности эпитаксиального роста слоев GaN на темплейтах SiC/$por$-Si/$c$-Si
   
   Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020),  491–503
8. Оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/SiC/$por$-Si/Si(111)
   
   Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  346–354
9. Спектроскопические исследования изменений во вторичной структуре белков дентинной и десневой жидкостей по данным синхротронной ИК микроскопии
   
   Оптика и спектроскопия, 127:6 (2019),  917–925
10. Структурные и морфологичеcкие свойства гибридных гетероструктур на основе GaN, выращенного на “податливой” подложке por-Si(111)
    
    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1141–1151
11. Исследование влияния переходного слоя нанопористого кремния на атомное и электронное строение, а также оптические свойства гетероструктур A$^{\mathrm{III}}$N/por-Si, выращенных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019),  1010–1016
12. Особенности морфологии и оптических свойств наноструктур дисульфида молибдена от мономолекулярного слоя до фрактолообразной субструктуры
    
    Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019),  940–946
13. Влияние буферного слоя por-Si на оптические свойства эпитаксиальных гетероструктур In$_{x}$Ga$_{1-x}$N/Si(111) с наноколончатой морфологией пленки
    
    Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019),  70–76
14. Фазовый переход полупроводник-металл и “тристабильное” электрическое переключение в нанокристаллических пленках оксида ванадия на кремнии
    
    Письма в ЖТФ, 45:12 (2019),  3–5
15. Электронные и оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/por-Si(111)
    
    Квантовая электроника, 49:6 (2019),  545–551
16. Единовременный анализ микрообластей кариозного дентина методами лазерно-индуцированной флуоресценции и рамановской спектромикроскопии
    
    Оптика и спектроскопия, 125:5 (2018),  708–715
17. Фотолюминесцентные свойства нанопористого нанокристаллического карбонат-замещенного гидроксиапатита
    
    Оптика и спектроскопия, 124:2 (2018),  191–196
18. Влияние буферного слоя $por$-Si на структуру и морфологию эпитаксиальных гетероструктур In$_{x}$Ga$_{1-x}$N/Si(111)
    
    Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1553–1562
19. Влияние режимов электрохимического травления на морфологию, структурные и оптические свойства пористого арсенида галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  1041–1048
20. Влияние разориентации подложки и ее предварительного травления на структурные и оптические свойства интегрированных гетероструктур GaAs/Si(100), полученных методом газофазной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  881–890
21. Экспериментальные исследования влияния эффектов атомного упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах Ga$_{x}$In$_{1-x}$P на их оптические свойства
    
    Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1160–1167
22. Особенности роста и структурно-спектроскопические исследования нанопрофилированных пленок AlN, выращенных на разориентированных подложках GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1283–1294
23. Гетероструктуры Al$_x$Ga$_{1-x}$As/GaAs(100) с аномально высокой подвижностью носителей заряда
    
    Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1043–1049
24. Исследования наноразмерных пленок Al$_2$O$_3$, полученных на пористом кремнии методом ионно-плазменного распыления
    
    Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  936–941
25. Формирование наноструктур из коллоидных растворов диоксида кремния и углеродных нанотрубок
    
    Письма в ЖТФ, 41:4 (2015),  1–6
26. Структура и оптические свойства тонких пленок Al$_2$O$_3$, полученных методом реактивного ионно-плазменного распыления на подложках GaAs(100)
    
    Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014),  1564–1569