Середин Павел Владимирович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Исследования наноразмерных колончатых гетероструктур Al$_x$Ga$_{1-x}$N/AlN, выращенных на подложках кремния с различными модификациями поверхности
   
   ЖТФ, 94:1 (2024),  138–150
2. Рост тонкопленочных AlGaN/GaN эпитаксиальных гетероструктур на гибридных подложках, содержащих слои карбида кремния и пористого кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 56:6 (2022),  547–552
3. Свойства податливых подложек на основе пористого кремния, сформированных двухстадийным травлением
   
   Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1021–1026
4. Влияние предобработки подложки кремния на свойства пленок GaN, выращенных методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  704–710
5. Структурно-спектроскопические исследования эпитаксиальных слоев GaAs, выращенных на податливых подложках на основе сверхструктурного слоя и протопористого кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021),  86–95
6. Спектроскопические исследования интегрированных гетероструктур GaAs/Si
   
   Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021),  34–40
7. Влияние слоя нанопористого кремния на практическую реализацию и особенности эпитаксиального роста слоев GaN на темплейтах SiC/$por$-Si/$c$-Si
   
   Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020),  491–503
8. Оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/SiC/$por$-Si/Si(111)
   
   Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  346–354
9. Спектроскопические исследования изменений во вторичной структуре белков дентинной и десневой жидкостей по данным синхротронной ИК микроскопии
   
   Оптика и спектроскопия, 127:6 (2019),  917–925
10. Фазовый состав, морфология, оптические и электронные характеристики наноразмерных пленок AlN, выращенных на подложках GaAs(100) с разориентацией
    
    Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1584–1592
11. Структурные и морфологичеcкие свойства гибридных гетероструктур на основе GaN, выращенного на “податливой” подложке por-Si(111)
    
    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1141–1151
12. Исследование влияния переходного слоя нанопористого кремния на атомное и электронное строение, а также оптические свойства гетероструктур A$^{\mathrm{III}}$N/por-Si, выращенных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019),  1010–1016
13. Влияние буферного слоя por-Si на оптические свойства эпитаксиальных гетероструктур In$_{x}$Ga$_{1-x}$N/Si(111) с наноколончатой морфологией пленки
    
    Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019),  70–76
14. Электронные и оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/por-Si(111)
    
    Квантовая электроника, 49:6 (2019),  545–551
15. Единовременный анализ микрообластей кариозного дентина методами лазерно-индуцированной флуоресценции и рамановской спектромикроскопии
    
    Оптика и спектроскопия, 125:5 (2018),  708–715
16. Фотолюминесцентные свойства нанопористого нанокристаллического карбонат-замещенного гидроксиапатита
    
    Оптика и спектроскопия, 124:2 (2018),  191–196
17. Влияние буферного слоя $por$-Si на структуру и морфологию эпитаксиальных гетероструктур In$_{x}$Ga$_{1-x}$N/Si(111)
    
    Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1553–1562
18. Влияние режимов электрохимического травления на морфологию, структурные и оптические свойства пористого арсенида галлия
    
    Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  1041–1048
19. Влияние разориентации подложки и ее предварительного травления на структурные и оптические свойства интегрированных гетероструктур GaAs/Si(100), полученных методом газофазной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  881–890
20. Влияние разориентации подложки на состав, структурные и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев, выращенных на GaAs(100)
    
    Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  118–124
21. Состав нанокомпозитов из тонких слоев олова на пористом кремнии, сформированных методом магнетронного распыления
    
    Физика твердого тела, 59:4 (2017),  773–782
22. Экспериментальные исследования влияния эффектов атомного упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах Ga$_{x}$In$_{1-x}$P на их оптические свойства
    
    Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1160–1167
23. Экспериментальные исследования влияния эффектов атомного упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах Ga$_{x}$In$_{1-x}$P на их структурные и морфологические свойства
    
    Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1131–1137
24. Исследование особенностей осаждения органического красителя Родамин Б на поверхность пористого кремния с различным размером пор
    
    Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  193–197
25. Эпитаксиальные твердые растворы Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As : Mg с различным типом проводимости
    
    Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  124–132
26. Особенности роста и структурно-спектроскопические исследования нанопрофилированных пленок AlN, выращенных на разориентированных подложках GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1283–1294
27. Структурные и оптические свойства GaAs(100) с тонким приповерхностным слоем, легированным хромом
    
    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  869–876
28. Состав и оптические свойства аморфных пленок $a$-SiO$_{x}$:H с нанокластерами кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  212–217
29. Особенности изменения с течением времени оптических характеристик нано-, мезо- и макропористого кремния
    
    ЖТФ, 85:7 (2015),  151–155
30. Исследование процессов деградации оптических свойств мезо- и макропористого кремния при воздействии имитатором солнечного излучения
    
    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1540–1545
31. Гетероструктуры Al$_x$Ga$_{1-x}$As/GaAs(100) с аномально высокой подвижностью носителей заряда
    
    Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1043–1049
32. Исследования наноразмерных пленок Al$_2$O$_3$, полученных на пористом кремнии методом ионно-плазменного распыления
    
    Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  936–941
33. Оптические характеристики различных структур пористого кремния
    
    ЖТФ, 84:2 (2014),  70–75
34. Структура и оптические свойства тонких пленок Al$_2$O$_3$, полученных методом реактивного ионно-плазменного распыления на подложках GaAs(100)
    
    Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014),  1564–1569
35. Структурные и оптические свойства высоколегированных твердых растворов Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_{1-y}$P$_y$ : Mg, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014),  1123–1131
36. Особенности формирования золь–гель методом композитов 3$d$-металл/пористый кремний и их оптические свойства
    
    Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014),  570–575
37. Структура и оптические свойства гетероструктур на основе твердых растворов (Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_{1-y}$P$_y$)$_{1-z}$Si$_z$, полученных методом MOCVD
    
    Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  23–31
38. Оптические свойства пористого кремния, обработанного в тетраэтилортосиликате
    
    ЖТФ, 83:2 (2013),  136–140
39. Свойства эпитаксиальных твердых растворов (Al$_x$Ga$_{1-x}$As)$_{1-y}$C$_y$, выращенных МОС-гидридной автоэпитаксией
    
    Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  9–14
40. Сверхструктурное упорядочение в твердых растворах Al$_x$Ga$_{1-x}$As и Ga$_x$In$_{1-x}$P
    
    Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  3–8
41. Исследования морфологических особенностей роста и оптических характеристик многослойных образцов пористого кремния, выращенных на подложках $n$-типа с эпитаксиально нанесенным $p^+$-слоем
    
    Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012),  1101–1107
42. Структурные и спектральные особенности МОС-гидридных твердых растворов Al$_x$Ga$_y$In$_{1-x-y}$As$_z$P$_{1-z}$/ GaAs(100)
    
    Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012),  739–750
43. Спинодальный распад четверных твердых растворов Ga$_x$In$_{1-x}$As$_y$P$_{1-y}$
    
    Физика и техника полупроводников, 45:11 (2011),  1489–1497
44. Исследование электронного строения и химического состава пористого кремния, полученного на подложках $n$- и $p$-типа, методами XANES и ИК спектроскопии
    
    Физика и техника полупроводников, 45:9 (2011),  1229–1234
45. Влияние кремния на релаксацию кристаллической решетки в гетероструктурах Al$_x$Ga$_{1-x}$As : Si/GaAs(100), полученных МОС-гидридным методом
    
    Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011),  488–499
46. Релаксация параметров кристаллической решетки и структурное упорядочение в эпитаксиальных твердых растворах In$_x$Ga$_{1-x}$As
    
    Физика и техника полупроводников, 44:8 (2010),  1140–1146
47. Субструктура и люминесценция низкотемпературных гетероструктур AlGaAs/GaAs(100)
    
    Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010),  194–199


48. Фотолюминесцентные свойства высоколегированных гетероструктур на основе твердых растворов (Al$_x$Ga$_{1-x}$As)$_{1-y}$Si$_y$
    
    Физика твердого тела, 55:10 (2013),  2054–2057
49. Рентгеноструктурные исследования гетероструктур на основе твердых растворов Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_y$P$_{1-y}$ : Si
    
    Физика твердого тела, 55:10 (2013),  2046–2049