Алексеев Алексей Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Стимулированное излучение эпитаксиальных слоев AlGaN, выращенных методом аммиачной молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках сапфира
   
   Квантовая электроника, 49:6 (2019),  540–544
2. Исследование влияния сурфактанта Ga при высокотемпературной аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии слоев AlN на свойства нитридных гетероструктур
   
   Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1507–1509
3. Особенности использования аммиачной и плазменной МЛЭ для получения III–N HEMT гетероструктур
   
   Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015),  94–97
4. Рост объемных кристаллов AlN методом газофазной эпитаксии из атомарного Al и NH$_3$
   
   Письма в ЖТФ, 41:17 (2015),  83–93
5. Получение слоев GaN с пониженной плотностью дислокаций методом молекулярно-лучевой эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1460–1462
6. Солнечно-слепые УФ-фотокатоды на основе гетероструктур AlGaN с границей спектральной чувствительности в диапазоне 300–330 nm
   
   Письма в ЖТФ, 38:9 (2012),  88–95