Нечаев Дмитрий Валерьевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Солнечно-слепые фотодиоды Шоттки на основе гетероструктур AlGaN:Si/AlN, выращенных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 50:20 (2024),  16–19
2. 2D экситоны в множественных одномонослойных квантовых ямах GaN/AlN
   
   Письма в ЖЭТФ, 113:8 (2021),  507–513
3. Structural and dynamical properties of short-period GaN/AlN superlattices: Experiment and theory
   
   Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1397
4. Повышение эффективности фильтрации прорастающих дислокаций в темплейтах AlN/$c$-Al$_{2}$O$_{3}$ с фасетированной морфологией поверхности во время их роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 46:11 (2020),  26–30
5. Снижение плотности прорастающих дислокаций в темплейтах AlN/$c$-сапфир, выращенных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 46:8 (2020),  36–39
6. Boson peak related to Ga-nanoclusters in AlGaN layers grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy at Ga-rich conditions
   
   Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1519
7. Стимулированное излучение, фотолюминесценция и локализация неравновесных носителей заряда в сверхтонких (монослойных) квантовых ямах GaN/AlN
   
   Квантовая электроника, 49:6 (2019),  535–539
8. Особенности селективного роста наноколонн GaN на профилированных подложках $c$-сапфира различной геометрии
   
   Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1663–1667
9. Site-controlled growth of GaN nanorods with inserted InGaN quantum wells on $\mu$-cone patterned sapphire substrates by plasma-assisted MBE
   
   Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  526
10. Metal-semiconductor nanoheterostructures with an AlGaN quantum well and in-situ formed surface Al nanoislands
    
    Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018),  515
11. Генерация и релаксация напряжений в гетероструктуре (Al, Ga)N/6$H$-SiC при росте методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 43:9 (2017),  67–74
12. Контроль упругих напряжений с помощью оптической системы измерения кривизны подложки при росте гетероструктур III–N методом молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 43:5 (2017),  60–67
13. Наноструктуры AlGaN с экстремально высоким внутренним квантовым выходом при 300 K
    
    Физика твердого тела, 58:11 (2016),  2180–2185
14. Особенности катодолюминесцентных спектров квантовых ям AlInGaN, вызванные влиянием фазового распада и внутренних электрических полей
    
    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  921–926
15. Cолнечно-слепые Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N ($x>$ 0.45) $p$–$i$–$n$-фотодиоды с поляризационно-легированным $p$-эмиттером
    
    Письма в ЖТФ, 42:12 (2016),  57–63
16. Рентгеновская дифрактометрия темплейтов AIN/$c$-сапфир, полученных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 42:8 (2016),  61–69
17. Контроль упругих напряжений в гетероструктурах III–N методом дифракции отраженных быстрых электронов в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 38:9 (2012),  96–102


18. Спонтанное и стимулированное излучение в среднем ультрафиолетовом диапазоне квантово-размерных гетероструктур на основе AlGaN-соединений, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках $c$-сапфира
    
    Физика твердого тела, 55:10 (2013),  2058–2066