Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Солнечно-слепые фотодиоды Шоттки на основе гетероструктур AlGaN:Si/AlN, выращенных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии
Письма в ЖТФ, 50:20 (2024), 16–19
-
Стабильный режим генерации лазерного излучения в микропорошках CdSSe
Квантовая электроника, 49:6 (2019), 552–555
-
Стимулированное излучение эпитаксиальных слоев AlGaN, выращенных методом аммиачной молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках сапфира
Квантовая электроника, 49:6 (2019), 540–544
-
Стимулированное излучение, фотолюминесценция и локализация неравновесных носителей заряда в сверхтонких (монослойных) квантовых ямах GaN/AlN
Квантовая электроника, 49:6 (2019), 535–539
© , 2026