Светогоров Владимир Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Источники мощных лазерных импульсов субнаносекундной длительности на основе структур тиристорный ключ-лазерный диод для спектрального диапазона 1500 nm
   
   Письма в ЖТФ, 51:17 (2025),  49–52
2. Источники мощных лазерных импульсов на длину волны 1550 nm на основе конструкций тиристорный ключ-лазер
   
   Письма в ЖТФ, 51:16 (2025),  21–25
3. Гибридные сборки тиристорный ключ-полупроводниковый лазер на основе гетероструктур Al–In–Ga–As–P/InP для мощных импульсных источников лазерного излучения (1400–1500 нм)
   
   Физика и техника полупроводников, 58:3 (2024),  165–170
4. Низковольтные токовые ключи на основе гетероструктур тиристоров Al–In–Ga–As–P/InP для импульсных лазерных излучателей (1.5 мкм) наносекундной длительности
   
   Физика и техника полупроводников, 58:3 (2024),  161–164
5. Тиристорные ключи на основе гетеро- и гомоструктур (Al)GaAs/GaAs для генерации наносекундных импульсов тока с высокой частотой
   
   Письма в ЖТФ, 50:4 (2024),  43–46
6. Сильноточные низковольтные ключи для импульсов нс-длительности на основе тиристорных гомо- и гетероструктур (Al)GaAs/GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023),  678–683
7. Низковольтные гетеротиристоры InP для генерации импульсов тока длительностью 50–150 ns
   
   Письма в ЖТФ, 49:16 (2023),  29–32
8. Особенности мощных однозарядных фотодиодов на основе гетероструктур InGaAs/InP
   
   Квантовая электроника, 53:11 (2023),  883–886
9. Новые оптические передающие модули высокой надежности на основе мощных суперлюминесцентных диодов спектрального диапазона 1.5 – 1.6 мкм
   
   Квантовая электроника, 53:7 (2023),  561–564
10. Малогабаритные суперлюминесцентные диоды AlGaInAs / InP с напряженно-компенсированными квантовыми ямами для волоконно-оптических гироскопов
    
    Квантовая электроника, 52:6 (2022),  577–579
11. Мощные полупроводниковые AlGaInAs/InP-лазеры спектрального диапазона 1.9–2.0 мкм со сверхузким волноводом
    
    Квантовая электроника, 51:10 (2021),  909–911
12. Сравнение полупроводниковых лазеров AlGaInAs/InP (λ = 1450–1500 нм) со сверхузким и сильно асимметричным типом волноводов
    
    Квантовая электроника, 51:4 (2021),  283–286
13. Полупроводниковые AlGaInAs/InP-лазеры (λ = 1450 – 1500 нм) с сильно асимметричным волноводом
    
    Квантовая электроника, 51:2 (2021),  133–136
14. Полупроводниковые лазеры на основе гетероструктур AlGaInAs/InP со сверхузким волноводом и повышенным электронным барьером
    
    Квантовая электроника, 50:12 (2020),  1123–1125
15. Суперлюминесцентные диоды спектрального диапазона 1.5–1.6 мкм на основе напряженно-компенсированных квантовых ям AlGaInAs/InP
    
    Квантовая электроника, 50:9 (2020),  830–833
16. Полупроводниковые лазеры с асимметричным периодическим оптически связанным волноводом на длину волны излучения 1.5 – 1.6 мкм
    
    Квантовая электроника, 50:6 (2020),  600–602
17. Полупроводниковые лазеры на основе AlGaInAs/InP с повышенным электронным барьером
    
    Квантовая электроника, 49:6 (2019),  519–521