|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Исследование спектров электролюминесценции в гетероструктурах с квантовыми ямами на основе твердых растворов HgCdTe при латеральной токовой накачке
Письма в ЖТФ, 52:5 (2026), 9–13
-
Лазерное излучение в мезаструктуре с квантовыми ямами на основе HgCdTe с периодической системой гребней
Физика и техника полупроводников, 59:10 (2025), 608–613
-
Оптические свойства лазерных мезаструктур с квантовыми ямами HgCdTe, сформированных методом ионного травления
Письма в ЖТФ, 51:19 (2025), 7–10
-
Генерация длинноволнового стимулированного излучения в квантовых ямах HgCdTe с увеличенным энергетическим порогом оже-рекомбинации
Письма в ЖЭТФ, 118:5 (2023), 311–316
-
Спектроскопия фотолюминесценции структур с квантовыми ямами на основе HgCdTe в диапазоне длин волн 15–30 мкм
Физика и техника полупроводников, 56:5 (2022), 472–478
-
Влияние внутренних оптических потерь на генерацию стимулированного излучения в среднем ИК диапазоне в волноводных гетероструктурах с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe
Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 922–926
-
Оптимизация диэлектрического волновода для лазерных структур дальнего инфракрасного диапазона на основе HgTe/CdHgTe
Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021), 455–459
-
Экспресс-характеризация волноводных гетероструктур с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe с квазирелятивистcким законом дисперсии носителей методом спектроскопии фотолюминесценции при комнатной температуре
Письма в ЖТФ, 47:3 (2021), 51–54
-
Терагерцевая лазерная генерация на гибридном поверхностном плазмоне в структуре на основе HgCdTe
Квантовая электроника, 51:2 (2021), 158–163
-
Непрерывное стимулированное излучение в области 10–14 мкм при оптической накачке в структурах с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe с квазирелятивистским законом дисперсии
Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1169–1173
-
Исследование стимулированного излучения в гетероструктурах с квантовыми ямами HgTe/CdHgTe в окне прозрачности атмосферы 3–5 мкм
Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1163–1168
-
Спектры фотолюминесценции квантовых ям InAs/GaInSb/InAs в среднем ИК диапазоне
Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 929–932
-
Особенности фотолюминесценции двойных акцепторов в гетероструктурах HgTe/СdHgTe с квантовыми ямами в терагерцовом диапазоне
Письма в ЖЭТФ, 109:10 (2019), 679–684
-
Получение второй гармоники излучения субтерагерцовых гиротронов при удвоении частоты в InP : Fe и ее использование для магнитоспектроскопии полупроводниковых структур
Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1244–1249
-
Исследование пороговой энергии оже-рекомбинации в волноводных структурах с квантовыми ямами HgTe/Cd$_{0.7}$Hg$_{0.3}$Te в области 14 мкм
Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1178–1181
-
Влияние содержания Cd в барьерах на пороговую энергию оже-рекомбинации в волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgTe/CdxHg1-xTe, излучающих на длине волны 18 мкм
Квантовая электроника, 49:6 (2019), 556–558
-
Влияние особенностей зонного спектра на характеристики стимулированного излучения в узкозонных гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe
Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1263–1267
-
Исследования волноводных структур с квантовыми ямами на основе HgCdTe для получения длинноволнового стимулированного излучения
Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017), 1616–1620
© , 2026