RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Пахаруков Юрий Вавилович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Иерархия процессов самоорганизации и самосборки на примере роста пленок на границе “углеводород–графеновый нанофлюид”

    ЖТФ, 95:3 (2025),  565–574
  2. Особенности пиролиза ацетилена в атмосфере инертных газов в реакторе циклического сжатия

    Письма в ЖТФ, 49:4 (2023),  31–34
  3. Увеличение проницаемости микрокапилляра со стенками, покрытыми гофрированной графеновой пленкой

    Прикл. мех. техн. физ., 63:6 (2022),  116–121
  4. Неравномерное распределение углерода при мартенситном превращении

    Челяб. физ.-матем. журн., 4:4 (2019),  487–493
  5. Формирования волновой структуры на поверхности графеновой пленки

    Письма в ЖЭТФ, 109:9 (2019),  634–638
  6. Фильтрация нефти в пористой среде при наличии наночастиц графена

    Прикл. мех. техн. физ., 60:1 (2019),  37–40
  7. Вытеснение нефти из пористой среды с использованием графитовой суспензии

    Письма в ЖТФ, 44:4 (2018),  3–8
  8. Мицеллообразование как размытый фазовый переход первого рода в водных растворах ПАВ

    Докл. РАН, 341:6 (1995),  755–757
  9. Электронно-стимулированный процесс мицеллообразования

    Докл. РАН, 332:5 (1993),  578–580
  10. Микроскопическая модель неустойчивого состояния расслаивающихся жидкостей

    Докл. РАН, 332:2 (1993),  164–166
  11. О релаксационном состоянии вблизи границы абсолютной неустойчивости при слабом возмущении

    Докл. РАН, 330:2 (1993),  188–190
  12. О расширении области абсолютной неустойчивости при слабом возмущении

    Докл. РАН, 324:6 (1992),  1183–1186
  13. Об особенности отжига радиационных дефектов в нейтронно-легированном кремнии

    Письма в ЖТФ, 18:24 (1992),  44–48
  14. Сингулярность теплоемкости при вынужденном спинодальном распаде

    Докл. АН СССР, 320:6 (1991),  1372–1374
  15. Сверхширокополосная люминесценция волоконных световодов. Численный эксперимент

    Докл. АН СССР, 320:6 (1991),  1355–1357
  16. Влияние процесса радиационного дефектообразования на дифузионный профиль распределения алюминия в кремнии при электронном облучении

    Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989),  1686–1689
  17. Некоторые аспекты эффекта радиационного упорядочения

    Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989),  909–911
  18. Механизм радиационной тряски в структурно-неупорядоченных веществах

    Физика твердого тела, 28:10 (1986),  3132–3133
  19. Новая гипотеза радиационной стойкости неупорядоченных полупроводников

    Письма в ЖТФ, 12:21 (1986),  1320–1323
  20. Ионизационно-стимулированный механизм миграции примесей в ионно-имплантированных полупроводниках

    Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985),  300–302
  21. Влияние ионизирующего излучения на распад твердых растворов

    Физика и техника полупроводников, 18:5 (1984),  915–918


© МИАН, 2026